芯片级

摘要： 西门子数字化工业软件近日宣布加入成为英特尔晶圆代工服务(IFS)加速计划中的EDA联盟特许成员。英特尔的IFS计划致力于建立完整的生态系统,基于IFS领先的工艺技术为下一代芯片级系统(SoC)提供设计和制造支持。

摘要： 光通信将迁移到印制电路板上在2月底EIPC举行的技术交流会上,专家预计在未来5~10年内,光通信将迁移到PCB上,并直接迁移到芯片上。超大规模数据中心是一个由至少10万台服务器及其相关技术基础设施组成的庞大环境,数据速率的演变推动了光互连的应用。光互连正在从PCB上的外部光连接器发展到系统级集成,从前端可插拔收发器和板级光学模块发展到芯片级光互连,并以与光学器件共封装为最终目标。往后的光电印制电路板会有光纤柔性平面型、聚合物波导型和平面玻璃波导型三类。

摘要： 曾几何时,蜂螨为患,大批蜂群死亡,给养蜂人造成巨大损失。蜂螨严重阻碍中国养蜂事业的发展,如何杀螨是蜜蜂养殖行业的“芯片级”难题。我国治蜂螨药曾经靠进口,价格昂贵,养蜂人长期被跨国公司“薅羊毛”。早在1997年美国人发明氟胺氰菊酯原药,20世纪80年代由瑞士山德士公司生产并开发出Apistan塑料治螨片,其理想的杀螨特效一时震动养蜂界。

摘要： 1月11日,一加举办“10至名归”新品发布会,正式发布年度旗舰一加10 Pro。作为一加九年10代之作,一加10 Pro搭载全新一代骁龙8移动平台+LPDDR5+UFS3.1+USB3.1顶级性能组合,拥有与摄影界传奇品牌哈苏深度合作推出的哈苏影像2.0和领先行业一代的LTPO2.0屏幕,采用芯片级游戏技术HyperBoost全链路游戏稳帧技术。发布会上,一加手机创始人刘作虎首先分享了一加的产品理念,一加相信做好产品首先不是盲目堆参数,参数只能决定旗舰的下限。

摘要： 报道了一款尺寸大小、引脚定义和主要功能与美国SA.45s芯片级原子钟兼容的低功耗小体积CPT(coherent population trapping)原子钟。研制工作以降低工艺难度,易于工程实现为原则,回避了技术难度较大的MEMS(micro electro mechanical systems)技术和高真空绝热等技术工艺。其物理部分以边长3.5 mm的传统立方形玻璃气室为核心,填充^(87)Rb原子和缓冲气体;电路部分以低功耗STM32单片机为核心。对整机零部件进行体积和功耗的优化并通过软件算法对频率温度特性进行学习和智能补偿,最终产品外形尺寸为4.0 cm×3.5 cm×1.2 cm,重量30 g,稳态功耗0.53 W。样品经中国计量院校准,启动时间2 min 15 s,跟踪外秒24 h稳定性50 ns峰峰值,跟踪外秒1天后断开外秒24 h最大偏差1.4μs,短期频率稳定度7.1×10^(12)/1 s,相位噪声-101 dBc/Hz@10 Hz。主要技术指标达到或接近典型的芯片级原子钟的水平。

摘要： 紫光展锐与摩联科技、泰尔终端实验室、安谋中国等,宣称发布全球首个PSA安全认证的软硬件一体物联网可信数据上链解决方案。解决方案基于紫光展锐全球首个通过PSA安全认证的NB-IoT芯片平台V8811,集成了摩联科技全球首个通过PSA安全认证的区块链应用框架中间件BOAT,以芯片平台+区块链应用框架软硬结合的方式,实现在物联网终端底层无缝部署芯片级可信数据上链能力。

摘要： 芯片级光钟是一种基于热原子中光频跃迁的新型光钟,近年来随着光子集成技术、激光技术和微机电技术的发展,该类光钟可以实现较小的体积和较高的精度,有望广泛应用于对体积、质量、功耗和精度敏感的各种国防装备中.介绍了国内外芯片级光钟技术的进展情况,阐述了芯片级光钟的相关技术,包括基于双光子跃迁的光频标技术、微制造气室技术和微腔光频梳技术等,分析了影响频率稳定度和准确度的主要因素,最后对芯片级光钟面临的机遇和挑战进行了简要的展望.

摘要： 魏国华从零部件到芯片级的维修,总结出了一套进口电气设备的维修绝活,倒逼外国供货商降低姿态、降低价格,在造纸自动化行业赢得了尊严。走进华泰集团电仪以总工程师魏国华名字命名的劳模创新工作室,你会被各式各样的技术革新所吸引。"这个控制器,可以替代控制柜原有的空调,不仅能增强冷却和净化效果,还大大提高了纸品的质量,但价格只有空调的二十分之一,一年直接和间接增收节支上亿元。"魏国华自信地说。

摘要： 深圳先进电子材料国际创新研究院(以下简称“电子材料院”)于2019年正式成立,聚焦集成电路高端电子封装材料。电子材料院由中国科学院深圳先进技术研究院和深圳市宝安区人民政府合作共建、是深圳市十大新型基础研究机构之一。以面向晶圆级、芯片级、系统级封装关键材料技术研发与应用为核心,充分依托粤港澳大湾区良好的研究与产业基础.

摘要： 2021年11月3日,在人民大会堂举行的2020年度国家科学技术奖励大会上,杭州电子科技大学微电子研究中心主任、杭州华澜微电子股份有限公司创始人兼总经理骆建军领衔完成的“固态存储控制器芯片关键技术及产业化”项目,获得国家科学技术进步奖二等奖。这是骆建军带领团队“十年磨一剑”,在固态存储控制器芯片领域持续深耕打造的一片天空,是新一代电脑硬盘、大数据存储系统的芯片级硬科技,给中国数据存储和信息安全带来的一系列“中国芯”。

摘要： EHW是一种具有自组织、自适应、自修复作用的新型智能硬件,利用EHW可以实现太空飞行器星载测控装置硬件芯片级自主修复.本文研究了利用进化硬件(EHW)技术实现电子系统硬件自修复的方法.介绍了EHW的概念、原理,给出了EHW实现集成化电子系统故障自修复的机理.设计了EHW在线进化平台、进化算法和编码方法.通过典型数字逻辑电路在线进化实验,验证了进化修复方法的可行性.

摘要： 针对今年全省CAWS600-B型自动站数据采集器出现各种故障现象进行分析，提出了采集器芯片级维修检测流程以及解决措施。

摘要： 基于NAND闪存的固态盘凭借其体积小、非易失性、访问速度快、可靠性高以及功耗低等诸多优点，能较好缓解I/O性能瓶颈问题，已经逐渐成为研究热点。但是由于写前擦除特性和擦除次数有限从而严重影响SSD的可靠性，在产业界引起不少波动，如何在现有基础上提高固态盘的可靠性成为学术界和产业界关注的研究重点。本文在介绍基于闪存固态盘技术特性的基础上，分析了其内部结构，对从芯片级到系统级的可靠性影响因素进行了着重研究分析，并给出了部分解决方案。

摘要： CPT(Coherent Population Trapping)原子钟代表着原子钟小型化的发展方向,利用CPT现象的特殊性,可以制备体积和能耗都很小的微型化CPT原子钟,是当今国际原子钟相关领域的研究热点,对微型芯片级CPT原子钟从原理到工艺技术上进行了综述,并且对最具有代表性的几类微型CPT原子钟进行了详细介绍。

摘要： 介绍了两种的IC(芯片)级的抗扰度测试方法：Powered-ESD和Langer-EFT。在实际应用中，某IC在系统级EFT(电快速瞬变脉冲群)测试中表现出比系统级ESD(静电放电)差的抗扰性能。在对该IC进行Langer-EFT和Powered-ESD测试，也表现出类似的抗扰性能。然后按照EMI(电磁干扰)的三要素，从三个方面对两种测试方法进行了分析比较。从干扰源方面基本上解释了实际测量中所观察到的现象，并对两种测试方法的耦合路径进行了比较，为IC的ESD、EFT保护电路设计及测量提供了参考。

摘要： 介绍了两种的IC(芯片)级的抗扰度测试方法：Powered-ESD和Langer-EFT。在实际应用中，某IC在系统级EFT(电快速瞬变脉冲群)测试中表现出比系统级ESD(静电放电)差的抗扰性能。在对该IC进行Langer-EFT和Powered-ESD测试，也表现出类似的抗扰性能。然后按照EMI(电磁干扰)的三要素，从三个方面对两种测试方法进行了分析比较。从干扰源方面基本上解释了实际测量中所观察到的现象，并对两种测试方法的耦合路径进行了比较，为IC的ESD、EFT保护电路设计及测量提供了参考。

摘要： 介绍了两种的IC(芯片)级的抗扰度测试方法：Powered-ESD和Langer-EFT。在实际应用中，某IC在系统级EFT(电快速瞬变脉冲群)测试中表现出比系统级ESD(静电放电)差的抗扰性能。在对该IC进行Langer-EFT和Powered-ESD测试，也表现出类似的抗扰性能。然后按照EMI(电磁干扰)的三要素，从三个方面对两种测试方法进行了分析比较。从干扰源方面基本上解释了实际测量中所观察到的现象，并对两种测试方法的耦合路径进行了比较，为IC的ESD、EFT保护电路设计及测量提供了参考。

摘要： 介绍了两种的IC(芯片)级的抗扰度测试方法：Powered-ESD和Langer-EFT。在实际应用中，某IC在系统级EFT(电快速瞬变脉冲群)测试中表现出比系统级ESD(静电放电)差的抗扰性能。在对该IC进行Langer-EFT和Powered-ESD测试，也表现出类似的抗扰性能。然后按照EMI(电磁干扰)的三要素，从三个方面对两种测试方法进行了分析比较。从干扰源方面基本上解释了实际测量中所观察到的现象，并对两种测试方法的耦合路径进行了比较，为IC的ESD、EFT保护电路设计及测量提供了参考。

摘要： 封装的发光器件包括具有上表面和下表面的载体衬底(20)、从衬底(20)上表面延伸到衬底下表面的第一和第二导电通孔(22S、B)以及在衬底上表面与第一导电通孔(22A)电接触的焊盘(24)。具有第一和第二电极的二极管(16)安装在焊盘上，第一电极(26)与焊盘(24)电接触。在二极管(16)上形成钝化层(32)，暴露二极管(16)的第二电极。在载体衬底的上表面上形成导电迹线(33)，与第二导电通孔(22B)和第二电极电接触。导电迹线在钝化层上并延伸过钝化层，以接触第二电极。封装发光器件的方法包括提供包括生长衬底和生长衬底上外延结构的外延片，将载体衬底焊接到外延片的外延结构，形成通过载体衬底的多个导电通孔，在外延结构中限定多个隔离的二极管，以及将至少一个导电通孔电连接到多个隔离的二极管中相应的二极管。

摘要： 本申请提供了一种芯片级封装方法，所述芯片级封装方法包括：提供胶层；提供膜层，所述膜层设置于所述胶层的一侧；对所述胶层进行多段切割，并取出所述胶层的至少部分，以形成多个间隔设置的胶块；提供光学元件，将所述光学元件设置于所述多个胶块背离所述膜层的一侧；及对所述光学元件、所述多个胶块及所述膜层进行切割，以得到单个光学支撑结构。相对于传统的光学芯片封装流程，本申请提供的所述芯片级封装方法步骤较更加简洁，且由所述多个胶块支撑所述光学元件，所述胶块具有更好的缓冲作用，使得所述感光芯片及所述光学元件不易损坏。本申请提供了一种芯片级封装结构及光电装置。

摘要： 本发明公开了一种芯片级封装LED及成型方法。芯片级封装LED包括倒装晶片，在倒装晶片的侧面和顶面封装有封装胶；倒装晶片包括倒装晶片本体和电极，在电极上设有延伸电极，延伸电极的面积大于电极的面积，在倒装晶片本体的下方设有白胶层。芯片级封装LED成型方法包括：让封装胶包裹在多个倒装晶片上；提供第二载台，在第二载台上铺设第二隔离膜；固定半成品；在倒装晶片涂光刻胶，在光刻胶盖掩膜版；曝光；显影；蒸镀；清洗；涂白胶；切割；分离。本发明组装方便、可靠，提高了电连接的可靠性，有效的防止了锡膏上爬，防止出现短路的现象，提高了反射率，从而提高出光率，简化了成型工艺。

摘要： 本申请提供了一种芯片级封装方法，所述芯片级封装方法包括：提供胶层；提供膜层，所述膜层设置于所述胶层的一侧；对所述胶层进行多段切割，并取出所述胶层的至少部分，以形成多个间隔设置的胶块；提供光学元件，将所述光学元件设置于所述多个胶块背离所述膜层的一侧；及对所述光学元件、所述多个胶块及所述膜层进行切割，以得到单个光学支撑结构。相对于传统的光学芯片封装流程，本申请提供的所述芯片级封装方法步骤较更加简洁，且由所述多个胶块支撑所述光学元件，所述胶块具有更好的缓冲作用，使得所述感光芯片及所述光学元件不易损坏。本申请提供了一种芯片级封装结构及光电装置。

摘要： 所述芯片级封装结构包括：基板、第一阶层、感光芯片、第二阶层及光学元件，所述基板的一侧围设有所述第一阶层，所述第一阶层具有容置空间，所述感光芯片设置于所述基板的一侧，且位于所述容置空间内，所述第二阶层围设于所述第一阶层背离所述基板的一侧，所述光学元件设置于所述第二阶层。所述感光芯片设置于所述容置空间内，提高了所述芯片级封装结构的空间利用率，节约了制造成本。同时，所述第二阶层用于承载或支撑所述光学元件，且形成了通孔。光线可经由所述光学元件及通孔入射至所述感光芯片，使得所述感光芯片正常工作。本申请还提供了一种光电装置及芯片级封装方法。

摘要： 本发明公开了一种芯片级封装LED及成型方法。芯片级封装LED包括倒装晶片，在倒装晶片的侧面和顶面封装有封装胶；倒装晶片包括倒装晶片本体和电极，在电极上设有延伸电极，延伸电极的面积大于电极的面积，在倒装晶片本体的下方设有白胶层。芯片级封装LED成型方法包括：让封装胶包裹在多个倒装晶片上；提供第二载台，在第二载台上铺设第二隔离膜；固定半成品；在倒装晶片涂光刻胶，在光刻胶盖掩膜版；曝光；显影；蒸镀；清洗；涂白胶；切割；分离。本发明组装方便、可靠，提高了电连接的可靠性，有效的防止了锡膏上爬，防止出现短路的现象，提高了反射率，从而提高出光率，简化了成型工艺。

摘要： 本发明涉及半导体领域，公开了一种堆叠装配封装结构及芯片、芯片级封装芯片、电子设备。本发明中，堆叠装配封装结构包含：第一芯片以及第二芯片；第一芯片的基板底面的接点位置设有导电插件；第二芯片设有用于插入导电插件的插件连接部；第一芯片与第二芯片通过导电插件与插件连接部进行电性连接。通过这种方式，从而可以将第一芯片插设在第二芯片上，以实现两者之间的电性连接，使得芯片在堆叠装配封装时的组装较为方便，且易于维修时的拆装，并且与现有技术相比，去除掉了回流焊的过程，即简化了芯片堆叠装配封装的生产操作步骤。

摘要： 本发明提供了一种针对芯片级的测试验证系统，包括：上位机，发出测试指令、全局测试位流和指定测试位流；第一数据处理模块，接收全局测试位流，传输至存储模块；存储模块，存储第一数据处理模块输出的全局测试位流；测试控制模块，接收指定测试位流，控制第一数据处理模块读取与指定测试位流对应的配置信息对被测芯片进行配置；比对模块，接收测试控制模块读取的与指定测试位流对应的激励信息对被测芯片进行配置；采样被测芯片输出数据，与指定测试位流对应的激励信息中的期望数据对比，存储对比结果不一致的采样数据和采样时间。所述系统使从初产阶段进入量产阶段时测试成本最大化降低。本发明还提供了一种芯片检测的方法，也可实现上述效果。

摘要： 本实用新型整板的芯片级LED光源和芯片级LED光源单体。具体而言，公开了一种整板的芯片级LED光源，包括基板(5)；固定在所述基板(5)一面上的多个倒装芯片(1)；覆盖在各自倒装芯片(1)上的透明膜(2)；布置在所述透明膜(2)的上表面和/或四周施涂的荧光粉(3)；和涂覆在所述荧光粉(3)的上表面和各自倒装芯片(1)四周的封装胶(4)。可将固化后的基板(5)取出，对照基板(1)上表面的切割标示线(7)使用切割工艺分离，可得到芯片级LED光源单体。本实用新型提供了一种可实现高落bin率和稳定性强的芯片级LED光源。

摘要： 本实用新型涉及一种芯片级LED封装支架、LED拼板、芯片级LED封装体及LED板，芯片级LED封装体包括芯片级LED封装支架、LED芯片及覆盖在该支架与LED芯片上的保护胶，芯片级LED封装支架包括基底、金属电极及其延伸出的金属引脚，金属电极包括：第一电极、第二电极、第三电极、第四电极、第五电极，第一电极与其余金属电极分别有间距的相邻排布在基底上，第一电极与其余金属电极连接相反极性的电源，连接方式为一正四负或一负四正，设置多个金属电极的结构，实现多芯片的连接；在封装作业上，可根据芯片不同类型的需求，改变固晶和焊线的方式完成，支架通用性强；LED拼板由多个芯片级LED封装支架拼接而成；LED板由多个芯片级LED封装体拼接而成。