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碳化硅包覆碳基材的制造方法、碳化硅包覆碳基材、碳化硅碳复合烧结体、陶瓷包覆碳化硅碳复合烧结体以及碳化硅碳复合烧结体的制造方法

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制造在石墨等碳基材的表面致密且均匀地包覆有碳化硅覆膜的碳化硅包覆碳基材。其特征在于，包括：准备在表面具有由没有悬空键的SP

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公开/公告号CN102482165B

专利类型发明专利
公开/公告日2014-01-22

原文格式PDF
申请/专利权人东洋炭素株式会社;
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申请/专利号CN201080039227.7
发明设计人中村正治;宫本钦生;东城哲朗;
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申请日2010-09-01
分类号
代理机构北京尚诚知识产权代理有限公司;
代理人龙淳
地址日本大阪府
入库时间 2022-08-23 09:17:52

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2020-08-18

未缴年费专利权终止 IPC(主分类):C04B35/52 授权公告日:20140122 终止日期:20190901 申请日:20100901

专利权的终止
2014-01-22

授权

授权
2014-01-22

授权

授权
2012-07-11

实质审查的生效 IPC(主分类):C04B35/52 申请日:20100901

实质审查的生效
2012-07-11

实质审查的生效 IPC(主分类):C04B 35/52 申请日:20100901

实质审查的生效
2012-05-30

公开

公开
2012-05-30

公开

公开

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