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公开/公告号CN101615655B
专利类型发明专利
公开/公告日2012-09-05
原文格式PDF
申请/专利权人 中国科学院上海微系统与信息技术研究所;
申请/专利号CN200910055148.4
发明设计人 宋三年;宋志棠;刘波;吴良才;封松林;
申请日2009-07-21
分类号
代理机构上海光华专利事务所;
代理人余明伟
地址 200050 上海市长宁区长宁路865号
入库时间 2022-08-23 09:11:12
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2012-09-05
授权
2010-02-24
实质审查的生效
2009-12-30
公开
机译: 层压PCB和波导之间的过渡层包括带有印刷导电表面的薄层,起着波导反向短路的作用
机译: 用于功率应用的半导体器件的制造涉及使用至少两种不同且不同的生长方法在导电衬底上生长III族氮化物过渡层
机译: 硬偏磁结构,包括导电层,过渡层和籽晶层
机译:过渡层对含导电纤维复合材料电磁性能的影响-艺术没有。 134205
机译:对在含TiN / SiO2 / Fe的电极结构的氧化物/铁界面上产生的薄FeOx过渡层的电阻转换效应的研究
机译:含多晶硅/ SiO {sub} 2和Si / SiO {sub} 2界面过渡层的栅氧化物的隧道质量和物理厚度的确定
机译:锰钴尖晶石氧化物在过渡层中的过渡金属掺杂
机译:基于吸积盘的过渡层模型和对GRS 1758-258中的X射线射流的搜索,对候选黑洞GRS 1758-258和GX 339-4进行质量估计。
机译:过渡层相关的电子结构变化金属二硫属元素化物:微观起源
机译:过渡层对金属陶瓷电磁特性的影响 含有导电纤维的复合材料
机译:具有用于含硅材料的过渡层的热/环境屏障涂层(paT-appL-11-040 156)。