少子寿命
少子寿命的相关文献在1960年到2022年内共计361篇,主要集中在无线电电子学、电信技术、电工技术、能源与动力工程
等领域,其中期刊论文201篇、会议论文61篇、专利文献34456篇;相关期刊95种,包括城市建设理论研究(电子版)、河北工业大学学报、材料导报等;
相关会议24种,包括2015中国光伏大会暨第十五届中国光伏学术年会、第十四届中国光伏大会暨2014中国国际光伏展览会、第13届中国光伏大会等;少子寿命的相关文献由941位作者贡献,包括杨德仁、任丙彦、席珍强等。
少子寿命—发文量
专利文献>
论文:34456篇
占比:99.25%
总计:34718篇
少子寿命
-研究学者
- 杨德仁
- 任丙彦
- 席珍强
- 王文静
- 许颖
- 熊震
- 魏青竹
- 于友
- 任丽
- 刘世伟
- 施正荣
- 李杰
- 杨佳
- 杨利利
- 武建
- 王林
- 石坚
- 黄振飞
- 倪志春
- 励旭东
- 周春兰
- 周浪
- 张驰
- 李海玲
- 沈文忠
- 沈辉
- 沈鸿烈
- 王建平
- 赵玉文
- 阙端麟
- 陈凤翔
- 于梅芳
- 何力
- 余学功
- 傅祥良
- 刘彩池
- 刘振宇
- 刘振淮
- 刘霄
- 勾宪芳
- 吴俊
- 吴元庆
- 吴树飞
- 周涛
- 崔容强
- 巫艳
- 徐强
- 徐征
- 徐林
- 朱拓
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杜鹏;
张军芳;
刘建晓;
李辉;
薛俊明
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摘要:
采用(100)晶向N型抛光单晶硅衬底,研究氢氧化钠与IPA混合溶液体系对单晶硅片各向异性腐蚀过程,通过优化氢氧化钠质量浓度、IPA体积含量、溶液温度和腐蚀时间等影响参量,制备出反射率10.65%的金字塔绒面结构;采用PECVD沉积技术制备非晶硅钝化层,优化硅烷沉积浓度,在6%的硅烷浓度下制备出光敏性在10^(5)非晶硅钝化层,硅片少子寿命为951μs。利用上述优化参数,制备出开路电压(Voc)为0.64 V,电池效率为16.89%的SHJ太阳能电池。
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田原
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摘要:
为实现对单晶参数的综合分析,指导单晶制备,迫切需要分析各单晶参数之间的关联性。采用统计分析方法,针对N轻掺P单晶进行了差异分析,发现寿命与电阻率呈显著负相关,旋涡情况与寿命、电阻率不均性相关性不显著。对N重掺As单晶进行了差异分析,发现单晶段部位与氧含量显著相关,氧含量与径向电阻率变化显著相关。
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刘胜达;
房丹;
方铉;
赵鸿滨;
李承林;
王登魁;
王东博;
王晓华;
马晓辉;
魏志鹏
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摘要:
近年来,锑化物Ⅱ类超晶格材料在外延生长和发光性质等方面的研究取得了巨大的进步,为获得高性能中红外波段光电子器件奠定了重要的基础。然而,由于传统的InAs/GaSb体系超晶格材料中内部本征Ga原子缺陷的存在,使得InAs/GaSb材料的少子寿命过短,严重影响了光电子器件性能的提升,因此设计并生长具有长少子寿命的新材料体系超晶格材料具有重要的研究意义。本文对现阶段锑化物Ⅱ类超晶格材料的各类材料体系进行了总结和分析,着重强调了各类材料体系的外延生长条件、结构及光学特性等方面的研究进展,并对锑化物Ⅱ类超晶格材料今后的发展进行了展望。
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宋林伟;
孔金丞;
李东升;
李雄军;
吴军;
秦强;
李立华;
赵鹏
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摘要:
采用金掺杂替代作为深能级缺陷中心的汞空位,可明显提高P型碲镉汞材料少子寿命,进而降低以金掺杂P型材料为吸收层n-on-p型碲镉汞器件的暗电流,明显提升了n-on-p型碲镉汞器件性能,是目前高灵敏度、高分辨率等高性能n-on-p型长波/甚长波以及高工作温度中波碲镉汞器件研制的一种技术路线选择.本文在分析评述金掺杂碲镉汞材料现有研究技术要点的基础上,结合昆明物理研究所目前的研究成果,总结了碲镉汞金掺杂相关工艺技术,重点分析了金掺杂对碲镉汞器件性能的影响.
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王政英;
操国宏;
王东东;
高军
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摘要:
介绍了4.5 kV非对称门极换流晶闸管(GCT)阻断电压失效现象,并进行分析.通过对GCT工艺流程的梳理,找到了GCT阻断电压失效的原因.制造过程中,铝扩散工艺中受到污染导致了少子寿命的大幅降低,从而造成GCT漏电流过大的特性.最终通过在铝氧化推进工艺中引入二氯乙烯(DCE)清洗或在铝扩散后增加磷吸收工艺,解决了GCT阻断电压失效的问题.
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刘胜达;
魏志鹏;
房丹;
方铉;
赵鸿滨;
李承林;
王登魁;
王东博;
王晓华;
马晓辉
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摘要:
近年来,锑化物Ⅱ类超晶格材料在外延生长和发光性质等方面的研究取得了巨大的进步,为获得高性能中红外波段光电子器件奠定了重要的基础.然而,由于传统的InAs/GaSb体系超晶格材料中内部本征Ga原子缺陷的存在,使得InAs/GaSb材料的少子寿命过短,严重影响了光电子器件性能的提升,因此设计并生长具有长少子寿命的新材料体系超晶格材料具有重要的研究意义.本文对现阶段锑化物Ⅱ类超晶格材料的各类材料体系进行了总结和分析,着重强调了各类材料体系的外延生长条件、结构及光学特性等方面的研究进展,并对锑化物Ⅱ类超晶格材料今后的发展进行了展望.
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丁月珂;
黄仕华
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摘要:
采用等离子体增强化学气相沉积法生长的单层本征氢化非晶硅薄膜对单晶硅片进行钝化,结果表明增加氢稀释比有利于减少薄膜中的缺陷,增强钝化效果,过量的氢稀释比会导致非晶硅在硅片表面的外延晶化生长,降低钝化效果。退火导致非晶硅晶化程度增加,降低了钝化效果,同时退火提升了薄膜的质量,改变了H键合方式,增强了钝化效果。因此,单层氢化非晶硅只有在合适的氢稀释比和退火温度才可以获得最佳钝化效果。为了提高非晶硅薄膜对硅片的钝化效果,采用具有高低氢稀释比的叠层本征非晶硅薄膜对硅片进行钝化。因此将高氢稀释比沉积的非晶硅薄膜叠层生长于低氢稀释比的薄膜之上,避免非晶硅在硅片表面的外延生长。在退火过程中,高氢稀释比薄膜中的氢扩散到低氢稀释比薄膜中,有效地钝化了非晶硅中和单晶硅表面的悬挂键,改善了非晶硅/硅片的界面质量,叠层钝化后硅片的少子寿命为7.36 ms,隐含开路电压为732 mV。
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陈欣文;
黄俊;
简学勇;
李建敏
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摘要:
靠近铸锭坩埚的多晶硅片因坩埚杂质扩散以及杂质分凝到头部等影响,在电池制作过程中会导致硅片从尾部到头部出现效率衰减情况.本文主要通过抑制硅锭侧部杂质扩散和形核长晶,将头尾衰减区域提高,从而达到提升硅片整体效率的目的.结果显示,硅块少子寿命的"花纹"比例(位错)均值明显程下降趋势,平均下降了2.54%.从硅锭底部至头部的硅片制作成电池的转换效率衰减趋势降低,平均效率提升约0.1%.
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折伟林;
申晨;
李乾;
刘铭;
李达;
师景霞
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摘要:
碲镉汞(HgCdTe)材料的少子寿命是影响碲镉汞红外探测器性能的重要参数.分别采用微波光电导衰减(Microwave Photoconductivity Decay,μ-PCD)法和微波探测光电导(Microwave Detected Photoconductivity,MDP)法对 HgCdTe 薄膜的少子寿命进行了研究.结果表明,随着激光功率的增强,样品的少子寿命降低;由于载流子复合机制的变化,HgCdTe薄膜的少子寿命随温度的增加有先增后减的趋势.通过HgCdTe薄膜少子寿命面分布可以得出样品不同区域的载流子浓度分布与均匀性.对于HgCdTe薄膜材料来说,以上两种测试结果的面分布状况相近.
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高英;
孙燕;
王昕;
李俊生;
田蕾;
李兰兰;
叶灿明
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摘要:
阐述了硅单晶中非平衡载流子寿命与注入水平的函数关系以及少子寿命与复合寿命的区别,通过变光强测量得到一组寿命与注入水平的实测数据,用拟合法求得少子寿命及复合寿命与注入水平的函数曲线,所得结果与S-R-H理论模型相符。根据理论与实验成果,提出改进寿命测试一致性的方案,同时为发行少子寿命标准样品奠定了基础。
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孙继飞
- 《第十二届中国太阳级硅及光伏发电研讨会》
| 2016年
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摘要:
介绍了背景介绍,实验内容,实验结果及分析,介绍微量的金属杂质元素严重危害电池的转化效率.铁质材料的广泛运用于设备,仪器,存在于各类原材料以及空气里的灰尘中,在晶硅电池制备过程中难以避免的带来杂质Fe的污染.
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- 西门子公司
- 公开公告日期:2000-10-25
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摘要:
本发明提供了用于无损测量一个半导体器件中少数载流子扩散长度(Lp),进而测量少数载流子寿命(Op)的一种方法。该方法包括以下步骤:将一个待测试半导体器件反向偏置,用一束聚焦辐射能量沿该半导体器件的一段长度进行扫描,当辐射束沿该半导体器件的扫描长度段逐点扫描时检测该辐射束在半导体器件中感生的电流,以生成一个信号波形(Isignal),并根据测得的Isignal波形确定该半导体器件中少数载流子的扩散长度(Lp)和/或少数载流子的寿命(Op)。
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