抑制具有STI的硅片缺陷的方法及在硅片上构造STI的方法

摘要

本发明公开了一种抑制具有浅沟道隔离槽(STI)的硅片缺陷的方法，在硅片的硅基底(101)上依次沉积衬垫氧化物层(103)，氮化硅层(104)；将光刻胶覆盖在硅片表面并进行图样转印过程处理，以光刻胶为掩膜对所述氮化硅、衬垫氧化物以及硅片进行蚀刻构造出底部在硅基底(101)中的浅沟道隔离槽结构，其特征在于，在所述硅片上沉积氮化硅层(104)之后，且将光刻胶覆盖在硅片表面并进行图样转印过程处理之前，包括如下步骤：对所述硅片进行第一退火处理，以消除硅片的内应力。本发明还公开了其他的抑制具有STI的硅片缺陷的方法以及在硅片上构造STI的方法。本发明方案可以有效消除硅片的内应力，从而抑制由于内应力导致的STI边角处的微裂纹以及硅基底表面缺陷的产生。