混合集成

摘要： 针对气象监测辐射计的应用,文章提出了基于肖特基平面二极管混合集成的W波段89 GHz二次谐波混频器。以毫米波混频技术基本理论为基础,根据对二极管的三维仿真精确建模赋予其材料特性,并结合场路联合仿真研制了结构精巧的W波段的89 GHz二次谐波混频器。仿真与测试结果表明,本振信号频率固定在45 GHz,射频信号频率在84~94 GHz时,变频损耗优于14 dB,最低为9 dB,其实测结果与仿真趋势相对吻合,有良好的工程应用前景,同时有效证明了建模方法的正确性。

摘要： 本文就制约星载有源多波束相控阵天线工程化应用的有源相控阵多波束收发隔离问题提出了增加扼流结构改善收发隔离度的方法,对多波束射频通道高密度集成技术提出了多通道芯片与化合物芯片的混合集成的方式,对星载高效热控问题提出了主辅散热面相结合、预埋槽道热管的方式,各项技术均经过了仿真验证和工程应用,相关方法可显著提升星载多波束相控阵天线的电气性能和环境适应性,实现天线系统的小型化、高集成度设计。

摘要： 概念漂移处理大多采用集成学习策略,然而这些方法多数不能及时提取漂移发生后新分布数据的关键信息,导致模型性能较差。针对这个问题,本文提出一种基于串行交叉混合集成的概念漂移检测及收敛方法(Concept drift detection and convergence method based on hybrid ensemble of serial and cross,SC_ensemble)。在流数据处于平稳状态下,该方法通过构建串行基分类器进行集成,以提取代表数据整体分布的有效信息。概念漂移发生后,在漂移节点附近构建并行的交叉基分类器进行集成,提取代表最新分布数据的局部有效信息。通过串行基分类器和交叉基分类器的混合集成,该方法兼顾了流数据包含的整体分布信息,又强化了概念漂移发生时的重要局部信息,使集成模型中包含了较多“好而不同”的基学习器,实现了漂移发生后学习模型的高效融合。实验结果表明,该方法可使在线学习模型在漂移发生后快速收敛,提高了模型的泛化性能。

摘要： 集成光子芯片是将激光光源、低损耗波导、调制器、探测器等多类光电器件结合在一起,实现功能化集成,在高速光通讯、量子信息处理、光学传感等领域有具有重要的应用。然而由于不同的光电器件基于不同材料体系,实现多材料体系的光电器件集成极其困难。传统的异质集成和单片集成方法难以同时解决定位精度不足、低拓展性、高损耗、低带宽等一系列问题。基于飞秒激光的双光子聚合技术具有高精度和高穿透的优势,可以实现多材料体系的片上微纳光学元件增材制造,具有极高的加工自由度。本文对片上光学元件的激光增材制造这一领域进行综述,探讨了光子引线键合和微空间光路元件两种技术路径,总结了现有技术的发展现状,并对未来的发展前景进行了展望。

摘要： 应用于光通信行业的硅光技术,因其高集成、规模化、低成本等优势,近年来发展十分迅速。然而,由于硅材料本身不能发光,如何将光导入硅芯片始终是一大难题。目前较为高效且可行的方案是Ⅲ-Ⅴ族器件与硅光芯片的混合集成技术。本文介绍一种将Ⅲ-Ⅴ族激光器与硅芯片混合集成的倒装焊技术,除了解决光芯片之间光的低损耗耦合之外,通过高精度倒装焊实现了Ⅲ-Ⅴ族激光器与硅芯片的亚微米无源邦定。该技术具有工艺简单、精度优良、适合量产的特点,为混合集成技术的商业化打下坚实基础。

摘要： 随着光通信技术的快速发展,光纤传输的容量呈几何式增长,对密集波分复用(DWDM)网络系统的管理和调度灵活性要求也在不断提高.波长可调模块可以满足网络管理灵活的要求,在波分复用(WDM)系统和5 G网络中将会有广泛应用.而作为模块内的核心元件,可调激光器的研究就显得尤为重要.文章介绍了一种可调激光器和硅光调制器芯片混合集成封装技术,利用一种胶合标准具的设计进行波长控制,节省了半导体制冷器,减小了封装尺寸.其制作的可调激光器件能满足ITU-96通道的波长输出,且满足100 G BASE-LR4国际标准的工作眼图要求.

摘要： 本文围绕高分辨率对地微波成像雷达对天线高效率、低剖面和轻量化的迫切需求,分析研究了有源阵列天线的特点、现状、趋势和瓶颈技术,针对对集成电路后摩尔时代的发展预测,提出了天线阵列微系统概念、内涵和若干前沿科学技术问题,分析讨论了天线阵列微系统所涉及的微纳尺度下多物理场耦合模型、微波半导体集成电路、混合异构集成、封装及功能材料等关键技术及其解决途径,并对天线阵列微系统在下一代微波成像雷达中的应用进行了展望.

摘要： 本文基于光学薄膜的偏振效应和多光束干涉效应设计了由多层二氧化钛(TiO2)-二氧化硅(SiO2)薄膜结构组成的偏振分束片,提出了在聚合物光波导中混合集成的方案,并采用FDTD数值法优化了方案中的结构设计.同时本文还对此混合集成偏振分束器进行了实验表征,在C波段上得到器件插入损耗低于2.5dB,而获得的偏振消光比大于25dB.这样混合集成的偏振分束器不仅可用于现有的偏振控制光学系统中,而且充分发挥了薄膜偏振分束片的优势,可为实现小型化、高度集成的偏振分束器提供新方案和更多的自由度.

摘要： 随着微处理器向小型化、高性能、低功耗方向发展,对产品设计和组装工艺提出了更高要求,目前微处理器主流集成工艺为系统级芯片(SOC)、系统级封装(SIP)、混合集成技术(HIC)、表面贴装技术(SMT)等.本文主要是以混合集成技术为例,封装设计为上下两腔体结构,结合成熟的微组装工艺,从而提高产品组装密度,满足军用高可靠领域对微处理器小型化、轻量化、高集成度的需求.

摘要： DC/DC变换器在现代航天系统的应用中是随处可见的.本文阐述了应用于航天领域的能满足所有控制和逻辑标准功能的厚膜混合集成DC/DC变换器,该变换器对于航天应用来说,在尺寸、重量、性能和成本上具有独特的优势.rn 本文主要从航天对DC/DC变换器的应用需求,工艺制造等方面,详细论述了新一代混合集成DC/DC变换器所具有的优越性.

摘要： 本文详细介绍了摆锤式加速度计及其所用的高精度激励放大器电路的工作原理,混合集成设计的难点和关键技术。

摘要： 毫米波射频前端位于天线和频综接收机之间，通常情况下用它来完成对收发信号的变频和放大。对于雷达通信等电子设备来说，射频前端至关重要，其指标直接决定了整机的性能。通过实例,详细介绍了一种采用混合集成技术的、结构紧凑的Ka波段射频前端的设计实现.着重从无源结构设计和电源电路设计两个方面进行介绍，并且通过实例验证得到了良好的测试结果。

摘要： 本文介绍了一种利用混合集成技术设计并制作的U波段双通道输出微带四倍频器,专门设计用于为混频器提供毫米波本振信号.该双通道四倍频器的设计中不仅包括对倍频器、放大器等有源器件的设计而且还有对功分器、带通滤波器等无源器件的设计.测试结果显示当输入信号功率为8dBm时,该倍频器的两路输出功率均大于14dBm,变频增益大于6dB,谐波抑制大于45dBc,符合系统使用的标准.

摘要： 本文介绍了幅相一致混合集成微波前端的设计方法,并具体设计了一种微波前端,测试结果表明,在工作频带内,增益大于35dB,幅度一致性小于±1.5dB,相位一致性小于±10°,输入输出驻波比小于2.

摘要： S波段管壳封装放大器采用微带陶瓷混合集成工艺,由三级GaAsFET管芯自偏电路构成.此放大器的特点是,性能稳定,频带宽,增益高而功率稳定度好.放大器单电源+9V供电,在2.7～3.5GHz范围内,实现了30dB增益,输出功率33dBm,功率波动小于±0.2dB,相位一致性±8°.放大器集成于金属陶瓷管壳内,输入输出微带端口与系统50Ω相匹配,驻波系数小于1.5,结构尺寸小于25.5mm×14.5mm×5.5mm.文中给出了放大器的设计方法、制作过程和测试结果.

摘要： 本文从厚膜混合集成电路生产线应用统计过程控制(SPC)技术的需求、意义、实施方案等入手,结合厚膜混合集成电路的工艺特点,给出厚膜混合集成电路印刷工序应用SPC技术的方法.

摘要： 开关电源的质量等级越来越高,需要通过的可靠性试验越来越严格.作者在研制一种高可靠性和高功率密度的多路输出混合开关电源的过程中,遇到了意想不到的电磁干扰问题.通过一系列的努力,作者解决了遇到的电磁干扰问题,最终电源产品也得到了用户的认可.该电源研制过程中采取的解决问题的措施及办法,具有一定的借鉴意义.

摘要： 本发明公开了三维集成功率薄膜混合集成电路的集成方法，该方法采用凸型陶瓷基片代替平面型陶瓷基片，在凸型陶瓷基片水平面及凸起部分两侧面同时进行芯片和片式元器件的集成；采用分层整体化学镀和电镀方法形成镍-铬-金薄膜，再采用光刻、选择性腐蚀方法，按产品设计的图形形成所需的导带薄膜或阻带薄膜；采用激光调阻后，得到所需的薄膜基片；两侧面之间通过通孔、金属化填充进行连接；采用共晶焊接或浆料粘接方式将基片装贴在管基底座上，最后采用薄膜混合集成的方式，在凸型陶瓷基片上集成一个以上半导体芯片或其他片式元器件，并完成半导体芯片的引线键合。本方法生产的器件应用领域广泛，特别适用于装备系统小型化、高可靠的领域。

摘要： 本发明公开了一种高集成度功率厚膜混合集成电路的集成方法，该方法采用底座有垂直凸起金属薄片的凸形管基代替传统的平面型管基，在凸形管基的水平面及凸起部分的两侧面同时集成芯片或片式元器件，两侧面之间通过具有金属导体与底座绝缘的通孔进行电气连接；先在陶瓷基片上采用丝网印刷方式，印刷所需的导体浆料或电阻浆料，经高温烧结和激光调阻后，得到水平贴装基片及垂直贴装基片；再用共晶焊接或浆料粘接的方式将基片装贴在凸形管基底座的水平面及垂直面上；最后用厚膜混合集成方式，在基片上集成一个以上半导体芯片或片式元器件，并完成半导体芯片的引线键合。本方法生产的器件应用领域广泛，特别适用于装备系统小型化、高可靠的领域。

摘要： 本发明公开了三维集成功率厚膜混合集成电路的集成方法，该方法采用凸型陶瓷基片代替传统的平面型陶瓷基片，在凸型陶瓷基片底表面及凸起部分两侧面同时进行芯片或片式元器件的集成；采用丝网印刷或描绘的方式，将导带或阻带浆料按产品设计的图形印刷或描绘在凸型陶瓷基片上，经高温烧结和激光调阻后，得到所需基片，两侧面之间通过通孔、金属化填充进行连接；再用共晶焊接或浆料粘接的方式将基片装贴在管基底座上；最后用厚膜混合集成方式，在凸型陶瓷基片上集成一个以上半导体芯片或片式元器件，并完成半导体芯片的引线键合。本方法提升了功率混合集成电路最大使用功率，生产的器件应用领域广泛，特别适用于装备系统小型化、高可靠的领域。

摘要： 本发明公开了一种高集成度功率薄膜混合集成电路的集成方法，该方法采用在凸形管基的凸形底座的水平面及凸起部分的两侧面同时集成芯片和片式元器件，并通过通孔进行电气连接；先在陶瓷基片上采用溅射或蒸发的方式形成一层镍-铬合金电阻薄膜；接着用同样的方式形成一层金属薄膜；然后，对电阻薄膜、金属薄膜进行光刻和选择性腐蚀，得到所需的薄膜图形；经激光调阻和划片分离后，即得到水平贴装基片及垂直贴装基片；再将基片装贴在凸形管基底座的水平面及垂直面上，最后用薄膜混合集成方式在基片上集成一个以上半导体芯片或片式元器件，并完成半导体芯片的引线键合。本方法生产的器件应用领域广泛，特别适用于装备系统小型化、高可靠的领域。

摘要： 本发明公开了三维集成功率薄膜混合集成电路的集成方法，该方法采用凸型陶瓷基片代替平面型陶瓷基片，在凸型陶瓷基片水平面及凸起部分两侧面同时进行芯片和片式元器件的集成；采用分层整体化学镀和电镀方法形成镍-铬-金薄膜，再采用光刻、选择性腐蚀方法，按产品设计的图形形成所需的导带薄膜或阻带薄膜；采用激光调阻后，得到所需的薄膜基片；两侧面之间通过通孔、金属化填充进行连接；采用共晶焊接或浆料粘接方式将基片装贴在管基底座上，最后采用薄膜混合集成的方式，在凸型陶瓷基片上集成一个以上半导体芯片或其他片式元器件，并完成半导体芯片的引线键合。本方法生产的器件应用领域广泛，特别适用于装备系统小型化、高可靠的领域。

摘要： 本发明公开了三维集成功率厚膜混合集成电路的集成方法，该方法采用凸型陶瓷基片代替传统的平面型陶瓷基片，在凸型陶瓷基片水平面及凸起部分两侧面同时进行芯片和片式元器件的集成；采用丝网印刷或描绘的方式，将导带或阻带浆料按产品设计的图形印刷或描绘在凸型陶瓷基片上，经高温烧结和激光调阻后，得到所需基片，两侧面之间通过通孔、金属化填充进行连接；再用共晶焊接或浆料粘接的方式将基片装贴在管基底座上；最后用厚膜混合集成方式，在凸型陶瓷基片上集成一个以上半导体芯片或其他片式元器件，并完成半导体芯片的引线键合。本方法提升了功率混合集成电路最大使用功率，生产的器件应用领域广泛，特别适用于装备系统小型化、高可靠的领域。

摘要： 本发明公开了一种高集成度功率厚膜混合集成电路的集成方法，该方法采用底座有垂直凸起金属薄片的凸形管基代替传统的平面型管基，在凸形管基的水平面及凸起部分的两侧面同时集成芯片或片式元器件，两侧面之间通过具有金属导体与底座绝缘的通孔进行电气连接；先在陶瓷基片上采用丝网印刷方式，印刷所需的导体浆料或电阻浆料，经高温烧结和激光调阻后，得到水平贴装基片及垂直贴装基片；再用共晶焊接或浆料粘接的方式将基片装贴在凸形管基底座的水平面及垂直面上；最后用厚膜混合集成方式，在基片上集成一个以上半导体芯片或片式元器件，并完成半导体芯片的引线键合。本方法生产的器件应用领域广泛，特别适用于装备系统小型化、高可靠的领域。

摘要： 本发明公开了一种高集成度功率薄膜混合集成电路的集成方法，该方法采用在凸形管基的凸形底座的水平面及凸起部分的两侧面同时集成芯片和片式元器件，并通过通孔进行电气连接；先在陶瓷基片上采用溅射或蒸发的方式形成一层镍-铬合金电阻薄膜；接着用同样的方式形成一层金属薄膜；然后，对电阻薄膜、金属薄膜进行光刻和选择性腐蚀，得到所需的薄膜图形；经激光调阻和划片分离后，即得到水平贴装基片及垂直贴装基片；再将基片装贴在凸形管基底座的水平面及垂直面上，最后用薄膜混合集成方式在基片上集成一个以上半导体芯片或片式元器件，并完成半导体芯片的引线键合。本方法生产的器件应用领域广泛，特别适用于装备系统小型化、高可靠的领域。

摘要： 高集成高可靠工作温度可控厚膜混合集成电路及其集成方法，该电路由器件管壳基座(1)、管脚(9)、氮化铝陶瓷基片(2)、半导体芯片(3)、热敏元件(4)、厚膜阻带(5)、厚膜导带/键合区(6)、N型半导体(7)、P型半导体(8)、微型热电致冷器（11）和绝缘介质(10)组成，陶瓷基片(2)正面是微型热电致冷器(11)与常规混合集成电路的一体化集成；N型半导体(7)、P型半导体(8)两端引有连接线，之间填充绝缘介质(10)；陶瓷基片(2)置于器件管壳基座(1)之上。集成方法是高真空溅射并进行刻蚀形成金属电极、N型半导体、P型半导体。本集成电路可以解决外界温度在125°C以上或-55°C以下的正常工作问题。广泛应用于航天、航空、船舶、精密仪器、地质勘探、石油勘探、通讯等领域。

摘要： 本实用新型提供一种用于混合集成电路的金属封装外壳以及混合集成电路。该用于混合集成电路的金属封装外壳包括金属壳体和金属盖体，金属壳体与金属盖体能够围合形成用于保护电路的腔体，电路包括元器件以及连接元器件的金属导带；金属壳体包括底座，底座具有相对的第一表面和第二表面，其中第一表面朝向腔体，且金属导带固定在第一表面上；在第一表面上设有盲孔，且盲孔的开设位置与金属导带相对应。本实用新型提供的用于混合集成电路的金属封装外壳，通过在底座上开设盲孔，能够解决当前采用金属封装外壳所带来的混合集成电路的分布参数不能达到要求的问题。