少子寿命

摘要： 采用(100)晶向N型抛光单晶硅衬底,研究氢氧化钠与IPA混合溶液体系对单晶硅片各向异性腐蚀过程,通过优化氢氧化钠质量浓度、IPA体积含量、溶液温度和腐蚀时间等影响参量,制备出反射率10.65%的金字塔绒面结构;采用PECVD沉积技术制备非晶硅钝化层,优化硅烷沉积浓度,在6%的硅烷浓度下制备出光敏性在10^(5)非晶硅钝化层,硅片少子寿命为951μs。利用上述优化参数,制备出开路电压(Voc)为0.64 V,电池效率为16.89%的SHJ太阳能电池。

摘要： 为实现对单晶参数的综合分析,指导单晶制备,迫切需要分析各单晶参数之间的关联性。采用统计分析方法,针对N轻掺P单晶进行了差异分析,发现寿命与电阻率呈显著负相关,旋涡情况与寿命、电阻率不均性相关性不显著。对N重掺As单晶进行了差异分析,发现单晶段部位与氧含量显著相关,氧含量与径向电阻率变化显著相关。

摘要： 近年来,锑化物Ⅱ类超晶格材料在外延生长和发光性质等方面的研究取得了巨大的进步,为获得高性能中红外波段光电子器件奠定了重要的基础。然而,由于传统的InAs/GaSb体系超晶格材料中内部本征Ga原子缺陷的存在,使得InAs/GaSb材料的少子寿命过短,严重影响了光电子器件性能的提升,因此设计并生长具有长少子寿命的新材料体系超晶格材料具有重要的研究意义。本文对现阶段锑化物Ⅱ类超晶格材料的各类材料体系进行了总结和分析,着重强调了各类材料体系的外延生长条件、结构及光学特性等方面的研究进展,并对锑化物Ⅱ类超晶格材料今后的发展进行了展望。

摘要： 采用金掺杂替代作为深能级缺陷中心的汞空位,可明显提高P型碲镉汞材料少子寿命,进而降低以金掺杂P型材料为吸收层n-on-p型碲镉汞器件的暗电流,明显提升了n-on-p型碲镉汞器件性能,是目前高灵敏度、高分辨率等高性能n-on-p型长波/甚长波以及高工作温度中波碲镉汞器件研制的一种技术路线选择.本文在分析评述金掺杂碲镉汞材料现有研究技术要点的基础上,结合昆明物理研究所目前的研究成果,总结了碲镉汞金掺杂相关工艺技术,重点分析了金掺杂对碲镉汞器件性能的影响.

摘要： 介绍了4.5 kV非对称门极换流晶闸管(GCT)阻断电压失效现象,并进行分析.通过对GCT工艺流程的梳理,找到了GCT阻断电压失效的原因.制造过程中,铝扩散工艺中受到污染导致了少子寿命的大幅降低,从而造成GCT漏电流过大的特性.最终通过在铝氧化推进工艺中引入二氯乙烯(DCE)清洗或在铝扩散后增加磷吸收工艺,解决了GCT阻断电压失效的问题.

摘要： 近年来,锑化物Ⅱ类超晶格材料在外延生长和发光性质等方面的研究取得了巨大的进步,为获得高性能中红外波段光电子器件奠定了重要的基础.然而,由于传统的InAs/GaSb体系超晶格材料中内部本征Ga原子缺陷的存在,使得InAs/GaSb材料的少子寿命过短,严重影响了光电子器件性能的提升,因此设计并生长具有长少子寿命的新材料体系超晶格材料具有重要的研究意义.本文对现阶段锑化物Ⅱ类超晶格材料的各类材料体系进行了总结和分析,着重强调了各类材料体系的外延生长条件、结构及光学特性等方面的研究进展,并对锑化物Ⅱ类超晶格材料今后的发展进行了展望.

摘要： 采用等离子体增强化学气相沉积法生长的单层本征氢化非晶硅薄膜对单晶硅片进行钝化,结果表明增加氢稀释比有利于减少薄膜中的缺陷,增强钝化效果,过量的氢稀释比会导致非晶硅在硅片表面的外延晶化生长,降低钝化效果。退火导致非晶硅晶化程度增加,降低了钝化效果,同时退火提升了薄膜的质量,改变了H键合方式,增强了钝化效果。因此,单层氢化非晶硅只有在合适的氢稀释比和退火温度才可以获得最佳钝化效果。为了提高非晶硅薄膜对硅片的钝化效果,采用具有高低氢稀释比的叠层本征非晶硅薄膜对硅片进行钝化。因此将高氢稀释比沉积的非晶硅薄膜叠层生长于低氢稀释比的薄膜之上,避免非晶硅在硅片表面的外延生长。在退火过程中,高氢稀释比薄膜中的氢扩散到低氢稀释比薄膜中,有效地钝化了非晶硅中和单晶硅表面的悬挂键,改善了非晶硅/硅片的界面质量,叠层钝化后硅片的少子寿命为7.36 ms,隐含开路电压为732 mV。

摘要： 靠近铸锭坩埚的多晶硅片因坩埚杂质扩散以及杂质分凝到头部等影响,在电池制作过程中会导致硅片从尾部到头部出现效率衰减情况.本文主要通过抑制硅锭侧部杂质扩散和形核长晶,将头尾衰减区域提高,从而达到提升硅片整体效率的目的.结果显示,硅块少子寿命的"花纹"比例(位错)均值明显程下降趋势,平均下降了2.54％.从硅锭底部至头部的硅片制作成电池的转换效率衰减趋势降低,平均效率提升约0.1％.

摘要： 碲镉汞(HgCdTe)材料的少子寿命是影响碲镉汞红外探测器性能的重要参数.分别采用微波光电导衰减(Microwave Photoconductivity Decay,μ-PCD)法和微波探测光电导(Microwave Detected Photoconductivity,MDP)法对 HgCdTe 薄膜的少子寿命进行了研究.结果表明,随着激光功率的增强,样品的少子寿命降低;由于载流子复合机制的变化,HgCdTe薄膜的少子寿命随温度的增加有先增后减的趋势.通过HgCdTe薄膜少子寿命面分布可以得出样品不同区域的载流子浓度分布与均匀性.对于HgCdTe薄膜材料来说,以上两种测试结果的面分布状况相近.

摘要： 阐述了硅单晶中非平衡载流子寿命与注入水平的函数关系以及少子寿命与复合寿命的区别,通过变光强测量得到一组寿命与注入水平的实测数据,用拟合法求得少子寿命及复合寿命与注入水平的函数曲线,所得结果与S-R-H理论模型相符。根据理论与实验成果,提出改进寿命测试一致性的方案,同时为发行少子寿命标准样品奠定了基础。

摘要： 研究表明：PEDOT:PSS，O2/光照环境下提供高质量钝化效果，但本源来自PSS；钝化机制是基于氧化还原反应的电化学钝化机制，少子寿命受电荷转移控制。

摘要： 研究阐明：金刚线切割硅片制绒方式多样，成本和后续与其他高效技术叠加的潜力都应成为评价制绒工艺的重要指标；无论是MACE还是RIE，都还未达到由于比表面积过大而影响少子寿命的程度，表面修饰/洁净度更为重要；黑硅技术潜力——MACE少子寿命+RIE反射率。

摘要： 介绍了背景介绍，实验内容，实验结果及分析，介绍微量的金属杂质元素严重危害电池的转化效率.铁质材料的广泛运用于设备,仪器,存在于各类原材料以及空气里的灰尘中,在晶硅电池制备过程中难以避免的带来杂质Fe的污染.

摘要： 介绍了中利腾晖-公司简介中利腾晖-公司简介N型双面电池量产硼掺杂工艺不同硼掺杂工艺流程及性能总结公司简介2009年月公司成立母公司:中利科技集团(SZ:002309)总投资额:48亿元人民币。N型晶体硅具有体少子寿命长、无光致衰减等优点，非常适合制作高效电池。要获得高转换效率，必须尽量降低硼表面掺杂浓度和表面复合速率，因而对扩散及表面钝化提出了很高要求。

摘要： 介绍了目前人们对非晶硅表面钝化本质的认识在半导体物理方面多限于钝化后硅片少子寿命的提高以及由此推算所得表面复合速率的大小,认为这还不能清晰解答钝化作用的本质,因为钝化薄膜的作用包括对悬挂键的减少以及表面固定电荷的变化等多种机制.

摘要： 介绍了硅太阳电池效率限制因素，俄歇复合与俄歇复合参数模型，a-Si∶H薄膜沉积与测试，俄歇校正，有效表面复合速率，硅太阳电池效率限制因素。

摘要： 介绍了研究背景，研究内容，结论，多晶硅铸锭过程中,纯度较低的石英坩埚和氮化硅粉涂层内深能级金属杂质向固态硅锭中扩散,导致边缘晶砖坩埚面产生低少子寿命区,在少子图谱中呈现出所谓的"红区"现象,而在开方线锯去边皮时无法完全切除,流入到电池环节就是所谓的"黑边"问题.

摘要： 对于较短的硅纳米线阵列而言，碘酒的钝化处理显示出更好的少子寿命改善效果，当碘酒浓度增加到0.05mol/L时，其样品的少子寿命从2.lμm增加到约13μm，随着碘酒浓度的增加其样品少子寿命又大幅降低。对于较长的硅纳米线而言，也具有随着碘酒浓度增加其少子寿命先增加后降低的趋势，但与刻蚀时间为5min的样品相比，其少子寿命在钝化过程中改善的程度明显要弱很多，这可能是由于长硅纳米线中过多的缺陷成为阻碍少子寿命提高的主导因素。同时，试验中还考察了不同碘酒浓度钝化后短硅纳米线阵列的少子寿命稳定性问题，研究表明：不同碘酒浓度钝化后，样品的少子寿命都表现出了较好的稳定性，样品在钝化处理3周以后，其少子寿命下降并不明显，表明I-I键与硅纳米线表面的Si-Hx键作用在其表面形成了较为稳定的Si-I键。

摘要： 本文从制备出来的n型双面电池的I-V曲线以及电学性能数据看出，电池正反面的效率并不高，还有很大的提升距离。分析认为发射极钝化，应采用A12O3或者SiO2以及他们的叠层薄膜对p+发射极进行钝化，减少表面复合；选用体少子寿命更高的n型高效硅片；采用PV17F作为背面银浆，配合更高方阻的背场使用，降低背表面的复合；调节烧结工艺，精确控制炉温分布使其同时适应两种浆料的最佳烧结曲线；正反面采用更细的细栅，实验采用的细栅为100μm，实际印刷宽度为120μm，采用目前晶硅产线上的50μm细栅后，能减少33%的栅线遮光面积。

摘要： 研究发现各种寿命片和电池片在光照之后少子寿命和电池效率均有明显的衰减，且光照前90min衰减速率最快在270min时衰减逐渐达到饱和。高效背钝化PERC电池相较于单晶电池效率衰减更快，1710min时效率衰减达到了4.25%。研究认为光照后少子寿命的降低导致了晶硅电池效率的衰减，氧化铝氮化硅叠层的背钝化效果的大幅衰减是高效背钝化PERC电池效率衰减严重的主要原因，引起晶硅太阳能电池光衰的其它原因有待进一步研究。

摘要： 本发明提供了用于无损测量一个半导体器件中少数载流子扩散长度(Lp)，进而测量少数载流子寿命(Op)的一种方法。该方法包括以下步骤：将一个待测试半导体器件反向偏置，用一束聚焦辐射能量沿该半导体器件的一段长度进行扫描，当辐射束沿该半导体器件的扫描长度段逐点扫描时检测该辐射束在半导体器件中感生的电流，以生成一个信号波形(Isignal)，并根据测得的Isignal波形确定该半导体器件中少数载流子的扩散长度(Lp)和/或少数载流子的寿命(Op)。

摘要： 本发明提供了用于无损测量一个半导体器件中少数载流子扩散长度(Lp),进而测量少数载流子寿命(Op)的一种方法。该方法包括以下步骤:将一个待测试半导体器件反向偏置,用一束聚焦辐射能量沿该半导体器件的一段长度进行扫描,当辐射束沿该半导体器件的扫描长度段逐点扫描时检测该辐射束在半导体器件中感生的电流,以生成一个信号波形(Isignal),并根据测得的Isignal波形确定该半导体器件中少数载流子的扩散长度(Lp)和/或少数载流子的寿命(Op)。

摘要： 本发明提供了一种硅片少子寿命的测试方法及装置，属于半导体技术领域。硅片少子寿命的测试装置，包括：激光发生器，用于发射激光；微波探针，用于发射微波；控制单元，用于根据待测试硅片的外延层厚度计算出角度α，并根据所述角度α调整所述硅片的位置、所述微波探针发射微波的角度以及所述激光发生器发射激光的角度，使得所述硅片与水平面之间的夹角为α，所述微波探针发射微波的方向与所述硅片垂直，所述激光发生器发射激光的方向与水平面垂直。本发明能够实现对不同厚度外延层的硅片进行少子寿命测试。

摘要： 一种少子寿命测试仪探头和少子寿命测试仪，属于半导体少子寿命测试技术领域，所述探头包括外壳体和探测体，其特征在于，外壳体中部设置圆柱形空腔，圆柱形空腔左右两侧对称设置与之相通的导线管路，导线管路下端设置与之相通的激光器容纳室，激光器容纳室内侧端部设置激光照射通道；探测体由上到下设置导线容纳段和探针夹持段，探针夹持段内部前后对称设置固定夹持件，固定夹持件内夹持探针，所述测试仪包括控制模块以及与控制模块电连接的供电模块、AD采集模块和计数模块，本发明的有益效果是，所述少子寿命测试仪探头整体结构稳定、布置紧凑合理，所述测试仪便携性更强，测试的准确性更高，适于推广应用。

摘要： 本申请公开了一种少子寿命控制方法，应用于第一硅晶片，第一硅晶片属于RC‑IGBT，方法包括：向第一硅晶片注入第一离子，得到P型半导体；在P型半导体上淀积阻隔层；从阻隔层上刻蚀出第一区域，并将第一区域作为续流二极管区域，第一区域不具有阻隔层；向第一区域注入第二离子，以在第一区域上形成N型半导体；对形成N型半导体的第一区域进行重金属溅射；采用第一热处理方式，对包含经过重金属溅射的第一区域的所述第一硅晶片进行热处理，以使重金属在第一硅晶片中形成复合中心。由于复合中心可以改变第一硅晶片中少子的复合方式，将少子的复合方式由直接复合变为间接复合，因此，可以有效地减少少子的复合时间从而降低续流二极管的反向恢复时间。

摘要： 本发明涉及碳化硅领域，公开了一种提高碳化硅薄膜少子寿命的方法，通过先对碳化硅薄膜进行热处理，激活碳化硅薄膜中的碳空位和氢杂质，然后利用紫外光照射碳化硅薄膜，控制碳化硅的准费米能级位置，使得氢杂质由负电调整为正电，利用带正电的氢杂质钝化带负电的碳空位，消除碳空位的缺陷能级，从而提高碳化硅薄膜少子寿命，且不会额外增加其他的缺陷。

摘要： 本发明实施例公开了一种借助于少子寿命表征硅片吸除金属杂质效率的装置和方法，该装置包括：清洗模块，所述清洗模块经配置为准备待测硅片并清洗所述硅片；少子寿命测量模块，所述少子寿命测量模块经配置为测量所述硅片的少子寿命；热处理模块，所述热处理模块经配置为针对所述硅片进行热处理；计算器模块，所述计算器模块经配置为记录并计算所述少子寿命测量模块的测量值，并根据所述测量值间接计算所述硅片的捕获金属杂质效率。

摘要： 本发明公开了一种优化外延少子寿命的方法，S1、更改进气分配盒涂层，在金属材质外增加涂层；S2、平衡反应腔压力，在硅片传输过程中，传输腔的压力稍大于反应腔，减少尾气端杂质元素的反灌；S3、通过原位抛光腐蚀方式改善硅片表面的粗糙度和洁净度，化学抛光修复表面的晶格结构，从而降低外延和衬底界面层的缺陷密度。本发明优化外延少子寿命的方法，通过控制影响少子的多种原因，从而提高反应腔的洁净度，增加了少子寿命。可满足14/28/55nm逻辑外延产品加工规格，同时降低了P型外延机台的装机和复机难度，方法简单有效。

摘要： 一种少子寿命测试仪探头和少子寿命测试仪，属于半导体少子寿命测试技术领域，所述探头包括外壳体和探测体，其特征在于，外壳体中部设置圆柱形空腔，圆柱形空腔左右两侧对称设置与之相通的导线管路，导线管路下端设置与之相通的激光器容纳室，激光器容纳室内侧端部设置激光照射通道；探测体由上到下设置导线容纳段和探针夹持段，探针夹持段内部前后对称设置固定夹持件，固定夹持件内夹持探针，所述测试仪包括控制模块以及与控制模块电连接的供电模块、AD采集模块和计数模块，本实用新型的有益效果是，所述少子寿命测试仪探头整体结构稳定、布置紧凑合理，所述测试仪便携性更强，测试的准确性更高，适于推广应用。

摘要： 本实用新型提供一种提高单晶少子寿命的高纯石英吸料装置，其特征在于，包括：石英料筒：所述石英料筒由内向外设置有透明层和气泡层；筒盖：所述筒盖设置在所述石英料筒顶部；吸料管：所述吸料管贯穿所述石英料筒的底部，剩料由所述吸料管进入所述石英料筒内部。本实用新型的有益效果是石英料筒内部的透明层不会与剩料发生反应，提升吸料后埚底料纯度，且降低吸料装置与埚底料剩料接触的纯度，从而进一步提升单晶品质，减少对剩料的污染，降低生产成本。