多芯片封装

摘要： 传统的分立功率器件一直存在封装比低和集成化难度高特点,无法适应当今半导体封装行业高集成化和高密度的发展趋势;该文通过一种新型的铝线劈刀端面设计,可以在铝线或铝带的焊点表面形成一个平面,从而在焊点的平面上实现二次装片或焊线.通过工艺流程实现了可应用于功率器件的MCP封装工艺设想.

摘要： 英特尔近日宣布英特尔至强处理器产品家族迎来两位新成员:Cascade Lake-AP(预计2019年上半年发布)和面向入门级服务器的英特尔至强E-2100处理器(现已正式发布)。这两个新产品系列建立在英特尔至强平台长达20年的领导地位之上,让客户可以更加灵活地选择最符合自身需求的解决方案。Cascade Lake-AP采用性能优化的多芯片封装,每颗CPU最多可提供48个内核,每个插槽可提供12个DDR4内存通道。

摘要： 近日,半导体和电子元器件的全球授权分销商贸泽电子(Mouser Electronics)即日起开始分销Cypress Semiconductor的S71KL512SC0 Hyper Flash?和Hyper RAM?多芯片封装(MCP)产品。此存储器子系统解决方案采用小尺寸、低引脚数封装,结合了用于快速引导和即时接通的高速NOR闪存与用于扩展高速暂存器的自刷新DRAM,是空间受限、成本优化的嵌入式设计的理想之选。

摘要： 随着半导体行业对系统高集成度、小尺寸、低成本等方面的要求,系统级封装(SiP)受到了越来越多的关注.由于多芯片的存在,SiP的散热问题更为关键,单一的热阻值不足以完整表征多芯片封装的散热特性.介绍了多芯片陶瓷封装的结-壳热阻分析方法,通过热阻矩阵来描述多芯片封装的散热特性.采用不同尺寸的专用热测试芯片制作多芯片封装样品,并分别采用有限元仿真和瞬态热阻测试方法分析此款样品的散热特性,最终获得封装的热阻矩阵.

摘要： Mentor Graphics近日宣布推出用于芯片-封装一电路板设计的最新Xpedition Package Integrator流程，这是业内用于集成电路（Ic）、封装和印刷电路板（PCB）协同设计与优化的最广泛的解决方案。Package Integrator解决方案可自动规划、装配和优化当今复杂的多芯片封装。它采用一种独特的虚拟芯片模型概念，可真正实现IC到封装协同优化。为了支持对计划的新产品进行早期的营销层面研究，用户现在只需使用最少的源数据即可以规划、装配和优化复杂的系统。这款新的PackageIntegrator流程让设计团队能够实现更快、更高效的物理布线路径和无缝的工具集成，从而实现快速的样机制作，推进生产流程。

摘要： 中电智能卡有限责任公司由中电广通股份有限公司和公安部第一研究所等共同投资组建,装备世界最先进的IC卡、模块、多芯片（COB）封装设备和8英寸、12英寸芯片减薄、划片设备,专业生产各种IC卡、模块和大容量卡,同时提供多芯片封装（COB）服务,生产技术及产品质量始终处于领先地位;公司年生产能力为：IC卡60亿张;接触（双界面）和非接触式模块5.1亿块;大容量和TF卡二千万张。

摘要： 电子产品小型化驱动了半导体封装的变化，下一轮经济发展也带动封装与装配技术发展，从多芯片封装、BGA与CSP封装到3D封装。

摘要： 中电智能卡有限责任公司由中电广通股份有限公司和公安部第一研究所等共同投资组建。装备世界最先进的IC卡、模块、多芯片（COB）封装设备和8英寸、12英寸芯片减薄、划片设备，专业生产各种IC卡、模块和大容量卡，同时提供多芯片封装（COB）服务，生产技术及产品质量始终处于领先地位，

摘要： 中电智能卡有限责任公司由中电广通股份有限公司和公安部第一研究所等共同投资组建，装备世界最先进的IC卡、模块、多芯片（COB）封装设备和8英寸、12英寸芯片减薄、划片设备，专业生产各种IC卡、模块和大容量卡，同时提供多芯片封装（COB）服务，生产技术及产品质量始终处于领先地位；公司年生产能力为：IC卡60亿张。

摘要： 中电智能卡有限责任公司由中电广通股份有限公司和公安部第一研究所等共同投资组建，装备世界最先进的IC卡、模块、多芯片（COB）封装设备和8英寸、12英寸芯片减薄、划片设备，专业生产各种IC卡、模块和大容量卡，同时提供多芯片封装（COB）服务，生产技术及产品质量始终处于领先地位；公司年生产能力为：IC卡60亿张；接触（双界面）和非接触式模块5．1亿块；大容量和TF卡二千万张。

摘要： 随着半导体芯片向高速、高功能、存储的大容量方向发展,由于封装状态的变化,在球栅阵列多芯片封装的检测工序与专用检测工装的测定端子已形成新的开发技术.

摘要： 多芯片封装提供了一种获得更高芯片密度、更短互连长度、改善集成电路系统性能的方法.本文简要介绍了多芯片组件(MCM)的基板技术、市场、应用以及最新技术发展动态.

摘要： 本文结合厚膜混合集成电路的设计、制造工艺,介绍了MCM技术的应用,详细说明了如何针对MCM的特点进行厚膜混合集成电路的设计,阐述了设计要求、材料的特点及工艺的控制方法.

摘要： 本文结合厚膜混合集成电路的设计、制造工艺,介绍了MCM技术的应用,详细说明了如何针对MCM的特点进行厚膜混合集成电路的设计,阐述了设计要求、材料的特点及工艺的控制方法.

摘要： 本文结合厚膜混合集成电路的设计、制造工艺,介绍了MCM技术的应用,详细说明了如何针对MCM的特点进行厚膜混合集成电路的设计,阐述了设计要求、材料的特点及工艺的控制方法.

摘要： 本文结合厚膜混合集成电路的设计、制造工艺,介绍了MCM技术的应用,详细说明了如何针对MCM的特点进行厚膜混合集成电路的设计,阐述了设计要求、材料的特点及工艺的控制方法.

摘要： 随着电子产品的迅速发展,以小型化、多引脚、新包装形式安装于数码摄象机,个人电脑,移动电话的BGA(Ball Grid Array)和CSP(Chip size/scale Package)引起人们的关注,但我们在贴装条件和焊接可靠性方面上应十分注意.在此介绍BGA和CSP的PCB贴装实验内容和焊接可靠性的评价结果.

摘要： 随着电子产品的迅速发展,以小型化、多引脚、新包装形式安装于数码摄象机,个人电脑,移动电话的BGA(Ball Grid Array)和CSP(Chip size/scale Package)引起人们的关注,但我们在贴装条件和焊接可靠性方面上应十分注意.在此介绍BGA和CSP的PCB贴装实验内容和焊接可靠性的评价结果.

摘要： 随着电子产品的迅速发展,以小型化、多引脚、新包装形式安装于数码摄象机,个人电脑,移动电话的BGA(Ball Grid Array)和CSP(Chip size/scale Package)引起人们的关注,但我们在贴装条件和焊接可靠性方面上应十分注意.在此介绍BGA和CSP的PCB贴装实验内容和焊接可靠性的评价结果.

摘要： 本发明涉及嵌入式芯片封装、芯片封装和制备嵌入式芯片封装的方法。提供了一种嵌入式芯片封装。该嵌入式芯片封装包括：多个芯片；嵌入了该多个芯片的包装材料；电连接至该多个芯片的至少一个电再分配层；以及连接至该至少一个电再分配层的共用端子，其中该共用端子提供用于以下操作中的至少一个的接口：在该多个芯片与该共用端子之间发送和接收共用电信号。

摘要： 在集成电路封装基片上形成的发泡焊料或纳米多孔焊料。该发泡焊料呈现出在冲击负载和动态负载期间抵抗开裂的低模量。该发泡焊料用作焊料凸点，焊料凸点用于在集成电路装置和外部结构之间的连通。

摘要： 本发明公开了一种芯片封装结构、芯片封装模具与芯片封装工艺。该芯片封装结构包括承载器、芯片以及封装胶体。芯片配置于承载器上。封装胶体包覆部分承载器与芯片。封装胶体的顶面上具有引脚顺序指示部与浇口接点，且引脚顺序指示部位于顶面的第一角落，而浇口接点位于第一角落之外的第二角落。此外，本发明另提出形成此芯片封装结构的芯片封装模具与芯片封装工艺。

摘要： 本发明是揭露一种芯片封装卷带及包含该芯片封装卷带的芯片封装结构。该芯片封装结构包含一芯片以及该芯片封装卷带。该芯片具有一第一侧边、第二侧边及第三侧边。该芯片封装卷带包含一具有纵长方向的可挠性基材层，以及一电性连接结构。该电性连接结构包含一第一导线总成，至少局部由该芯片与该可挠性基材层间，通过该第一侧边沿该纵长方向延伸；以及一第二导线总成，至少局部由该芯片与该可挠性基材层间，由邻近该第一侧边处，朝该第一侧边及该第三侧边的至少其中之一延伸，再通过该第二侧边，沿该纵长方向延伸。

摘要： 本发明公开了芯片封装卷带及包含该芯片封装卷带的芯片封装结构，包括主体，主体的外侧设有填充层，主体的顶部设有导热层，导热层的顶部设有散热层，本发明的有益效果是：本发明实用性强，通过设置导热层为硅胶材料制成有利于提高对芯片热量的传导效率，通过填充层为环氧树脂材料制成有利于提高对芯片的定位效率，通过设置散热导线可以更好的对芯片的热量进行传导，通过设置散热层为导热硅脂材料制成，有利于提高对芯片的散热效率，从而提高使用寿命，通过设置屏蔽层为铝硅金属材料制成可以进一步提高封装结构的使用效率，较传统装置极大的提高了作业质量与使用效率，较传统装置极大的提高了作业质量与使用效率。

摘要： 本发明公开了一种芯片超薄封装载板及芯片封装结构和芯片封装方法，该载板为引线框架或基板，载板内形成有用于贴装芯片的基岛，基岛内形成有至少一个镂空区，镂空区边缘形成有半蚀刻区，半蚀刻区与镂空区形成台阶状，半蚀刻区用于填充固化剂一以贴装芯片，基岛形成的镂空区位于芯片在基岛上的正投影内，镂空区未贴装芯片的一侧用于填充固化剂二以粘结芯片，载板的边框形成有导电焊盘，导电焊盘用于与芯片的引出端连接。本发明适用于所有封装类型，能够突破现有芯片厚度极限，通过半蚀刻区贴装超薄芯片，进一步减少封装厚度，采用背面刷胶工艺涂抹固化剂填充镂空区，可避免由于芯片超薄固化剂上翻至芯片正面造成的异常，提高芯片性能，提高良品率。

摘要： 本发明属于电子封装技术领域，公开了一种芯片封装结构、芯片封装装置及芯片封装方法，包括芯片基底和第一连接件；芯片基底一侧上设置用于容置芯片的容置槽，另一侧上依次设置第一绝缘层、RDL布线层以及第二绝缘层；容置槽内设置第一连接件，第一连接件一端用于连接芯片；芯片基底上开设TSV通孔，TSV通孔一端连接第一连接件另一端，另一端穿过第一绝缘层与RDL布线层连接，第二绝缘层上设置第二连接件，第二连接件一端穿过第二绝缘层与RDL布线层连接。该芯片封装结构及芯片封装方法，改变以往的异构芯片间堆叠模式，将传统只能芯片对芯片的堆叠方式，改变成芯片对晶圆的堆叠，以极少代价，实现大规模生产和测试，显著提高生产效率，减少制造成本。

摘要： 本发明涉及嵌入式芯片封装、芯片封装和制备嵌入式芯片封装的方法。提供了一种嵌入式芯片封装。该嵌入式芯片封装包括：多个芯片；嵌入了该多个芯片的包装材料；电连接至该多个芯片的至少一个电再分配层；以及连接至该至少一个电再分配层的共用端子，其中该共用端子提供用于以下操作中的至少一个的接口：在该多个芯片与该共用端子之间发送和接收共用电信号。

摘要： 本发明公开了一种芯片封装结构、芯片封装模具与芯片封装工艺。该芯片封装结构包括承载器、芯片以及封装胶体。芯片配置于承载器上。封装胶体包覆部分承载器与芯片。封装胶体的顶面上具有引脚顺序指示部与浇口接点，且引脚顺序指示部位于顶面的第一角落，而浇口接点位于第一角落之外的第二角落。此外，本发明另提出形成此芯片封装结构的芯片封装模具与芯片封装工艺。

摘要： 在集成电路封装基片上形成的发泡焊料或纳米多孔焊料。该发泡焊料呈现出在冲击负载和动态负载期间抵抗开裂的低模量。该发泡焊料用作焊料凸点，焊料凸点用于在集成电路装置和外部结构之间的连通。