半导体芯片

摘要： 近年来,汽车逐渐走进了越来越多的家庭,并成为重要的日常交通工具。随之而来的是,一批本土汽车企业在市场发展的浪潮下愈发壮大。诸多业内人士期待着本土汽车企业能像当年的家电领域一样,后发制人,最终引领市场。而这其中,汽车芯片是一个关键因素。但在疫情影响下,全球半导体芯片供应出现短缺潮,并波及汽车产业,众多国际汽车企业被迫削减产量;而中国包括汽车在内的诸多产业“苦芯片已久”。长期以来中国汽车产业遭遇的“缺芯少魂”之痛,让许多企业不得不面对关键技术卡脖子的痛苦。

摘要： 如今我们的生活已经离不开数字产品,而半导体芯片是其基本组成部件,从智能手机和计算机,到家用电器、救生医疗设备、通信、能源、工业自动化等,芯片无处不在。根据欧盟委员会(European Commission)官方发布的数据,2020年全世界制造了超过1万亿颗微芯片,相当于地球上每个人大约拥有130颗。随着全球范围内芯片供应呈现紧张趋势,芯片价格水涨船高,用于消费电子产品甚至关键救生设备的芯片需要更长的时间才能交付,部分欧盟国家的汽车产量下降了1/3。这进一步凸显了在复杂的地缘政治背景下,全球范围内对半导体价值链中极少数参与者的高度依赖。当然,这同时也说明了半导体对整个欧洲工业和社会的重要性。

摘要： 应用在功率模块以及高速处理器等器件上的半导体芯片具有功率密度高和芯片尺寸大等特点,对封装的散热和热应力释放都有很高的要求。两个元件之间的热膨胀系数(CTE)不匹配产生的热应力会危及相对薄弱的节点,导致芯片翘曲甚至开裂。由于热应力随着芯片工作温度和尺寸的增加而变大,对于大尺寸和大功率半导体芯片封装,热应力的威胁比传统封装严重得多。这使得开发能释放热应力、具有高热导率以及稳定连接界面的热界面(TIM)成为巨大的挑战。

摘要： 据《山东新闻联播》2月21日报道,前不久,在济南比亚迪半导体有限公司,山东首个8英寸车规级功率半导体芯片项目通线投产,计划年产芯片36万片。根据报道,济南比亚迪半导体有限公司副总经理李海涛介绍称,项目建成以后将大大缓解新能源汽车高功率芯片紧缺的状况。公司在今年1月份投入生产,预计在未来的一年左右达到全部的设计产能。报道指出,在集成电路产业链上,济南有70多家企业,但大部分集中在四大环节中的材料、设计、封测三大环节上。济南市工业和信息化局局长汲佩德表示,比亚迪8英寸车规级功率半导体芯片项目补齐了济南集成电路产业链的整个链条。

摘要： 俄乌冲突、制裁与反制裁如果长期持续,都会不可避免地既伤害俄罗斯,又伤害美国、其他西方国家和新兴市场。俄乌冲突一个多月来,所引发的多米诺骨牌效应触发世界股市、汇市、原油、粮食、期货市场等剧烈动荡。美欧迅速宣布的对俄罗斯的“毁灭性制裁”,给俄罗斯经济、世界金融市场、能源、粮食、半导体芯片、汽车等供应链带来重大冲击。

摘要： 半导体工业是21世纪人类科技领域的皇冠,半导体芯片作为皇冠上的明珠,由数十亿个存储、移动和处理数据的晶体管组成,是信息化产品的核心部件,关乎国计民生各领域的关键应用和基础设施,已然成为各国重要的战略资源。半导体几乎可以支持所有工业活动,是人工智能、云计算、5G、物联网(IoT)、大规模数据处理、分析和超级计算等新兴技术的基础,支撑国家的技术竞争力和信息能力。

摘要： 随着机器人、人工智能的升温,工业4.0成为工业自动化领域最受关注的话题,赋予了工业更高的要求,驱动了工业自动化的数字化变革,为工业自动化和工业制造带来新机遇。2021年,面对新冠疫情、半导体芯片短缺等复杂严峻的环境和诸多风险挑战,虹科电子工业通讯互联技术——CAN接口卡、总线协议转换模块(网关)、总线协议板卡。

摘要： 近日,深交所正式受理了黄山芯微电子股份有限公司(简称“芯微电子”)的创业板上市申请。资料显示,芯微电子是一家专注功率半导体芯片、器件及材料研发、生产和销售的高新技术企业,产品以晶闸管为主,同时涵盖MOSFET、整流二极管和肖特基二极管及上游材料(抛光片、外延片、铜金属化陶瓷片)。公司产品广泛应用于工业控制、消费电子、电力传输等领域。

摘要： 半导体芯片作为电路元件的重要组成部分,与现有先进的半导体工艺技术之间保持着良好的兼容性。在进行版图设计期间,需要借助CAD系统软件(又被称为“计算机辅助设计软件”),完成对半导体芯片版图的科学设计,为了实现这一目标,现将CAD系统软件与半导体芯片设计进行充分结合。根据系统功能设计情况,完成对CAD子系统的科学设计;从参数化绘图、参数化标准件库的建立两个方面入手,完成对参数化标准件库的科学开发。将CAD系统软件应用于半导体芯片设计中,便于半导体芯片内部复杂结构借助标准件库的形式,实现安全存储和管理,提高产品设计的方便性和快捷性,降低设计成本。

摘要： 溅射靶材是半导体芯片的配线材料。采用5NAl和TU1-Cu分别作为溅射靶材的复层和基层材料,通过爆炸复合法实现焊接结合,通过渗透和探伤检测有无爆炸缺陷,金相分析爆炸前后的组织变化,硬度分析爆炸前后的硬度变化,粘结强度分析结合质量。结果表明,爆炸焊接后除起爆点外,结合质量良好。5NAl板材作为复层,爆炸焊接后边缘部位减薄严重;爆炸焊接后5NAl板材与TU1-Cu板材之间存在明显的爆炸波纹,爆炸焊接前后组织无明显变化;爆炸焊接后5NAl板材与TU1-Cu板材离界面较近的母材硬度较大,随着距离的增大,硬度趋于原始态的硬度;爆炸焊接后结合强度大于70 MPa。爆炸焊接法制备的溅射靶材可以满足后续加工及使用要求。

摘要： 厦门市三安集成电路有限公司位于厦门市火炬(翔安）高新技术开发区内,项目总规划用地281亩,总投资30亿元,本项目为福建省2014-2018重大工业项目、厦门市2015年重点项目,属于国家扶持的战略性新兴产业,新建砷化镓和氮化镓外延片生产线,以及适用于专业通讯微电子器件市场的砷化镓高速半导体芯片与氮化镓高功率半导体芯片生产线.

摘要： 半导体芯片制造中至少有三分之一的过程与等离子体有关,而等离子体刻蚀是其中必不可少的工艺之一.Hybrid model计算时间段，速度快Hybrid model能够尽可能全面的考虑化学反应动力学，并且给出IEDF，能够正确给出偏压ICP放电的等离子体密度和离子能量变化的趋势，与实验测量基本吻合，可扩展为复杂的工业气体如SF6、C4F8等，加入刻蚀槽模型可模拟实际工艺过程.

摘要： 本文对半导体芯片技术的不同技术阶段和发展趋势进行了梳理,总结分析了钽阻挡层制备材料——钽靶材的技术现状和发展趋势;指出了在由8英寸晶圆用的8英寸钽靶材发展到目前最先进的12英寸晶圆用的12英寸钽靶材时,其织构要求发生的变化和织构控制的难点;CNMNC采用SPD和WR塑性变形技术,进行织构控制,攻克了这一难题,得到了满足12英寸晶圆用的12英寸钽靶材,并对CNMNC钽靶材织构的测量体系进行了介绍;最后对未来半导体芯片技术发展进行了介绍,并对钽靶材的市场前景进行了展望.

摘要： 本文介绍了水表硬件功能，水表软件功能，水表Demo实测功耗，水表Demo后续新增功能，探讨了半导体MCU芯片在智能水表中的使用。

摘要： 本文介绍了水表硬件功能，水表软件功能，水表Demo实测功耗，水表Demo后续新增功能，探讨了半导体MCU芯片在智能水表中的使用。

摘要： 本文介绍了水表硬件功能，水表软件功能，水表Demo实测功耗，水表Demo后续新增功能，探讨了半导体MCU芯片在智能水表中的使用。

摘要： 集顺半导体是一家工艺能力最高为0.35um 6英寸的集成电路晶圆加工高科技企业，其主要产品为半导体集成电路芯片及分立器件，生产设备来自于日本SONYNP3工厂，年产能为60万片6英寸晶圆。

摘要： 集顺半导体是一家工艺能力最高为0.35um 6英寸的集成电路晶圆加工高科技企业，其主要产品为半导体集成电路芯片及分立器件，生产设备来自于日本SONYNP3工厂，年产能为60万片6英寸晶圆。

摘要： 集顺半导体是一家工艺能力最高为0.35um 6英寸的集成电路晶圆加工高科技企业，其主要产品为半导体集成电路芯片及分立器件，生产设备来自于日本SONYNP3工厂，年产能为60万片6英寸晶圆。

摘要： 集顺半导体是一家工艺能力最高为0.35um 6英寸的集成电路晶圆加工高科技企业，其主要产品为半导体集成电路芯片及分立器件，生产设备来自于日本SONYNP3工厂，年产能为60万片6英寸晶圆。

摘要： 本发明涉及倒装芯片型半导体背面用膜、半导体背面用切割带集成膜、半导体器件的生产方法和倒装芯片型半导体器件。本发明提供一种倒装芯片型半导体背面用膜，其形成于倒装芯片连接至被粘物的半导体元件的背面上，该倒装芯片型半导体背面用膜包含基于倒装芯片型半导体背面用膜的总量在70重量％-95重量％范围内的无机填料。

摘要： 本发明涉及倒装芯片型半导体背面用薄膜、切割带一体型半导体背面用薄膜、倒装芯片型半导体背面用薄膜的制造方法以及半导体装置。本发明的课题在于可以在倒装芯片式连接到被粘物上的半导体元件的背面设置电磁波屏蔽层，并且可以在不降低生产率的情况下制造具有该电磁波屏蔽层的半导体装置。一种倒装芯片型半导体背面用薄膜，用于在倒装芯片式连接到被粘物上的半导体元件的背面上形成，其具有胶粘剂层和电磁波屏蔽层。

摘要： 本发明涉及倒装芯片型半导体背面用膜、半导体背面用切割带集成膜、半导体器件的生产方法和倒装芯片型半导体器件。本发明涉及一种倒装芯片型半导体背面用膜，其要形成于倒装芯片连接至被粘物的半导体元件背面上，所述膜在波长532nm或1064nm处的透光率为20％以下，并在激光标识后，该膜标识部分与除标识部分外的其它部分的对比度为20％以上。

摘要： 公开的倒装芯片型半导体背面用膜要形成于已倒装芯片连接至物体的半导体元件的背面上，其中所述倒装芯片型半导体背面用膜由于热固化而引起的收缩量为该膜热固化前总体积的2体积%至30体积%。因为公开的倒装芯片型半导体背面用膜要形成于已倒装芯片连接至物体的半导体元件的背面上，因此该膜用于保护半导体元件。另外，因为倒装芯片型半导体背面用膜由于热固化而引起的收缩量大于或等于该膜热固化前的总体积的2体积%，因此该膜在将半导体元件倒装芯片连接至物体时能够有效地抑制或防止半导体元件翘曲。

摘要： 提供了一种倒装芯片型半导体发光器件以及用于所述倒装芯片型半导体发光器件的印刷电路板，所述倒装芯片型半导体发光器件具有电极面积相似的正电极和负电极，并在制造发光二极管灯时能够利用自对准效果来防止所述发光器件的错位。此外，采用倒装芯片型半导体发光器件1，其具有形成在半导体层的透明衬底侧的对侧上的负电极衬垫和正电极衬垫，其中以彼此相同的形状形成每一个所述电极衬垫，并且用于所述发光器件的印刷电路板具有以彼此相同的形状形成的成对的电极图形。此外，在每一个所述电极衬垫中包括焊接膜。

摘要： 公开的倒装芯片型半导体背面用膜要形成于已倒装芯片连接至物体的半导体元件的背面上，其中所述倒装芯片型半导体背面用膜由于热固化而引起的收缩量为该膜热固化前总体积的2体积%至30体积%。因为公开的倒装芯片型半导体背面用膜要形成于已倒装芯片连接至物体的半导体元件的背面上，因此该膜用于保护半导体元件。另外，因为倒装芯片型半导体背面用膜由于热固化而引起的收缩量大于或等于该膜热固化前的总体积的2体积%，因此该膜在将半导体元件倒装芯片连接至物体时能够有效地抑制或防止半导体元件翘曲。

摘要： 本发明涉及倒装芯片型半导体背面用膜、半导体背面用切割带集成膜、半导体器件的生产方法和倒装芯片型半导体器件。本发明提供一种倒装芯片型半导体背面用膜，其形成于倒装芯片连接至被粘物的半导体元件的背面上，该倒装芯片型半导体背面用膜包含基于倒装芯片型半导体背面用膜的总量在70重量％-95重量％范围内的无机填料。

摘要： 本发明公开了一种光电子半导体芯片，包括：半导体本体(1)，其包括半导体层序列，该半导体层序列适于从其正面(2)发射第一波长范围的电磁辐射；在半导体本体(1)的正面(2)的至少一个第一部分区域(5)上的、带有第一波长转换材料(7)的第一波长转换层(6)，该第一波长转换材料将第一波长范围的辐射转换为与第一波长范围不同的第二波长范围的辐射，其中正面(2)的至少一个第二部分区域(8)没有第一波长转换层(6)。此外还描述了一种具有这样的半导体本体的光电子器件以及一种用于制造半导体芯片的方法。

摘要： 本发明的目的在于提供可控制圆角形状不成为凸状且可制造可靠性高的半导体装置的半导体芯片接合用粘接材料。本发明为一种半导体芯片接合用粘接材料，其中，用粘弹性测定装置测得的25°C剪切弹性模量Gr为1×10

摘要： 本发明公开了一种光电子半导体芯片，包括：半导体本体(1)，其包括半导体层序列，该半导体层序列适于从其正面(2)发射第一波长范围的电磁辐射；在半导体本体(1)的正面(2)的至少一个第一部分区域(5)上的、带有第一波长转换材料(7)的第一波长转换层(6)，该第一波长转换材料将第一波长范围的辐射转换为与第一波长范围不同的第二波长范围的辐射，其中正面(2)的至少一个第二部分区域(8)没有第一波长转换层(6)。此外还描述了一种具有这样的半导体本体的光电子器件以及一种用于制造半导体芯片的方法。