氧化铟锡

摘要： 本文采用脉冲激光沉积和真空退火的方法在铝箔上制备氧化铟锡(indium tin oxide, ITO)表面增强拉曼散射(surface-enhanced Raman scattering, SERS)活性基底,并研究了ITO基底的SERS特性。沉积了700、1 000、1 300、1 600、2 000五组脉冲数的基底,测量结果显示薄膜厚度与脉冲数接近线性关系,当ITO薄膜厚度为60.80 nm(脉冲数为1 300)时,拉曼信号的增强程度达到最大值,其拉曼强度是Au基底的2~3倍。研究表明,真空退火能够显著提升ITO基底的拉曼增强效果,不同厚度的ITO薄膜基底均具有明显的SERS增强效果,可以通过控制薄膜厚度对ITO基底进行SERS调控。这些研究结果可为后续ITO材料SERS研究及应用提供参考依据。

摘要： TFT-LCD面板内的ITO连接过孔目前只有一些定性的设计规则,缺乏定量计算和设计过孔的方法。本文研究了此类过孔电阻的定量计算方法,同时探索了过孔电阻与击穿电流的关系,为合理设计过孔、防止过孔烧毁提供了指导依据。首先,通过分析过孔的结构,抽象出等效电阻电路图,得到多种不同结构的过孔电阻分解公式。过孔电阻主要由深孔接触电阻、浅孔接触电阻和深浅孔之间连接的ITO电阻组成。然后,通过设计不同尺寸的金属与ITO的接触过孔,使用开尔文四线检测法测量得到深孔接触电阻和浅孔接触电阻与孔尺寸之间的关系式。同时,深浅孔之间连接的ITO电阻可通过ITO方块电阻与深浅孔之间的ITO尺寸计算得到。由此,我们仅依据过孔的尺寸信息及ITO方阻数据即可计算得到各种结构的过孔电阻阻值。通过对大量过孔电阻的实测值与计算值进行相关性分析,线性相关系数达到0.96,证明了该计算方法的可靠性。最后,通过测量大量过孔的电阻阻值及其击穿电流值,发现过孔电阻阻值与击穿电流之间存在显著的幂函数关系,幂指数在-1.3附近,相关系数达到0.98。自此,建立起了一整套可定量计算和设计过孔电阻和击穿电流的方法。

摘要： 日前,南京工业大学环境科学与工程学院蒋腾耀副教授等人采用溶液工艺在玻璃上分别涂覆热响应钨掺杂二氧化钒纳米颗粒、聚甲基丙烯酸甲酯以及氧化铟锡涂层,首次提出同时调控太阳光和长波红外线2个波段的理想智能窗户模型,设计并制备了一款双波段调控自响应智能窗。

摘要： 随着医药行业和生活水平的快速发展,越来越多的人开始滥用抗生素,这对我们的水体环境和身体健康带来了严重的危害。及时处理抗生素类有机污染物对水体造成的污染问题,已经迫在眉睫。本文通过恒电流电沉积法制备金属Pd修饰的Pd-PANI/ITO复合电极,通过SEM、XRD、FTIR及XPS对电极的形貌、晶体结构和官能团组成等理化性质进行了表征分析,表征结果证明Pd和PANI成功负载到了ITO上。并以四环素废水的降解率为指标,筛选出制备Pd-PANI/ITO复合电极时的最佳参数条件:PANI的最佳沉积电流为2 mA,最佳沉积时间为10 min。Pd的最佳沉积电流为2 mA,沉积时间为10 min。将复合电极应用于对含有典型抗生素即四环素废水的电催化降解研究。降解过程中考察了四环素废水在不同时段的降解情况。研究了Pd-PANI/ITO电极的电催化活性及在不同降解电流条件下对四环素废水的降解性能,且结果表明Pd-PANI/ITO复合电极对四环素废水的电降解遵循准一级反应。

摘要： 中红外手性超材料具有体积小、易集成等优点,在中红外激光偏振态调控方面具有潜在的应用。本文提出了一种多层ITO椭圆柱中红外手性超材料。该结构的每个单元由三层相同的氧化铟锡(ITO)椭圆柱组成。模拟结果表明,椭圆柱之间的距离、椭圆柱的厚度、椭圆柱的短长轴之比、椭圆柱中心的相对位置、椭圆柱的数量和椭圆柱材料对结构的圆二向色性(CD)均产生了影响。结构在三个不同的波段均展示CD特性,在波长为3.52μm、4.12μm和5.28μm附近处展现出三个不同强度的CD极大值。模拟结果也表明,与贵金属金、银椭圆柱构成的结构相比,由ITO椭圆柱构成的结构展现出更宽带和多带的圆二向色性。后者结构在中红外波段的CD主要有一个带,在0.39μm附近带宽为0.5μm,而前者在4.12μm和5.28μm附近处的半高宽分别为0.6μm和1.6μm,这在中红外宽带和多带偏振态调控方面具有潜在的应用。

摘要： 设计并研制出一种基于超材料的宽带微波/红外兼容隐身结构器件,该结构包括基于氧化铟锡(ITO)薄膜制备出的红外隐身层、微波吸收层和微波反射层,红外隐身层由圆环镂空结构的频率选择表面组成,微波吸收层由周期和方阻均不同的方环结构组成,微波反射层由连续的导电薄膜组成。各层由厚度不同的聚甲基丙烯酰亚胺(PMI)隔开。结果表明此结构能够在2~18.6 GHz范围内实现90%以上的吸收,其红外发射率低于0.3。

摘要： 为适应电致变色领域越来越丰富的柔性化需求,解决柔性基底上直接制备电致变色薄膜性能不佳的问题.以聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)/银纳米线(AgNWs)为基底,采用室温直流反应磁控溅射制备了氧化铟锡(ITO)/氧化钨(WO3)薄膜,研究了 AgNWs/ITO复合电极的光电性能以及PET/AgNWs/ITO/WO3薄膜的电致变色性能.结果表明,通过加镀ITO过渡层,克服了 PET/AgNWs/WO3薄膜存在的着色不均匀、单次循环后性能迅速衰退等问题.最终获得了透过率调制为57.4％(550 nm处)、69.6％(1 000 nm处),着褪色响应时间分别为10.4 s和9.9 s,相应的着褪色效率分别为27.79 cm2/C和40.45 cm2/C 的高性能柔性电致变色薄膜.薄膜在超过500次循环稳定测试以及2 000次弯折测试后仍能保证较高的透过率调制,展现出了在柔性电致变色领域的巨大应用潜力.

摘要： 采用静电纺丝-溶胶凝胶法,以SnCl2、InCl3、聚乙烯吡咯烷酮(PVP)等为原料,乙醇胺为水解控制剂,合成了超细氧化铟锡(ITO)纳米纤维及富氧缺陷的ITO纳米颗粒.采用透射电子显微镜(TEM)、选区电子衍射(SAED)、扫描电子显微镜(SEM)、热重分析(TGA)、X射线衍射(XRD)、X射线电子能谱(XPS)、四探针电阻仪,系统研究了超细ITO纤维及颗粒的形貌、晶型、氧缺陷及导电性能.在400°C空气煅烧后,纤维中的PVP高分子骨架发生热分解,获得超细、多孔ITO纳米纤维,晶型为立方相.进一步升高煅烧温度至800°C,ITO纳米纤维转变为富氧缺陷的纳米颗粒,晶格氧空位含量高达38.9％.随着煅烧温度升高,Sn4+掺入到In2O3晶格中,发生晶格膨胀,晶面间距增大.煅烧温度由400 °C升高至800°C,未发生立方相向六方相的转变,晶型稳定,晶粒尺寸从32 nm生长到44 nm,晶格应变(ε0)从1.943×10-3减小至1.422×10-3,应变诱导的晶格弛豫逐渐减小.此外,高温煅烧可抑制In2O3晶粒(111)晶面的增长,随着In2O3的(400)与(222)晶面比值(I400)/I(222))的增加,ITO电导率逐渐升高.在800°C获得的ITO纳米颗粒导电率最高.

摘要： 随着电子技术的发展,兼具透明、柔性等特性的功能电子器件得到了广泛关注.作为新型电子存储器件,忆阻器在新一代信息技术领域(包括低功耗类脑计算、非易失逻辑、数据存储等)有着广阔的应用前景,成为近年来备受关注的新型纳米器件.氧化铟锡是一种常用的透明导电材料,因其优异的光学透明度、稳定的物理、化学特性等优点,成为制备新型透明忆阻器件的理想电极.本文首先简略介绍了忆阻器件的结构,接着综述了基于氧化铟锡材料的忆阻器件的研究和应用,包括其作为存储器、电子突触和痛觉感受器等.然后针对氧化铟锡忆阻器的阻变机制,特别是近年来新发现的铟扩散机制进行了进一步介绍,最后总结展望了氧化铟锡忆阻器的发展前景.

摘要： 通过电子束蒸镀和直流磁控溅射方法分别制备ITO薄膜,分析表面形貌和测试XRD图谱,对比ITO薄膜的成膜性、晶化程度、晶粒尺寸和晶面取向等的差异.发现磁控溅射的(222)晶面衍射峰强度比电子束镀膜的明显加强,磁控溅射的晶粒尺寸更大更均匀.将ITO薄膜分别应用到550um*760um GaN发光二极管中,小电流注入时,磁控溅射ITO的近场分布与电子束蒸镀TIO的近场分布差异较小,当电流密度超过7A/cm2后,磁控溅射的ITO横向扩散比电子束蒸镀的ITO好,整体近场分布较均匀;当电流密度超过23.5A/cm2后,磁控溅射ITO的LED亮度提高,器件的过载能力比较强.

摘要： 氧化铟锡(ITO)薄膜电极具有良好的物理(导电性高、透光性好)和化学性能,对其表面进行修饰可进一步拓展其在电分析化学中的应用.该文根据目前的研究现状,简要介绍了ITO薄膜电极的制备和清洗方法,总结了ITO薄膜电极的表面修饰方法,着重介绍了应用较多的化学吸附、硅烷化、电化学接枝3类方法,并简要评述了ITO薄膜电极表面修饰方法面临的挑战及应用前景.

摘要： 本文系统地描述了一系列银-氧化铟锡(Ag-ITO)共溅薄膜的制备和研究,通过调控薄膜中银的含量,获得了微观结构上的同质混合薄膜,此时少量掺杂的银的含量(＜3at.％)被证明具有最优值.同时,银的引入显著增强了ITO中In2O3多晶的择优取向,尤其反映在其(222)、(400)、(440)峰的强度提升.

摘要： 采用一种简单的化学共沉淀法合成了MWCNTs/ITO复合材料.使用XRD、FESEM和TEM对复合材料的组织结构和微观形貌进行了表征,采用同轴法测量了复合材料在2～18GHz频段内的电磁参数.结果表明,通过控制ITO和MWCNTs的添加比例、共沉淀pH值以及煅烧处理温度,可以成功制备MWCNTs/ITO纳米复合材料.通过优化的工艺参数制备的MWC-NTs/ITO复合材料具有良好的电磁性能.15wt％MWCNTs/ITO复合材料小于-5dB的吸收频带宽最大,为5.04GHz;20wt％0MWCNTs/ITO复合材料具有最大反射率峰值,在9.68GHz处的反射率达-33.81dB.

摘要： 研制了氧化铟锡(ITO)成分分析标准物质.对标准物质的制备技术、均匀性检验、稳定性考察及定值不确定度进行了分析.研制的ITO成分分析标准物质具有良好的均匀性和稳定性.采用8家实验室进行协作定值,对定值结果的不确定度进行了评定.

摘要： 采用电子束蒸发技术在SiO2,半绝缘Si,n型GaAs衬底上沉积氧化铟锡薄膜,包含5％组分的SnO2和95％的In2O3.测试薄膜基本电学、光学性能,并将其用于ITO金属和ITO-GaAs之间非整流接触的研究.利用圆形传输线模型的方法来测试不同退火温度下样品的接触电阻率,得到ITO与金属镍的最小接触电阻率为2.81×10-6 Ω·cm2.忽略金属与ITO接触电阻以及金属自身电阻影响后测得ITO-GaAs最低接触电阻率为7×10-5 Ω·cm2.

摘要： 为解决线阵CCD用于投射电容屏ITO(Indium tin oxide,氧化铟锡)电路检测时不易获取高对比度图像的难题,基于明场照明反射成像原理,设计并构建了一套基于最大叠加反射系数差值的同轴照明与成像系统.根据投射电容屏ITO材料与玻璃基板的光学特性及刻蚀电路的几何特征,分析了光源照射及成像方式;根据ITO电路的多层复合结构,分析了影响ITO膜和玻璃基板成像对比度的影响因素;在满足较高生产率的运动速度下,通过不同光照亮度时实验所获取系列图像的对比,确定了可获得高对比度ITO电路与玻璃基板图像的成像系统工作参数.实验结果表明:检测精度为10μm、ITO基板运动速度为130mm/s且光照亮度等级为190时,所获图像的灰度直方图具有显著双峰值,易于识别ITO电路缺陷。

摘要： 氧化铟锡(ITO)导电玻璃具有很高的光透过率和良好的导电性，已广泛的应 用于一些光电材料；并且其具有较宽的电位窗口，较低的双电层充电电流和稳定的电化学及物理性质，可以当作电极应用于电化学实验。但是，ITO 对一些电化 学活性物质的电子转移能力不如普遍使用的玻碳电极、Au 电极等，这限制了其 直接作为电极在电分析及检测方面的应用1。金属纳米粒子(如Au、Pd、Pt 等) 对一些有机小分子的反应具有一定的催化活性，将金属纳米粒子或二元金属合金的纳米粒子直接沉积或间接在ITO 表面之后作为电极，可以应用于电化学分析、 检测以及催化等2。本实验采用计时电流法直接在ITO 表面共沉积AuPd 二元 MNPs，并通过电化学等方法表征其组成以及电催化性质。

摘要： 研究了在阵列工程,对UV2A设计机种在ITO退火后,需利用ITO图形变化转为ASV机种,并投入成盒工程,从而减少产品损失.研究表明:常规湿法刻蚀无法刻蚀退火后ITO膜;本文在实验中,利用干法蚀刻方式,用Cl2、BCl3气体可对退火后ITO膜进行反应,BCl3气体流量越大刻蚀速率越快.干法刻蚀CD loss小,选择比较好.

摘要： 研究了在阵列工程,对UV2A设计机种在ITO退火后,需利用ITO图形变化转为ASV机种,并投入成盒工程,从而减少产品损失.研究表明:常规湿法刻蚀无法刻蚀退火后ITO膜;本文在实验中,利用干法蚀刻方式,用Cl2、BCl3气体可对退火后ITO膜进行反应,BCl3气体流量越大刻蚀速率越快.干法刻蚀CD loss小,选择比较好.

摘要： 研究了在阵列工程,对UV2A设计机种在ITO退火后,需利用ITO图形变化转为ASV机种,并投入成盒工程,从而减少产品损失.研究表明:常规湿法刻蚀无法刻蚀退火后ITO膜;本文在实验中,利用干法蚀刻方式,用Cl2、BCl3气体可对退火后ITO膜进行反应,BCl3气体流量越大刻蚀速率越快.干法刻蚀CD loss小,选择比较好.

摘要： 本发明提供能够延长靶的寿命、可以得到高密度的溅射靶的氧化铟-氧化锡粉末和使用该粉末的溅射靶及氧化铟-氧化锡粉末的制造方法。在氧化铟-氧化锡粉末中以In-Sn氧化物为主要成分，碳含量在50ppm以下。

摘要： 本发明公开了一种感应铟锡氧化物层，它包括并排布置且相互连通的多个感应铟锡氧化物子单元，所述每个感应铟锡氧化物子单元均包括并排布置且相互连通的空间电容平衡区和触控感应区。本发明能大幅降低触控屏光学折射和干涉现象的产生概率，并且具有更好的触控体验。

摘要： 本发明提供合成ITO电子束光刻胶的方法和形成ITO图案的方法。通过将四水合氯化铟和二水合氯化锡溶解在2-乙氧基乙醇中而合成所述ITO电子束光刻胶。形成ITO图案的方法包括：在衬底上形成ITO电子束光刻胶膜；通过将所述ITO电子束光刻胶膜图案化而形成ITO电子束光刻胶图案；和通过对所述ITO电子束光刻胶图案进行退火而形成ITO图案。

摘要： 本发明提供能够延长靶的寿命、可以得到高密度的溅射靶的氧化铟－氧化锡粉末和使用该粉末的溅射靶及氧化铟－氧化锡粉末的制造方法。在氧化铟－氧化锡粉末中以In－Sn氧化物为主要成分，碳含量在50ppm以下。

摘要： 本发明公开了一种感应铟锡氧化物层，它包括并排布置且相互连通的多个感应铟锡氧化物子单元，所述每个感应铟锡氧化物子单元均包括并排布置且相互连通的空间电容平衡区和触控感应区。本发明能大幅降低触控屏光学折射和干涉现象的产生概率，并且具有更好的触控体验。

摘要： 本发明提供如下方法：在还原炉内利用还原气体对含有铟和锡的ITO靶废料进行还原，并在保持ITO中的金属成分的组成比的状态下回收作为ITO靶的原料的铟-锡合金。本发明提供如下技术：从制造ITO溅射靶时或使用ITO溅射靶后产生的含有高纯度氧化铟-锡的废料回收铟-锡合金，并且将其制成氧化铟-氧化锡粉末，然后以该氧化铟-氧化锡粉末作为原料制造ITO靶。即，将废料直接还原成合金，并在保持所得到的合金的组成的状态下用于制造ITO，由此简化制造工序中的组成的控制和调节。另外，使铟-锡的回收仅为氧化物的还原，由此使工序简化、与以往方法相比能够削减制造成本。此外，能够使副产物仅为水，因此能够抑制有害物质的处理、产生，因而能够降低对环境的负荷。

摘要： 本发明提供合成ITO电子束光刻胶的方法和形成ITO图案的方法。通过将四水合氯化铟和二水合氯化锡溶解在2－乙氧基乙醇中而合成所述ITO电子束光刻胶。形成ITO图案的方法包括：在衬底上形成ITO电子束光刻胶膜；通过将所述ITO电子束光刻胶膜图案化而形成ITO电子束光刻胶图案；和通过对所述ITO电子束光刻胶图案进行退火而形成ITO图案。

摘要： 本实用新型公开了一种感应铟锡氧化物层和使用感应铟锡氧化物层的触控屏，感应铟锡氧化物层包括并排布置且相互连通的多个感应铟锡氧化物子单元，所述每个感应铟锡氧化物子单元均包括并排布置且相互连通的空间电容平衡区和触控感应区。本实用新型能大幅降低触控屏光学折射和干涉现象的产生概率，并且具有更好的触控体验。

摘要： 本发明公开了氧化铟锡(ITO)靶，其制造方法，ITO透明导电膜及其制造方法。所述ITO靶包括选自由Sm2O3和Yb2O3构成的组中的至少一种氧化物，其中所述氧化物的含量相对所述靶重量为约0.5wt％～约10wt％。

摘要： 本实用新型提供一种氧化铟锡溅射设备的成膜装置和氧化铟锡溅射设备，氧化铟锡溅射设备的成膜装置包括氧化铟锡靶材以及安装在氧化铟锡靶材底部的驱动单元上的防着板，还包括围设在氧化铟锡靶材回镀区外围的遮蔽结构，且遮蔽结构与氧化铟锡靶材的外表面之间具有间隙，遮蔽结构与防着板连接，遮蔽结构用于对氧化铟锡靶材的回镀区进行遮挡，以防止镀膜时产生的杂质沉积在氧化铟锡靶材的回镀区，从而提高了防着板的使用寿命，降低了清洗成本，提高了设备的稼动率。