过渡层

摘要： 针对厚板低合金耐热钢和奥氏体不锈钢异种钢焊接存在的难题,提出在耐热钢一侧预边堆焊2~3 mm厚的E309L、ENiCrFe⁃3、ENiCrMo⁃3三种不同过渡层,AA⁃TIG焊打底及埋弧焊填充的高效高质量的焊接方法。采用金相显微镜和扫描电镜观察界面微观组织形貌,采用电子探针分析界面合金元素分布,采用显微硬度和拉伸试验对接头力学性能进行测试。结果表明:12Cr2Mo1R母材/堆焊层界面处Cr、Ni、Fe元素存在大的浓度梯度,E309L堆焊层焊缝组织的铁素体含量大于ENiCrMo⁃3和ENiCrFe⁃3堆焊层。通过电子探针发现,碳原子在靠近融合线的晶界处有富集的现象,在ENiCrMo⁃3堆焊层中有M_(23) C_(6)碳化物析出相。E309L、ENiCrFe⁃3、ENiCrMo⁃3堆焊层与母材界面的最高硬度依次增加,且向中心方向逐渐降低。E309L、ENiCrFe⁃3、ENiCrMo⁃3三种过渡层的焊缝接头的拉伸强度分别为608.1 MPa、596.2 MPa、564.5 MPa,断后伸长率分别为21.7%、21.2%、18.2%,且断口形貌都呈韧窝状。

摘要： 类金刚石膜是由sp2键合的石墨与sp3键合的金刚石组成的一类碳膜,具备石墨的润滑特性和金刚石的高硬度,在降低摩擦因数、耐磨等方面具有重要应用价值。但薄膜较大的残余应力以及膜基结合问题的存在,限制了其在机械、电子、医学等范围内的普遍应用。国内外研究表明,掺杂元素、生成过渡层、设计多层膜成为有效改善类金刚石薄膜膜基结合强度的关键技术。介绍了掺杂单一元素、多元素,生成过渡层、设计多层膜等技术在类金刚石薄膜成形、强化中的作用机理,以及使用过程中的优点,如低的摩擦因数和内应力、高的耐磨性、与基体良好的结合性和优越的高温性能等;归纳了这4类技术的不足和待完善之处。提出今后的研究可以向着超厚薄膜、多元素掺杂薄膜、软硬交替多层膜结构的设计发展。优化计算机系统软件,使薄膜形貌、膜厚检测技术更加成熟,这也是以后的研究重点。

摘要： 目的改善TA1双极板的耐腐蚀性和导电性能,提高转换效率和使用寿命。方法采用多梯度复合涂层思路,利用闭合场非平衡磁控溅射技术,在TA1基体表面制备了Ti/CrN/a-C、Ti/TiN/a-C和Ti/TiCrN/a-C等3种不同过渡层的碳涂层。分别通过扫描电镜、拉曼光谱、光电子能谱、电化学极化测试和表面接触电阻测试分析了碳涂层的表面形貌、成键杂化形式、杂化含量比例、耐蚀性能和导电性能。结果3种不同过渡层的碳涂层与基体结合良好,都呈无定形碳分布,但形貌结构相差较大。其中Ti/TiN/a-C涂层的A_(D)/A_(G)值最大,达到4.26,且碳原子中C-sp^(2)杂化含量比例最高,达到79.32%。而Ti/TiCrN/a-C涂层的FWHM(G)最大,达到137.29,且碳原子中C-sp^(3)杂化含量比例最高,达到26.03%。3种不同过渡层的碳涂层与TA1基体相比,耐腐蚀性明显提高,其中Ti/TiCrN/a-C涂层的耐腐性能最优异,动电位和恒电位腐蚀电流密度分别为7.81×10^(–7)、8.14×10^(–7) A/cm^(2),小于TA1基体的2.76×10^(–6)、3.21×10^(–6) A/cm^(2)。此外,在1.4 MPa的压紧力下,不同过渡层(Ti/CrN/a-C、Ti/TiN/a-C、Ti/TiCrN/a-C)的碳涂层的表面接触电阻分别为12.3、5.4、6.5 mΩ·cm^(2),小于TA1基体的93.5 mΩ·cm^(2),大约降低了1个数量级。结论通过不同元素掺杂和控制工艺参数靶流,获得了成分梯度变化的不同氮化物过渡层,影响最外面工作层纯碳的沉积效果,改变其微观形貌与结构,从而影响导电性和耐腐蚀性能。

摘要： 文章介绍了退台式体型收进高层建筑结构方案的比选确定过程。重点分析由于裙房与退台塔楼刚质偏心引起的扭转效应,提出了减少扭转效应及其对结构不利影响的设计思路和加强措施。针对退台建筑特点,在塔楼底部两层的建筑端部增设斜撑,形成过渡层,避免在体型收进的结构薄弱部位出现竖向抗侧力构件的转换,合理优化退台塔楼侧向刚度,减小地震作用效应。

摘要： 针对超高声速风洞主切换阀在高温、高压、快切等极端工况条件下的使用寿命和密封性能要求,采用钨极惰性气体保护焊(GTAW)的焊接方案,研究了预热加温、焊接速度、层间温度及缓冷措施等相关质量控制节点对焊接质量的影响。在1000°C超高温条件下,对熔覆过渡层后堆焊焊接工艺进行了循环温度应力交变测试,最终通过硬度对比、宏观与微观金相等检测手段验证了该工艺制备方法的有效性、合理性与经济性。

摘要： 根据建筑功能特点、使用要求及已施工地下室情况,进行结构抗侧力体系和楼盖体系的方案比选、结构角部平面方案比选及筒体角部设置钢骨的讨论。多模型多工况模拟上部钢结构与地下已施工混凝土结构过渡层选取分析,对二层楼板开洞采取相应加强措施。

摘要： 随着钛/钢复合板的应用领域不断拓展,市场对钛/钢复合板的尺寸和性能都提出了新的要求,现有的制备方法和工艺也面临着巨大挑战.本文从原材料情况、复合板尺寸、界面特征和力学性能等方面概述了钛/钢复合板研究现状,评述了钛/钢复合板目前的主要制备方法及其优缺点,综述了表面处理方法、热轧温度、过渡层金属和热处理工艺对钛/钢复合板界面结合质量的影响,阐述了钛/钢复合板的应用现状,指出了钛/钢复合板面临的主要问题及未来的重点研究方向.

摘要： 通过物理/化学沉积方法在Garnet电解质(Li6.85La2.9Ca0.1Zr1.75Nb0.25O12,LLCNZO)表面沉积不同类型过渡层,在相同条件下来综合比较其对界面改性程度的差别.采用恒流充放电、电化学阻抗谱、扫描电子显微镜等方法,研究了几种代表性过渡层[Al-doped ZnO(AZO),Si-Ti合金,C,Ti以及LiPON]对Garnet电解质/Li界面阻抗的影响.通过研究结果比较,当所沉积的过渡层与Li金属反应时,可以最大程度地降低界面阻抗(如AZO过渡层可以使界面阻抗由192000Ω/cm2降低至1564.5Ω/cm2).其主要原因在于该类界面层的引入可以有效增加电极与电解质之间的接触面积,同时还可以均匀化界面电场的分布,从而提高抑制锂生长和穿透电解质片的能力,改善Garnet电解质与Li金属之间的界面性能.

摘要： 复合钢板具有优良的机械性能及耐腐蚀性能,在铁路行业得到广泛应用.但是由于复合钢板基层和复层材料不同,如果直接焊接将出现各种问题,故在基层和复层之间增加一个焊接过渡层.因此,复合钢板的过渡层成为焊接接头的关键部位.对采用常规工艺焊接的大厚度16MnR-0Cr18Ni9复合钢板的焊后过渡层组织和性能进行分析,从而对此工艺进行评估.

摘要： 研究过渡层胶与气密层胶的掺用比对胶料性能的影响。结果表明:随着过渡层胶在气密层胶中的掺用比增大,胶料气密性逐渐下降,掺用比大于11%时,气密性明显变差;门尼粘度变化不大,焦烧时间延长,硫化速度变慢;硫化胶密度降低,硬度略有增大,定伸应力先增大后减小,拉伸强度、撕裂强度和耐屈挠性能变化不大,拉断伸长率减小,成本降低。

摘要： 类金刚石膜具有硬度高、摩擦系数低、耐腐性强、稳定性高等优良性质,是提高铜耐腐性的理想材料.但铜与类金刚石膜之间的结合力差,本文通过制各TixCy过渡层成功解决这一问题.将磁控溅射物理气相沉积与化学气相沉积技术相结合,通过改变过渡层碳靶功率在铜基体上成功沉积类金刚石膜.拉曼光谱测试结果表明,所制备碳膜具有典型的类金刚石结构.划痕实验表明,膜与基体之间的结合强度大.最后通过电化学实验分析了过渡层碳靶功率对类金刚石膜耐腐蚀性的影响.

摘要： 实验研究结果是应用过渡层的纵向电导对多年冻土环境进行监测而获取.过渡层在地下电导率剖面位于季节融化层以下.这一层在冷冻状态下具有不同的温度值,电阻率和厚度.过渡层纵向导电的季节变化比季节融化层更重要.因此,它们可用于监测地面的建筑物和工程多年冻土地基条件,过渡层的纵向电导值可由无线电阻抗测深资料确定。

摘要： 激光-电弧复合热源较单一热源相比,具有热源能量密度与材料热力作用模式可优化设计等特点,成为实现高端装备焊接制造精确成形成性的重要途径.本文以镁合金/钢为代表的难固熔不反应异质材料为研究对象,利用激光-电弧复合焊接热源所具有的能量密度梯度分布特征,通过添加Cu-Zn过渡层,实现镁合金/钢异质材料高质量熔化焊接,提出了多组元液相共存的镁合金/钢激光-电弧复合焊接新思路,并对铝元素的作用进行了探讨.

摘要： 在激光焊接中最大的缺陷就是容易产生气孔,本文通过对改善过渡层配方设计以有效降低烧结温度和减少气孔产生的研究,从而优化激光焊接的焊缝强度和外观质量.经试验得出结论:在激光焊接刀头的过渡层中适当加入Mn,有利于减少气孔的产生；在保证胎体致密度和激光焊焊接强度的情况下，有效降低烧结温度,避免过高的烧结温度对工作层金刚石的损害.

摘要： 不同的过渡层配方对激光焊接金刚石开槽锯片的机械性能和焊接性能有着重要影响.选用新过渡层配方所制备的开槽片刀头,内部压力分布均匀、密度差异小.同时,新过渡层配方制备的刀头能在低温低压下具有很高的硬度和三点弯曲强度,并具备良好的焊接性能.采取新的过渡层配方将有效解决激光焊接开槽片刀头容易脱落、安全系数较低等问题,适合应用于实际生产.

摘要： 采用超高真空热丝化学气相沉积（HFCVD）系统，以甲烷和氢气为反应气体，在高速钢W18Cr4V基体上利用三种不同的过渡层（WC、Cr、WC/Cr）制备金刚石薄膜。采用场发射扫描电子显微镜(FE-SEM)、X射线衍射仪(XRD)、显微激光拉曼光谱仪（Raman）以及洛氏硬度计对过渡层和金刚石薄膜进行检测分析，研究了不同过渡层对金刚石薄膜形貌质量和附着性能的影响。结果表明，三种过渡层均可以有效减少钢基中Fe对金刚石薄膜的负面影响，提高金刚石的形核率；其中，采用WC/Cr过渡层时膜基间残余应力最小，仅为0.25Gpa，附着性能最好。

摘要： 复合板对接焊缝过渡层处的缺陷,一直是衍射时差法超声检测(TOFD)的难点.通过对探头、PCS的选择,上下表面盲区的分析,利用模拟试块试验验证,并有效解决过渡层缺陷难于检出问题.

摘要： 对复合板焊接经常出现裂纹的问题,结合金相检验、理化试验,利用舍夫勒图进行原因分析.结果表明,过渡层有马氏体组织的生成,异种钢接头的热应力是产生焊接裂纹的主要原因.减小熔合比是防止裂纹产生的关键.

摘要： 本文介绍了哈尔滨华鸿酒店钢结构设计过程中的难点,包括结构整体分析、柱计算长度的取值、转换节点设计以及楼板应力分析等.通过MIDAS软件对结构进行屈曲分析,较好地解决了特殊柱计算长度取值难计算的问题;对于结构体系的转换,提出了较好的过渡转换处理形式;通过对楼板的应力分析,保证了楼板的安全.

摘要： 本文介绍了哈尔滨华鸿酒店钢结构设计过程中的难点,包括结构整体分析、柱计算长度的取值、转换节点设计以及楼板应力分析等.通过MIDAS软件对结构进行屈曲分析,较好地解决了特殊柱计算长度取值难计算的问题;对于结构体系的转换,提出了较好的过渡转换处理形式;通过对楼板的应力分析,保证了楼板的安全.

摘要： 本发明涉及玻璃生产技术领域，具体涉及过渡态氧化镍铬膜层的制备方法及包含该过渡态氧化镍铬膜层的可钢化低辐射镀膜玻璃，本发明的制备方法包括如下步骤：采用NiCr合金靶材，在直流电源或直流脉冲电源的控制下，保持磁控溅射镀膜设备的背景本底真空度优于5×10‑4Pa，在工艺气氛点采用反应式溅射的方式在上一膜层的表面顺次进行沉积，所述的工艺气氛点对应为氩氧氛围，且通入的氩气和氧气的流量比为8/1‑12/1，即得过渡态氧化镍铬膜层，由本发明的制备方法制得的过渡态氧化镍铬膜层，将其作为阻挡层应用于可钢化低辐射镀膜玻璃可大幅减少玻璃钢化前后的色差，有利于生产过程中的颜色控制，并且还能大幅提高透过率，透过色更加中性。

摘要： 提供用于层状过渡金属硫属化合物层的组合物及形成层状过渡金属硫属化合物层的方法。所述组合物包括选自由式1表示的过渡金属前体和由式1d表示的过渡金属前体的至少一种，和由式2表示的硫属前体。其中，在式1中，M、R1、R2、a、b、和c与具体实施方式中定义的相同，其中，在式1d中，M、R1和d与具体实施方式中定义的相同，和其中，在式2中，M'和X与具体实施方式中定义的相同，[式1]Ma(R1)6‑b‑c(H)b(R2)c[式2]M'kX2[式1d]M(R1)d。

摘要： 本发明涉及玻璃生产技术领域，具体涉及过渡态氧化镍铬膜层的制备方法及包含该过渡态氧化镍铬膜层的可钢化低辐射镀膜玻璃，本发明的制备方法包括如下步骤：采用NiCr合金靶材，在直流电源或直流脉冲电源的控制下，保持磁控溅射镀膜设备的背景本底真空度优于5×10‑4Pa，在工艺气氛点采用反应式溅射的方式在上一膜层的表面顺次进行沉积，所述的工艺气氛点对应为氩氧氛围，得到过渡态氧化镍铬膜层，由本发明的制备方法制得的过渡态氧化镍铬膜层，将其作为阻挡层应用于可钢化低辐射镀膜玻璃可大幅减少玻璃钢化前后的色差，有利于生产过程中的颜色控制，并且还能大幅提高透过率，透过色更加中性。

摘要： 本发明涉及玻璃生产技术领域，具体涉及过渡态氧化镍铬膜层的制备方法及包含该过渡态氧化镍铬膜层的可钢化低辐射镀膜玻璃，本发明的制备方法包括如下步骤：采用NiCr合金靶材，在直流电源或直流脉冲电源的控制下，保持磁控溅射镀膜设备的背景本底真空度优于5×10‑4Pa，在工艺气氛点采用反应式溅射的方式在上一膜层的表面顺次进行沉积，所述的工艺气氛点对应为氩氧氛围，且通入的氩气和氧气的流量比为8/1‑12/1，即得过渡态氧化镍铬膜层，由本发明的制备方法制得的过渡态氧化镍铬膜层，将其作为阻挡层应用于可钢化低辐射镀膜玻璃可大幅减少玻璃钢化前后的色差，有利于生产过程中的颜色控制，并且还能大幅提高透过率，透过色更加中性。

摘要： 提供用于层状过渡金属硫属化合物层的组合物及形成层状过渡金属硫属化合物层的方法。所述组合物包括选自由式1表示的过渡金属前体和由式1d表示的过渡金属前体的至少一种，和由式2表示的硫属前体。其中，在式1中，M、R1、R2、a、b、和c与具体实施方式中定义的相同，其中，在式1d中，M、R1和d与具体实施方式中定义的相同，和其中，在式2中，M'和X与具体实施方式中定义的相同，[式1]Ma(R1)6-b-c(H)b(R2)c[式2]M'kX2[式1d]M(R1)d。

摘要： 本发明提供基于过渡层对外延薄膜与衬底结合力评价的过渡层材料选择方法，属于薄膜生长理论技术领域，具体涉及过渡层选择方法。本发明首先对选取的若干过渡层材料建立界面模型；然后计算无过渡层存在时的界面性能，判定是否需要过渡层；如需要过渡层，分别计算选取的不同材料作为过渡层时，衬底/过渡层和过渡层/薄膜的界面性能，并根据界面处净电荷量变化量和原子间化学键布居数，对过渡层对衬底和过渡层对薄膜的结合力进行综合评价并排序；根据排序结果选择前2～3种过渡层材料。本发明解决了现有技术确定是否需要过渡层，以及选取何种材料作为过渡层时，存在耗时长、浪费人力物力的问题。本发明可运用于薄膜的制备。

摘要： 本发明提供一种导电氧化物过渡层及含该过渡层的相变存储器单元，该相变存储器单元包括位于底电极与硫系化合物薄膜层之间的导电氧化物过渡层，其厚度控制在2～10nm。所述导电氧化物过渡层具有良好的热稳定性；与介质材料、硫系化合物、W电极都有良好的粘附性；具有较低的热导率，能有效改善器件的热效率；具有较好的导电特性可以避免引入较大的电容。通过植入新型的导电氧化物过渡层材料，可有效的提高器件的加热效率，从而降低操作的电压，并且能有效抑制相变材料中的Sb与Te两种元素向底W电极方向的扩散，且过渡层不会与底W电极以及相变材料发生化学反应，从而保证了器件循环使用时操作的一致性，提高了器件寿命。

摘要： Ⅱ－Ⅵ半导体器件,在此器件上在一个层序列内,至少有一个由含BeTe半导体层向含Se半导体层的过渡层,并且在含BeTe半导体和含Se半导体层之间的界面是这样制备的,即形成一个Be－Se构型。

摘要： 本发明公开了一种InAs/AlxGa1‑xSb缓变超晶格过渡层、具有缓变过渡层的InAs/GaSb势垒型红外探测器及生长方法，其中缓变超晶格过渡层由多个超晶格原胞重复堆叠N个周期形成，超晶格原胞包括InAs层，第一InAsxSb1‑x层，AlxGa1‑xSb层，第二InAsxSb1‑x层，相邻超晶格原胞对应层的厚度、AlxGa1‑xSb组分单调渐变，采用本发明结构的缓变超晶格过渡层及势垒型红外探测器，使过渡层的能带结构过渡平滑，消除因材料参数突变而产生的带阶，提高器件载流子输运性能与量子效率。

摘要： 本发明提供基于过渡层对外延薄膜与衬底结合力评价的过渡层材料选择方法，属于薄膜生长理论技术领域，具体涉及过渡层选择方法。本发明首先对选取的若干过渡层材料建立界面模型；然后计算无过渡层存在时的界面性能，判定是否需要过渡层；如需要过渡层，分别计算选取的不同材料作为过渡层时，衬底/过渡层和过渡层/薄膜的界面性能，并根据界面处净电荷量变化量和原子间化学键布居数，对过渡层对衬底和过渡层对薄膜的结合力进行综合评价并排序；根据排序结果选择前2～3种过渡层材料。本发明解决了现有技术确定是否需要过渡层，以及选取何种材料作为过渡层时，存在耗时长、浪费人力物力的问题。本发明可运用于薄膜的制备。