STI571

摘要： 目的 针对氟达拉滨(Fludarabine)联合STI571诱导K562细胞增殖的影响进行探讨.方法 依据实验设计每12h依次检测浓度为5,10,20,30和40 μmol/L的氟达拉滨以及与0.3μmol/L的STI571联合用药对K562细胞的抑制作用,总共4个时间段(12,24,36和48 h),并建立对照组.K562细胞增殖的变换通过MTT比色法进行判断,并比较氟达拉滨单用以及联合STI571使用的效果;药物的抑制率通过q=E(A+B)/[EA+1EB(1-EA)]公式计算,q＞1.15两药具有协同作用,q＜0.85两药具有拮抗作用[注:E(A+B)代表两药联合使用的抑制率,EA,EB是两药单用的抑制率].结果 随着氟达拉滨(Fludarabine)浓度逐渐升高,对K562细胞的抑制作用也逐步增加,细胞增殖抑制率也随之升高.各时间段数据经方差分析,差异有统计学意义(F值分别为16.56,18.57,15.9和19.56,P值均＜0.01).当不同浓度氟达拉滨(Fludarabine)与STI571联用36h后,其q值分别为1.00,1.16和1.19,参照q值标准,说明两药联用具有协同作用.结论 氟达拉滨与STI571联用能明显增强其抑制K562细胞增殖能力,明显降低K562细胞的耐药性,对治疗效果有明显提高,指导临床治疗.

摘要： 目的：研究亚砷酸（As2O3）、STI571联用对多发性骨髓瘤（MM）细胞周期及其调节蛋白表达的影响，为As2O3和STI571联合应用于临床提供理论依据。方法用MTT法检测细胞生长抑制率；Western blot方法检测二者对细胞周期负性调控因子P16蛋白的表达情况；用流式细胞仪对干预72 h的SP2/0细胞进一步进行细胞周期分析，以明确该蛋白所影响的细胞周期调控点。结果在As2O3和（或）STI571作用下SP2/0细胞生长受抑伴随活力下降，Western blot方法检测出P16蛋白表达呈时间剂量依赖关系，流式细胞仪DNA含量分析发现As2O3、STI571使SP2/0细胞主要阻滞于G1期，未出现凋亡峰。结论 As2O3和STI571均有抑制SP2/0细胞增殖和上调细胞周期抑制蛋白P16的表达，两药联用效果更佳。%Objective To explore the effects of STI571 in combination with As2O3 on proliferation and expression of cyclin dependent kinase inhibitors (CDKIs) of the SP2/0 cells and provide theoretical basis for clinical application. Methods Cell proliferation was detected by MTT methods;Western blot technique was used to detect the expression of cyclin dependent kinase inhibitors (P16 protein) in SP2/0 cell;the DNA content of MM cell line SP2/0 was analysed by flow cytometry after exposure to As2O3 and/or STI571. Results The proliferation of SP2/0 cells was inhibited and the viability of SP2/0 was decreased after exposure to As2O3 and/or STI571. Western blot result showed the expression of P16 protein has significant difference in the different density and different time of As2O3 and/or STI571 groups in the SP2/0 cell. DNA flow cytometry analysis showed that As2O3 and/or STI571 induced most of SP2/0 cells arrest at G1 phase and decrease significantly in S phase. Conclusion One of the pharmacological mechanisms of STI571 combination with As2O3 is to activate or upregulate the expression of protein P16 and consequently affect cell proliferation cycle.

摘要： 目的：建立1株耐STI571的K562细胞，并对其生物学特性进行研究分析，探讨耐药机理。方法：通过递增STI571药物浓度的方法，成功建立1株耐STI571人白血病细胞株K562/R，并采用RT-PCR、Western-blot、免疫组化、基因测序等生物学手段对其进行耐药机理进行分析。结果：K562/R细胞株在STI571浓度高达1μmol/L水平，仍能稳定生长，繁殖旺盛。K562/R细胞株耐STI57程度较亲代K562细胞多达235倍，该耐药细胞株对HHT﹑VCR﹑DNR具有不同程度的交叉耐药性，与亲代K562细胞比较差异有统计学意义（P<0.05）。与亲代敏感株K562细胞相比，其BCR-ABL基因表达上调，BCR-ABL蛋白及其激酶过度表达。结论：成功建立耐STI571人白血病细胞株K562/R，并对其生物学特性的研究，为STI571耐药机制的进一步深入研究和抗耐药抑制剂的筛选提供了有效的平台。%Objective:To establish a STI571-resistant K562 cell line and investigate its biological characteristics and resistance pathogenesis.Method:By incrementing STI571 concentration,a human leukemia cell line K562/R was established successfully,which had strain resistant to STI571,and investigated its biological characteristics and resistance pathogenesis used RT-PCR,Western-blot,immunohistochemistry and gene sequencing. Result:The K562/R cell line was steady growth and exuberant reproduction at the circumstance contained 1μmol/L STI571. Compared to parental K562 cells,its resistance level to STI57 up to 235 times,at the same time it had varying degrees cross-resistance to HHT, DNR and VCR,compared with K562 cells,the difference was statistically significant(P<0.05). Compared with the parental sensitive K562 cells,BCR-ABL gene expression level was raised,BCR-ABL protein and its kinase expression excessive.Conclusion:Successfully establish a STI571-resistant human leukemia cell line K562/R,and investigate its biological characteristics and resistance pathogenesis,those provided an effective platform for further research of STI571 drug resistance mechanism and screening for anti-drug inhibitor.

摘要： 本研究旨在探讨STI571单独应用及与三氧化二砷(arsenic trioxide,As2O3)联合应用对K562细胞增殖、凋亡及凋亡相关因子caspase-3、bcl-xL mRNA表达的影响.用MTT法检测各组K562细胞在药物作用各时间点(24、48、72小时)的OD值,以评估药物对细胞增殖的作用;Annexin V/PI荧光标记法检测K562细胞的凋亡率;实时荧光定量PCR检测K562细胞caspase-3、bcl-xL mRNA的表达.结果表明:STI571单独应用及与As2O3联用均可抑制K562细胞的增殖.各实验组的OD值随着实验时间的延长而降低,各时间点之间的差异具有显著性(p<0.05),且各实验组均在72小时时OD值降低最明显.在同一时间点,与对照组相比较,各实验组的OD值均逐渐降低(P<0.05),其中实验5组下降最明显.流式细胞仪检测发现,对照组的凋亡率随着时间的延长无明显变化;各实验组的凋亡率随着时间的延长逐渐上升,各时间点之间的差异具有显著性(p<0.05),以72小时时上升最为明显;在同一时间点,与对照组相比较,各实验组的凋亡率均逐渐上升(P<0.05),其中以实验5组的凋亡率上升最明显.实时荧光定量PCR检测发现,与对照组相比,各实验组bcl-xL mRNA的表达减弱,出现了2-△△CT值的减小,且减小程度实验3组大于实验2组(p<0.05);与对照组相比,各实验组caspase-3 mRNA的表达增强,出现了2-△△CT值的增大,且增大的程度实验3组大于实验2组(P<0.05).结论:STI571单独应用时能够抑制K562细胞增殖,加速其凋亡.STI571联合As2O3对K562细胞抑制增殖及加速凋亡的作用加强.两药联合后Caspase-3 mRNA的表达较STI571单独应用时增强而bcl-xL mRNA的表达减弱.影响凋亡相关因子caspase-3、bcl-xL mRNA的表达,可能是As2O3与STI571联合抗白血病细胞产生协同作用的分子机制之一.

摘要： 目的:建立体外培养的永生化胃肠道间质瘤细胞系,并测定其对STI571的药物敏感性.方法:用中性蛋白酶消化法从胃肠道间质瘤新鲜标本中分离出间质瘤细胞,以含端粒酶逆转录酶(hTERT)和猿猴病毒40大T抗原(SV40LT)的重组逆转录病毒感染对其进行永生化;然后,用MTT法测定STI571对该细胞系的药物敏感性.结果:永生化的胃肠道间质瘤细胞,呈短梭形或不规则形状,单层生长.Western blot 检测表明该细胞系表达c-kit 、c-abl、hTERT、SV40LT蛋白.MTT结果显示STI571对此细胞有较显著的抑制作用.结论:建立的细胞系具有胃肠道间质瘤细胞的特征,可作为体外研究胃肠道间质瘤发病和耐药机制的重要手段之一.

摘要： 目的:探讨慢病毒载体介导RNA干扰(RNAi)抑制血管内皮生长因子(VEGF)基因表达对白血病细胞系K562增殖和凋亡的影响. 方法:构建靶向VEGF基因的短发夹状RNA(shRNA)慢病毒载体,与慢病毒包装质粒通过脂质体转染至293T细胞,包装产生的病毒液感染K562细胞.采用实时荧光定量PCR、Western blotting、ELISA等方法检测RNAi对K562细胞VEGF mRNA和蛋白表达的影响;台盼蓝拒染法和MTT法分析转导VEGF-shRNA对K562细胞增殖的影响;流式细胞术检测经STI571(甲磺酸伊马替尼)作用后细胞凋亡变化情况. 结果:构建VEGF基因shRNA慢病毒载体(pRNAT-shRNA),并成功将其导入K562细胞.与K562和K562-con(转导空载体)组细胞相比,转导pRNAT-shRNA的K562-shVEGF细胞VEGF mRNA和蛋白表达均显著下降;生长曲线提示K562-shVEGF细胞增殖速度减慢;在STI571作用下,K562-shVEGF细胞凋亡率较K562和K562 -con组细胞明显增高(P<0 05).结论:慢病毒载体介导的VEGF基因RNA干扰可有效抑制K562细胞增殖,并能够增强细胞对STI571的敏感性.

摘要： 本研究应用基因芯片探讨酪氨酸激酶抑制剂(STI571)对K562细胞生长、增殖的影响,研究STI571诱导细胞凋亡过程中基因表达的变化及STI571诱导K562细胞凋亡的机制.用RD-PCR技术制备基因芯片探针,然后制成K562细胞表达谱芯片;用相差显微镜观察K562细胞在STI571处理前后的形态变化;用MTF法检测K562细胞的凋亡,用制备的K562细胞表达谱芯片分析基因表达水平.结果表明,在体外培养条件下用1.0 μmol/L的STI571处理K562细胞达到一定时间(24小时)后,K562细胞生长明显变缓,出现凋亡细胞的特征.用自制的K562细胞基因表达谱芯片检测显示,STI571诱导K562细胞凋亡前后的基因表达有差异.杂交检测后发现,经STI571诱导后基因表达下调的基因有9个,表达上调的基因有4个.这些表达变化的基因主要包括细胞周期相关基因、细胞代谢通路相关基因、信号转导和转录调节相关基因及抗凋亡基因.结论:STI571能有效抑制K562细胞生长,诱导K562细胞凋亡;筛选获得的靶基因在K562细胞恶性转化过程中发挥了重要作用,这为药物靶基因的筛选提供了理论基础.

摘要： 目的 体外建立对STI571耐药的K562细胞系(简写为K562-R),并对其耐药机制进行初步分析.方法 用药物浓度逐步递增的方法培养野生型K562细胞(简写为K562-W).绘制K562-R生长曲线,MTT法检测STI571、阿霉素(adriamycin,ADR)和三尖杉酯碱(harringtonine,HT)时K562-R的细胞毒作用,Hoechst33342染色检测STI571对K562-R诱导凋亡作用.流式细胞术检测K562-R的MDR-1表达情况;基因测序检测K562-R的Abl激酶ATP结合区点突变情况;间期荧光原位杂交(interphasal fluorescence in situ hybridization,Ⅰ-FISH)检测Bcr/Abl融合基因扩增情况.结果 生长曲线绘制结果表明K562-R在0.5 μmol/L的STI571环境中可呈指数增长;MTT法检测STI571对K562-W和K562-R的半数抑制浓度(50% inhibiting concentration,IC50)分别为(1.64±0.13)μmol/L和(3.32±0.05)μmol/L,K562-R的耐药倍数为(2.04±0.16)倍,而ADR和HT对两种细胞毒性作用均呈剂量依赖性反应,耐药前后差异无显著性(P值分别为0.472和0.108);Hoechst 33342细胞凋亡试验表明STI571对K562-W诱导凋亡作用呈剂量依赖性,对K562-R作用减弱.流式细胞术检测K562-R和K562-W的MDR-1表达率分别为2.68%和1.39%(P＜0.001),基因测序表明两种细胞Abl激酶ATP结合区序列完全一致;Ⅰ-FISH检测初步观察K562-R的Ber/Abl融合信号拷贝数增多(P＜0.001).结论 体外成功建立STI571耐药的K562细胞系,其耐药机制可能与Bcr/Abl融合基因扩增有关.

摘要： @@ 小细胞肺癌(small cell lung cancer, SCLC)以其复杂的病理生物学特性和高恶性程度正引起医学界的广泛注意.因为目前尚缺乏有效的治疗方法,致使95%以上的患者最终死于SCLC.

摘要： 目的:初步探索真核细胞翻译起始因子4E(eW4E)在慢性粒细胞白血病(CML)不同病程,包括慢性期(CP)、加速期(AP)、急变期(BC)、急变治疗后(BC-R)骨髓细胞中mR-NA表达及其在K562细胞中的表达影响因素.方法:RT-PCR检测25例骨髓样本[CML急变期(CML-BC)10例,慢性期(CML-CP)8例,加速期(CML-AP)1例,急变期治疗后(CML-BC.a)3例,贫血对照3例]elF4E mRNA表达,及其中9例CML elF4E和RNA结合蛋白K(hnRNP K)mRNA表达,并分析两种基因表达相关性.用酪氨酸激酶抑制剂STI571处理K562细胞,并用ImRNP K短发夹RNA(shRNA)逆转录病毒载体感染K562细胞,经G418稳定筛选,分别检测elF4E mR-NA表达变化.结果:与贫血对照组相比,CML-BC和CML-BC.R eW4E rnPNA表达差异有统计学意义(P＜0.05),而与CML-CP无统计学意义,ImRNP K与elF4E mRNA表达呈线性相关(r=0.79,P＜0.01).STI571能轻微下调K562细胞elF4E mRNA表达.hnRNP K干扰组hnRNP K和eIF4E mRNA表达比空载对照组分别下降55.22%,55.27%.结论:CML急变期eW4E mRNA表达显著增高,BCR/ABL融合蛋白可能参与调节eW4E mRNA表达但效应有限,hnRNP K分子在eIF4E mBNA表达调控中可能发挥一定作用.

摘要： 近年来,分子生物学等技术的进展使BCR/ABL的生物特性和CML发病的分子机制逐渐被阐明,也使CML的治疗取得了巨大进步.本文扼要介绍了CML的主要治疗方法.

摘要： 近年来,分子生物学等技术的进展使BCR/ABL的生物特性和CML发病的分子机制逐渐被阐明,也使CML的治疗取得了巨大进步.本文扼要介绍了CML的主要治疗方法.

摘要： 近年来,分子生物学等技术的进展使BCR/ABL的生物特性和CML发病的分子机制逐渐被阐明,也使CML的治疗取得了巨大进步.本文扼要介绍了CML的主要治疗方法.

摘要： 近年来,分子生物学等技术的进展使BCR/ABL的生物特性和CML发病的分子机制逐渐被阐明,也使CML的治疗取得了巨大进步.本文扼要介绍了CML的主要治疗方法.

摘要： 本发明公开了一种用于氧化硅/氮化硅双内壁保护层的STI-CMP方法、以及采用所述方法制作STI结构的方法，使用具有较高的氧化硅对氮化硅的研磨速率比的研磨液研磨去除沟槽二氧化硅填充层并且停在氮化硅保护层上，接着用具有较高的氮化硅对氧化硅研磨速率比的研磨液研磨氮化硅保护层，在完全去除氮化硅保护层之后，再使用原来的具有较高的氧化硅对氮化硅的研磨速率比的研磨液研磨二氧化硅保护层，最终停留在氮化硅阻挡层之上。从而避免了传统STI制作方法中额外的去除氮化硅保护层和二氧化硅保护层的湿法刻蚀步骤，降低了工艺复杂度，并有利于提高晶圆表面的平坦度。

摘要： 本发明公开了一种抑制具有浅沟道隔离槽(STI)的硅片缺陷的方法，在硅片的硅基底(101)上依次沉积衬垫氧化物层(103)，氮化硅层(104)；将光刻胶覆盖在硅片表面并进行图样转印过程处理，以光刻胶为掩膜对所述氮化硅、衬垫氧化物以及硅片进行蚀刻构造出底部在硅基底(101)中的浅沟道隔离槽结构，其特征在于，在所述硅片上沉积氮化硅层(104)之后，且将光刻胶覆盖在硅片表面并进行图样转印过程处理之前，包括如下步骤：对所述硅片进行第一退火处理，以消除硅片的内应力。本发明还公开了其他的抑制具有STI的硅片缺陷的方法以及在硅片上构造STI的方法。本发明方案可以有效消除硅片的内应力，从而抑制由于内应力导致的STI边角处的微裂纹以及硅基底表面缺陷的产生。

摘要： 本发明一个或多个实施例公开了一种STI结构的制作方法、STI结构及半导体器件，其中，STI结构的制作方法包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底上形成沟槽；对所述沟槽的内壁进行掺杂；在所述沟槽中填充隔离介质，以该方法制作的STI结构可增强半导体器件的抗辐照能力。

摘要： 本发明公开了一种用于氧化硅/氮化硅双内壁保护层的STI-CMP方法、以及采用所述方法制作STI结构的方法，使用具有较高的氧化硅对氮化硅的研磨速率比的研磨液研磨去除沟槽二氧化硅填充层并且停在氮化硅保护层上，接着用具有较高的氮化硅对氧化硅研磨速率比的研磨液研磨氮化硅保护层，在完全去除氮化硅保护层之后，再使用原来的具有较高的氧化硅对氮化硅的研磨速率比的研磨液研磨二氧化硅保护层，最终停留在氮化硅阻挡层之上。从而避免了传统STI制作方法中额外的去除氮化硅保护层和二氧化硅保护层的湿法刻蚀步骤，降低了工艺复杂度，并有利于提高晶圆表面的平坦度。

摘要： 本发明公开了一种抑制具有浅沟道隔离槽(STI)的硅片缺陷的方法，在硅片的硅基底(101)上依次沉积衬垫氧化物层(103)，氮化硅层(104)；将光刻胶覆盖在硅片表面并进行图样转印过程处理，以光刻胶为掩膜对所述氮化硅、衬垫氧化物以及硅片进行蚀刻构造出底部在硅基底(101)中的浅沟道隔离槽结构，其特征在于，在所述硅片上沉积氮化硅层(104)之后，且将光刻胶覆盖在硅片表面并进行图样转印过程处理之前，包括如下步骤：对所述硅片进行第一退火处理，以消除硅片的内应力。本发明还公开了其他的抑制具有STI的硅片缺陷的方法以及在硅片上构造STI的方法。本发明方案可以有效消除硅片的内应力，从而抑制由于内应力导致的STI边角处的微裂纹以及硅基底表面缺陷的产生。

摘要： 本申请公开了一种提高STI浅沟槽填充能力的方法，包括：STI浅沟槽完成第一次填充物沉积后，去除部分所述第一次填充物，使所述第一次填充物内部的空洞外露；完成STI浅沟槽第二次填充物的沉积。在提高STI浅沟槽填充能力的方法中，通过两次进行STI的沟槽填充，在两次STI沟槽填充的步骤间，通过化学机械研磨使第一次STI沟槽填充完之后填充物内部出现的空洞外露，以使第二次STI沟槽填充后，确保STI填充物中不会出现空洞。

摘要： 本申请公开了一种STI结构形成方法，包括：提供半导体衬底；在半导体衬底上依次形成衬垫氧化层和衬垫氮化层；在垫衬氮化层上旋涂光刻胶，利用携带能量的惰性气体硬化光刻胶；以光刻胶为掩模刻蚀衬垫氧化层和衬垫氮化层至半导体衬底的上表面，去除光刻胶；以剩余的垫氮化物层和剩余的垫氧化物层为掩模刻蚀半导体衬底形成浅沟槽凹槽；在浅沟槽凹槽里沉积沟槽氧化物层。本发明提供的STI结构形成方法，在利用光刻胶作为掩模进行刻蚀前，利用携带能量的惰性气体对光刻胶进行了硬化处理，可以保证不在损耗光刻胶的情况下有效地硬化光刻胶，明显改善了光刻胶表面线性粗糙度，从而达到STI结构要求。

摘要： 本发明公开了一种适用于新型存储结构的Sti清洗工艺，涉及到半导体制造技术领域，包括化学药液清洗、超纯水清洗、干燥及表面覆盖处理、超临界流体植入、异丙醇的排出、超临界流体的排出、超临界流体的回收等操作步骤，能够实现对晶圆表面的清洗、干燥处理，且能够取出晶圆表面的硅氧化物，可以避免晶圆表面的水分子及异丙醇分子的张力拉拔图形化崩毁之现象产生。

摘要： 本申请公开了一种STI结构的制备方法，包括：在硬掩模层上形成O3型氧化层，硬掩模层形成于第一氧化层上，第一氧化层形成于衬底上；在O3型氧化层、硬掩模层和衬底中形成沟槽；形成第二氧化层，第二氧化层覆盖沟槽表面；形成第三氧化层，第三氧化层填充沟槽；通过CMP工艺进行平坦化，使沟槽外的硬掩模层暴露。本申请通过在STI结构的制备过程中，在硬掩模层上形成O3型氧化层，由于存在O3型氧化层作为缓冲层，能够降低后续的CMP工艺的研磨速率，从而能够改善CMP工艺后的形貌，降低了碟形缺陷，进而提高了产品的可靠性和良率。

摘要： 本发明提供一种阶梯型STI辅助式场板的LDMOS器件及其制备方法，包括第一导电类型衬底、第一导电类型外延层、第一导电类型阱区、第二导电类型漂移区、第二导电类型源区、第一导电类型重掺杂区和隔离介质区，所述隔离介质区为中间深、两侧浅的结构；还包括第二导电类型漏区、隔离栅介质层、栅电极、钝化层、源极金属电极和漏极金属电极。本发明通过利用多层台阶式STI技术，通过一次成型的栅电极场板达到多层场板的电场优化效果，在提升器件阻断能力的同时利用正向导通时的栅控电荷辅助导电，进一步降低器件的导通电阻。