碳化

摘要： 采用X-ray衍射、热重分析、傅里叶红外光谱和扫描电镜等测试手段研究粘胶纤维在低温热处理和碳化阶段的结构演变,分析了粘胶纤维在各个不同温度处理阶段的晶态结构、热失重行为、分子结构和表面形貌的变化规律。研究结果表明:粘胶纤维经过不同温度热处理后,晶区经历了增长、破坏及碳网平面形成;纤维在升温过程中发生了四段不同的热裂解过程,最终形成了类石墨组织结构;同时纤维表面缺陷随着温度的升高先增大后逐渐减少,但表面仍有缺陷存在。

摘要： 为丰富混凝土碳化深度的计算理论,采用超声波测试仪对水胶比为0.37、0.45、0.53,粉煤灰等质量替代水泥为0%、30%、60%,100mm×100mm×400mm的混凝土试件经快速碳化0 d、7 d、14d、21d、28d后的超声波波速进行了测试。定义相对波速K,分析了碳化后超声波波速随粉煤灰掺量及水胶比的变化趋势,采用函数拟合了碳化深度与相对波速之间的关系。结果表明:混凝土碳化后波速增大,碳化部位的波速增加幅度大致处在3%~9%之间;当粉煤灰的掺量为0%时,碳化混凝土试件的相对波速都随着水胶比的增大而有所增大,当粉煤灰的掺量为30%以及60%时,碳化混凝土试件的相对波速都随着水胶比的增大而减小;相对波速与混凝土碳化深度间的二次函数关系拟合良好,在实际应用中可以根据混凝土波速的变化大概判断混凝土的碳化深度,丰富了混凝土碳化深度的理论计算形式。

摘要： 高腐蚀环境下混凝土结构碳化现象非常普遍,影响混凝土结构的功能发挥和使用安全,需要对结构混凝土碳化及时进行修复,以确保结构使用安全和延长使用寿命。通过实例对高腐蚀环境下混凝土结构碳化修复工艺及处理方法进行研究,总结出高腐蚀环境下混凝土碳化修复的施工方法。

摘要： 通过壳聚糖和Fe^(2+)的螯合后再通过高温碳化制备过硫酸盐催化剂,并测定其催化活化过硫酸盐的性能和机理。结果表明,900°C碳化温度下制备的催化剂性能最强,在5 min内去除效率已经超过60%,60 min内去除效率接近100%,该催化剂最优的反应p H为5~7,重复利用性很强,10次仍保持高活性,其机理主要是通过催化分解过硫酸盐产生硫酸根自由基来降解有机物。

摘要： 混凝土碳化严重影响混凝土的质量和服役寿命,减水剂能提高混凝土的抗碳化性能。采用新型聚醚大单体于低温条件,在氧化还原引发剂作用下进行自由基共聚反应,制得高和易性聚羧酸减水剂(W-PCE),并探讨其对混凝土碳化性能的影响。试验结果表明:W-PCE的最佳工艺为:酸醚比3.5,抗坏血酸、巯基乙醇、聚乙二醇单甲醚酯化大单体用量分别为VPEG质量的0.2%、0.8%和9%;合成W-PCE的分散性好,掺W-PCE混凝土和易性好、早期碳化速度慢、抗碳化性能较好;粉煤灰的掺入在一定程度上降低了混凝土的早期抗碳化性能。

摘要： 随着交通工程的快速发展,西藏、云南、新疆、四川等高地热高热水地区出现了越来越多的高地温隧道。高地温环境下喷射混凝土存在"先天性"劣化,其耐久性能不容忽视。本文通过实验探究了喷射混凝土在不同养护温度和不同碳化龄期下的抗碳化性能,并给出了高温变温养护条件下隧道喷射混凝土碳化深度的预测公式。实验结果表明:高温养护的喷射混凝土碳化深度比标准养护的喷射混凝土更深,且碳化速率随养护温度的升高而增大,因而其抗碳化性能明显降低。碳化反应生成碳酸钙使喷射混凝土密实度增加,其力学性能随碳化龄期逐渐增强。

摘要： 聚酰亚胺(Polyimide,PI)是一种以二酐和二胺为原料,热亚胺化后合成的聚合物。PI作为电池电极材料,具有理论容量高、机械强度大和易于回收的优点,但是它的绝缘性限制了内部活性位点的利用率,导致电池的倍率性能较差。本文综述了通过构建共轭结构来提高结构稳定性和引入羰基结构增加PI氧化还原中心(C=O)位点,以获得更高电池容量的研究策略,介绍了碳化PI和与石墨烯、碳纳米管的杂化以及使用静电纺丝工艺对PI作为电池电极的电化学性能的改进,对基于PI的其他复合材料的研究进行了总结,并对目前PI的研究方向进行了展望。

摘要： 将飞灰、污泥灰等废渣用于制备C30、C60等级环境友好型混凝土,测试了三年龄期混凝土的碳化深度与抗压强度,采用MIP、XRD、SEM-EDS、FT-IR分析了试样孔结构、碳化产物、微观形貌等,探究了环境友好型混凝土长期抗碳化性能及其影响因素,为固体废弃物综合利用提供了数据支撑。结果表明:飞灰用于制备环境友好型混凝土,其抗碳化性能整体较优;降低孔隙率以及细化孔结构将是抑制混凝土碳化的有效方式。水胶比为0.30的CK60试样,孔隙率为4.72%,碳化深度仅为0.7 mm。长龄期条件下,完全碳化区的孔隙率会降低,这是由于大量立方体形貌的CaCO_(3)晶体的形成优化了孔结构。1450 cm^(-1)处O-C-O非对称伸缩吸收峰的峰形变尖锐,峰强变强,与CaCO_(3)衍射峰相对增强的分析结果均证实了CaCO_(3)晶体的形成。

摘要： 电石渣作为一种工业废渣,其碱度较高,综合利用率较低。为了解决过量的电石渣,利用电石渣的强碱性,研究了电石渣对矿渣胶凝体系的碱激发性能。利用电石渣碳化反应可生成碳酸钙的特性,探索了不同碳化制度对电石渣碱激发矿渣胶凝体系的性能影响规律。结果表明:大掺量电石渣对矿渣胶凝材料有很好的碱激发效果,生成大量的C-(A)-S-H凝胶,而复掺粉煤灰和偏高岭土胶凝体系性能最佳;电石渣-矿渣复合胶凝体系经过不同碳化制度处理后,胶凝体系力学性能有效提升;使用CO_(2)气体作为外部碳化源,材料基体表层生成致密结构,基体力学性能提升;使用尿素作为内部碳化源,基体内部碳化均匀,胶凝体系力学性能提升。

摘要： 沿海水闸处于复杂的工作环境之中,对水闸寿命有重要影响。文章采用理论分析+现场检测的方法,对沿海地区水闸工程的碳化问题和长期服役性能进行了研究。结果表明:氯离子侵蚀和海水腐蚀环境会加速水闸混凝土的碳化,同时水位变动区的碳化损伤又显著大于其他区域的碳化损伤;对沿海地区水闸闸墩碳化的可靠度指标进行计算,得到沿海地区不同水闸的长期服役状态,得出需要对三里闸、烧香河闸以及车轴河闸闸墩进行大修或者拆除重建的结论;根据研究结果,提出了防碳化处理措施和碳化处理方法,可为沿海地区水闸工程的长期运行提供借鉴。

摘要： 本文探讨了混凝土碳化的机理,分析了影响碳化速率与深度的因素，研究了碳化的检测、质量指标，并就碳化与工程实际中的一些问题提出：现在对碳化存在一些误区，有的是解读过度，有的则是重视不够.

摘要： 水泥土碳化是水泥土劣化最常见的一种形式,碳化将会降低固化土pH值、酸中和能力以及固化土强度.本文总结分析水泥固化土及混凝土的碳化机理,并从材料、环境和施工三个方面归纳水泥固化土碳化的主要影响因素及其影响规律.

摘要： 纳米碳酸钙的合成机理较为复杂，存在Ca(OH)2-CO2-H2O等固液气的多相体系。其反应过程包含有气、液、固的相互作用和相互反应，存在着物理、化学的变化。反应物的浓度、体系的温度和搅拌速度等都直接或间接地影响到CaCO3粒径大小和晶体的形状。因此，必须要研究一种反应器，能解决反应物的溶解与吸收、生成物的分散性问题，并且要尽可能降低生产成本。本文主要研究了搅拌碳化釜的设计以及其在碳酸钙生产过程中的应用，在不同的搅拌转速下，在一定的工艺条件下合成了高品位的卷烟纸专用轻质碳酸钙、硅酮密封胶专用纳米碳酸钙，并比较了成本问题。结果表明，搅拌碳化釜为低成本、高质量、高产量、高稳定性轻质碳酸钙合成的理想设备。

摘要： 工程实际证明，采用两种或两种以上矿物原料复合，并掺入各种改性剂，可以达到优势互补，比单一品种更有利于改善混凝土综合性能。本文研究了粉煤灰、矿渣、硅粉各自的二次水化作用，及其对高性能混凝土孔结构的影响，探讨了孔结构对混凝土抗渗性能的影响，分析了矿物掺合料复掺时对混凝土碳化性能的影响。结果表明：单掺粉煤灰、矿渣对混凝土抗碳化性能是没有明显改善，但是当粉煤灰掺量不大于40％时，与矿渣粉复合使用，可以改善混凝土的抗碳化性能。单掺硅粉在早期养护好的情况下，能稍微的改善碳化深度，但是若早期养护不好，则会增加碳化深度。当硅粉与粉煤灰、矿渣复合使用时，则能充分利用其高抗腐蚀性和高抗渗性，提高混凝土的抗碳化性能。

摘要： 在一般大气环境下，混凝土中性化是引起钢筋混凝土结构中钢筋发生锈蚀的主要原因。全球大气环境污染加重使混凝土结构所处的环境越发恶劣，直接导致混凝土结构的耐久性下降，影响建筑物的使用寿命。通过酸雨和碳化共同作用下混凝土中性化性能试验，实验结果表明酸雨对混凝土碳化过程有抑制作用，酸雨和碳化的耦合作用使混凝土中性化程度小于单独酸雨作用和单独碳化作用的直接叠加结果。

摘要： 本文系统研究了在粉煤灰掺量为40﹪的混凝土中,掺加HCSA和ZY膨胀剂对碳化性能的影响。结果表明,掺加膨胀剂能够有效减缓混凝土的碳化速率,由于膨胀剂水化机理不同,抗碳化的作用机理也不同,膨胀源中含有Ca(OH)的膨胀剂,作用机理是密实混凝土和增加体系中的Ca(OH)含量,膨胀源仅是钙矾石的膨胀剂,则是密实混凝土。膨胀源中含有Ca(OH)的膨胀剂,抗碳化性能更好一些,适用范围也较宽,对大掺量粉煤灰混凝土效果较好。膨胀源是钙矾石类的膨胀剂更适于小掺量粉煤灰混凝土,两类膨胀剂有各自的最佳掺量。

摘要： 文章阐述了国内外激光切割行业技术水平现状,激光加工技术在中国的广阔市场,介绍紫外(UV)激光切割系统的结构及运动控制原理,论述爱思达紫外激光切割机在碳化处理和切割效率上等取得的技术突破及其所带来的深远意义。

摘要： 本文介绍了高性能再生混凝土产生的背景，分别讲述了国内外在该领域的研究现状，同时提出了高性能再生混凝土骨料取代、碳化对其抗氯离子侵蚀能力影响等尚需进一步解决的问题，最后对其自身如何轻量化以及断裂性能的研究进行了展望，指出高性能再生混凝土是普通再生混凝土发展成熟后必将进入的一个新的研究领域，拥有广阔的前景。

摘要： 研究了银助剂对费-托合成铁基催化剂的结构性质和还原行为的影响。结果表明：加入银助剂降低了催化剂的比表面积，增大了平均孔径，抑制了催化剂中铁氧化物的分散。在氢气的程序升温还原(H2-TPR)中，银助剂促进了催化剂在H2中的还原。在CO的程序升温还原(CO-TPR)中，银助剂抑制了催化剂在CO中的还原和碳化。合成气还原后催化剂的穆斯堡尔谱结果同样表明，银助剂降低了催化剂在合成气中的还原和碳化。

摘要： 作为污泥处理的责任实体，当一个污水处理厂计划进行污泥处理时，他们必须要解决：(1)污泥处理项目实施的独立性，(2)污泥处理项目的经济性，(3)污泥处理过程的可控性，(4)污泥处理系统的稳定性。干馏法处理污泥制备生物炭在污水处理厂内进行处理，使污水处理厂处理污泥时具有独立性，可控性经济性和稳定性。生物炭用于修复人类活动对环境造成的损害，实现了污泥的资源化、无害化、减量化处置。

摘要： 本发明涉及了类碳化硼相‑碳化硅或类碳化硼相‑碳化硅‑碳化硼复相陶瓷材料及其制备方法，所述复相陶瓷包括由碳化硼和Si粉高温反应形成的类碳化硼相和碳化硅相，所述类碳化硼相的化学组成为B12(B,C,Si)3，所述复相陶瓷中类碳化硼相的体积分数为40～90%。本发明以碳化硼和Si粉为原料，高温反应生成碳化硅粉体和类碳化硼粉体，再经烧结制得含有碳化硅相和类碳化硼相的复相陶瓷，即类碳化硼相‑碳化硅复相陶瓷材料，类碳化硼的晶格参数接近碳化硼，然后其比碳化硼更容易烧结，从而本发明提供的复相陶瓷兼具有碳化硼、碳化硅的优异性能，且易烧结，致密度高。

摘要： 制造在石墨等碳基材的表面致密且均匀地包覆有碳化硅覆膜的碳化硅包覆碳基材。其特征在于，包括：准备在表面具有由没有悬空键的SP

摘要： 一种碳化硅外延基板的制造方法，其包括：在碳化硅单晶基板上外延生长第一层的步骤(S1)；和在所述第一层的最外表面形成第二层的步骤(S2)，所述第二层具有不同于所述第一层的化学组成或密度。所述第二层的厚度对所述第一层的厚度的比率大于0％且小于等于10％。

摘要： 本发明涉及了类碳化硼相-碳化硅或类碳化硼相-碳化硅-碳化硼复相陶瓷材料及其制备方法，所述复相陶瓷包括由碳化硼和Si粉高温反应形成的类碳化硼相和碳化硅相，所述类碳化硼相的化学组成为B12(B,C,Si)3，所述复相陶瓷中类碳化硼相的体积分数为40～90%。本发明以碳化硼和Si粉为原料，高温反应生成碳化硅粉体和类碳化硼粉体，再经烧结制得含有碳化硅相和类碳化硼相的复相陶瓷，即类碳化硼相-碳化硅复相陶瓷材料，类碳化硼的晶格参数接近碳化硼，然后其比碳化硼更容易烧结，从而本发明提供的复相陶瓷兼具有碳化硼、碳化硅的优异性能，且易烧结，致密度高。

摘要： 一种具有主表面(第二主表面(2A))的碳化硅外延衬底(10)，其包含：基础衬底(1)，以及形成在所述基础衬底(1)上并包括所述主表面(第二主表面(2A))的碳化硅外延层(2)，所述第二主表面(2A)具有0.6nm或更低的表面粗糙度，在包括所述主表面(第二主表面(2A))的表面层处的所述碳化硅外延层(2)中的氮浓度的所述碳化硅外延衬底(10)平面内的标准偏差与在所述表面层处所述碳化硅外延层(2)中的氮浓度的所述碳化硅外延衬底(10)平面内的平均值之比，为15％或更低。

摘要： 制造在石墨等碳基材的表面致密且均匀地包覆有碳化硅覆膜的碳化硅包覆碳基材。其特征在于，包括：准备在表面具有由没有悬空键的SP

摘要： 一种碳化硅外延基板的制造方法，其包括：在碳化硅单晶基板上外延生长第一层的步骤(S1)；和在所述第一层的最外表面形成第二层的步骤(S2)，所述第二层具有不同于所述第一层的化学组成或密度。所述第二层的厚度对所述第一层的厚度的比率大于0％且小于等于10％。

摘要： 本发明一实施方式中的碳化硅晶锭(1)包括分别含有供体或受体、且交替配置的多个第一结晶层(3)和多个第二结晶层(4)，第二结晶层(4)中的供体或受体的浓度大于与其上部或下部相接的第一结晶层(3)中的供体或受体的浓度。

摘要： 一种制造碳化硅衬底的方法，包括以下步骤。制备具有第一主表面(80a)、第二主表面(80b)以及第一侧端部(80c)的碳化硅单晶衬底(80)，第二主表面(80b)与第一主表面(80a)相反，第一侧端部(80c)将第一主表面(80a)和第二主表面(80b)彼此连接，第一主表面(80a)的宽度(D)的最大值大于100mm。碳化硅外延层(81)形成为与第一侧端部(80c)、第一主表面(80a)以及第一主表面(80a)和第一侧端部(80c)之间的边界(80d)接触。去除形成为与第一侧端部(80c)和边界(80d)接触的碳化硅外延层(81)。因此，可抑制形成在碳化硅衬底上的二氧化硅层中产生的破裂。

摘要： 本发明提供能够得到具备表面缺陷等少、高品质的碳化硅单晶薄膜的外延碳化硅晶片的碳化硅单晶基板的制造方法以及碳化硅单晶基板。具备表面缺陷等少、高品质的碳化硅单晶薄膜的外延碳化硅晶片用碳化硅单晶基板的制造方法是：通过研磨速度为100nm/小时以下的CMP(化学机械研磨)法对碳化硅单晶基板的表面进行研磨来将表面除去100nm以上的厚度，使直径为0.5μm以上且1.5μm以下并且深度为50nm以上且500nm以下的大致圆形状的坑为1个/cm