晶面

摘要： 合成了长宽比分别为1:2、1:3、1:4和1:5的4种一水草酸钙(COM)晶体COM-1:2、COM-1:3、COM-1:4和COM-1:5,采用X射线衍射、傅里叶变换红外光谱、扫描电子显微镜(SEM)、ζ电位仪和比表面测试仪等对其理化性质进行了表征。SEM图片显示晶体的宽度相近,但长度分别为(3±0.3)μm、(5.2±0.3)μm、(7.0±0.7)μm和(8.8±1.2)μm。随着反应温度升高,生成的晶体长度变长;搅拌速度越大,生成的晶体尺寸越小;随着添加剂明胶的浓度减小,COM晶体的(101)面被拉长。细胞活力、细胞总死亡率和活性氧检测表明,不同长宽比COM对人肾近端上皮细胞(HK-2)的毒性大小为COM-1:2>COM-1:3>COM-1:4>COM-1:5>对照组,SEM检测证明4种COM晶体均能够黏附到细胞表面。毒性差异与以下各原因呈正相关:晶体大比例的(101)晶面、大的比表面积、大的细胞-晶体剪切应力。

摘要： 以硫酸铝溶液和氨水为原料,采用共沉淀的方法合成氧化铝的前躯物拟薄水铝石。在pH为8.5~9和pH为5~6两种酸碱环境下,分别引入硫酸根离子、氯离子、草酸根离子以及硼酸根离子制备出不同拟薄水铝石样品,并借助X射线衍射、透射电子显微镜、N_(2)吸附-脱附等手段对其主要理化性质进行表征,探讨了不同阴离子对拟薄水铝石生长的影响及其可能的机理。研究结果表明,阴离子在拟薄水铝石各晶面上的吸附具有各向异性,被阴离子优先吸附的晶面生长受到一定程度的抑制。阴离子在拟薄水铝石表面的吸附受溶液pH的决定性影响:pH为5~6,即弱酸环境时,阴离子在晶面进行强选择性吸附,并依据选择性吸附的晶面的不同最终形成不同形貌的拟薄水铝石;反之,pH为8.5~9,即弱碱环境时,阴离子在晶面的吸附作用较弱,阴离子对晶面的导向生长作用对晶粒形貌的改变不明显。

摘要： 氢氧化镁作为绿色无卤阻燃剂,在复合材料阻燃领域备受关注。阻燃用氢氧化镁,除纯度、白度等常规指标外,要求氢氧化镁呈规则的六角片状,以保证在制备复合材料时的分散性。文章以卤水为原料,分别以氢氧化钠、氨水和三乙胺为沉淀剂,利用反应器制备耦合水热反应器制备了氢氧化镁。结果表明,以氢氧化钠为沉淀剂制备的氢氧化镁样品团聚严重,而以氨水和三乙胺制备的氢氧化镁分散性相对良好,呈不规则片状。耦合水热反应,釜底为有机溶剂抑制了(001)晶面的生长。釜底选用0.1 mol/L氢氧化钠可以制备六角片状氢氧化镁,样品白度、纯度和粒径满足阻燃用氢氧化镁指标。

摘要： 采用溶胶-凝胶-超临界干燥法、水热法及共沉淀法分别合成了氧化铈气凝胶(CeO2-A)、纳米棒(CeO2-R)和纳米片(CeO2-F).考察了不同形貌氧化铈的催化燃烧甲苯性能,通过多种方法分析表征了氧化铈样品的微观结构,讨论了不同方法制得的CeO2形貌结构对催化性能的影响.结果表明,CeO2-R和CeO2-F比表面积较低,并且仅暴露(111)晶面,催化燃烧甲苯活性较低.CeO2-A具有高比表面积和丰富的孔道结构,有利于反应物分子的吸附,而且同时暴露(100)和(111)两种活性晶面,增加了氧空位浓度(Osur/Olatt=0.25).此外,CeO2-A由于表面晶格氧移动性较强,有利于Ce3+/Ce4+氧化还原的循环,加快甲苯深度氧化反应的进行.因此,CeO2-A具有更加优异的催化燃烧甲苯活性,t50和t90分别为223和239°C,这主要归因于其大比表面积、高暴露活性晶面以及强晶格氧迁移性.

摘要： SiC作为一种综合性能优异宽禁带半导体,在金属氧化物半导体场效应晶体管中具有广泛的应用.然而SiC热氧化生成SiO2的过程具有各向异性,导致不同晶面上的氧化速率差异较大,这会对半导体器件的性能产生不利影响,因而研究SiC各个晶面上SiO2的生长规律尤其重要.建立有效合理的动力学模型是认识上述规律的有效手段.本文从反应机理和拟合准确度两方面对目前具有代表性的改进的Deal-Grove模型(Song模型和Massoud经验关系式)以及硅碳排放模型(Si-C emission model)进行系统研究和比较.在此基础上,分析已有模型的优缺点,提出本课题组建立的真实物理动力学模型应用的可能性,为SiC不同晶面氧化动力学的准确描述提供进一步优化和修正思路.

摘要： 目的探讨具有各向异性的氧化镓晶片不同晶面的研磨加工差异。方法通过化学气相沉积法制备了高质量的自支撑金刚石厚膜,采用扫描电镜及拉曼光谱对其进行表征,将其作为摩擦副材料,在三种不同液体环境下研磨β-Ga_(2)2O_(3)晶片的(100)晶面及(010)晶面,比较摩擦学特性的差别。借助三维扫描系统、扫描电镜及EDS能谱,观察与分析了加工后的氧化镓及自支撑金刚石厚膜的表面形貌、成分及磨损机理。结果 (100)晶面及(010)晶面在去离子水环境中的摩擦系数最大,而当液体环境为乙二醇及三乙醇胺溶液时,研磨过程中形成了很薄的化学反应膜,减少了犁沟效应,摩擦系数较小。且在液体环境为三乙醇胺时,加工后氧化镓晶片的(100)晶面及(010)晶面的粗糙度最小。研磨加工后,(010)晶面比(100)晶面的表面粗糙度(Ra)小。结论 (010)晶面与(100)晶面在不同液体环境下研磨加工存在一定的差异性,(010)晶面比(100)晶面更易获得较好的表面质量。加工过程中,磨损机理为先产生二体磨损,一段时间后再形成三体磨粒磨损。

摘要： 氧化铁作为铁基费托合成主催化剂的前驱体,其还原活化过程对催化剂整体性能有着至关重要的影响。α-Fe_(2)O_(3)作为一种晶体材料,其暴露晶面对铁基催化剂的还原和活化过程有重要影响,但目前对此仍然缺乏必要的研究。本研究合成了六角片、立方体和菱面体三种不同形貌的α-Fe_(2)O_(3)单晶纳米颗粒,其对应主暴露面分别为(001)、(102)和(104)晶面,然后利用原位拉曼光谱(ORS)研究了CO还原过程中α-Fe_(2)O_(3)晶体结构的转变过程。结果发现,与(104)和(102)晶面相比,(001)晶面具有更好的还原活性。对于三种晶面上的CO吸附和CO_(2)脱附,SEM、TEM和XPS等表征以及DFT理论计算结果表明,CO_(2)脱附是还原过程的决速步骤;(001)晶面对氧原子的束缚能力较弱,导致了其表面CO_(2)更容易脱附,从而促进了整个还原过程。

摘要： 近年来半导体光催化作为一种绿色技术在解决环境问题和提供可再生能源方面获得了广泛关注,然而较低的催化效率限制着它的实际应用.合理设计金属氧化物半导体的表/界面结构,是提升光催化剂性能的有效手段.对近年来半导体光催化剂的表/界面结构调控以及构-效关系的研究进行了梳理,介绍了在单一组分体系中利用晶面效应优化光催化性能的可行措施.在此基础上,总结了晶面/界面结构调控在复合光催化剂体系中的应用.最后,总结了该领域面临的挑战与未来的前景.

摘要： 采用悬浮液法以硝酸酯增塑端羟基叠氮聚醚(GAP)粘合剂为溶剂制备出了六硝基六氮杂异伍兹烷/奥克托今(CL-20/HMX)共晶,并对其进行了X射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)、高效液相色谱(HPLC)测试.采用分子动力学方法构建了共晶晶面-硝酸酯模型,计算了硝酸酯在共晶主要晶面上的结合能、扩散系数.结果表明,产物与CL-20、HMX形貌不同,呈平面板状;HPLC测试结果表明,产物组分摩尔比为n(CL-20):n(HMX)=1.97:1≈2:1;XRD测试结果表明,产物是CL-20/HMX共晶且共晶晶面生长速率由小到大为(100)、(102)、(111)、(011);分子动力学模拟结果表明,硝酸酯溶剂-共晶晶面相互作用、溶剂扩散能力、界面状态的综合影响导致共晶晶面生长速率由小到大为(100)、(102)、(111)、(011).

摘要： 本工作采用X射线衍射(XRD)分析方法,研究了在不同柠檬酸钠掺量下半水石膏在蒸压时不同晶面的结晶习性.运用Materials Studio 2017软件进行分子动力学模拟,研究了柠檬酸钠吸附在半水石膏晶体不同晶面的结晶习性.基于等温等容系统(NVT)对柠檬酸钠吸附于半水石膏晶体不同晶面的最低能运动轨迹进行模拟,研究了半水石膏晶体不同晶面的力学性能.XRD分析结果表明:柠檬酸钠的掺量为0.06％(质量分数,下同)时,半水石膏晶体的(200)晶面、(020)晶面和(400)晶面衍射峰强度最高,即晶面发育较好.分子动力学模拟结果表明:从柠檬酸根离子与半水石膏晶面距离来看,(200)晶面和(400)晶面是柠檬酸根离子与Ca2+的主要结合位点;相互作用能从小到大的顺序为ΔE(400)<ΔE(200)<ΔE(111)<ΔE(204)<ΔE(020),则柠檬酸钠更易于与半水石膏晶体的(200)晶面、(400)晶面作用,从而抑制半水石膏晶体在C轴方向上生长;从弹性模量(E)、体模量(K)和剪切模量(G)等力学性能的参数可知,柠檬酸根离子与(200)晶面和(111)晶面上钙离子之间主要有较强的结合力,即柠檬酸根离子易于吸附在C轴方向的晶面上.柠檬酸根离子使半水石膏晶体在垂直于C轴方向上的尺寸变大,对半水石膏晶体在C轴方向上的强度的影响显著.试验所得的晶面分析结果与模型研究的结果具有互证性.

摘要： 首次研究了TbFeTi单晶不同晶面的磁畴结构.对x=0.85的样品,在(001)面观察到了很弱的磁反垄,表明样品是易面的.在(110)和(100)面观察到了条网状磁畴,这和样品面内的各向异性有关.用Hubert模型对这两个晶面的磁畴结构进行了定量的理论分析.当Ti含量增加到1.0和1.3时,磁畴结构的变化表明了材料的各向异性已经从易面变到了易轴,对磁畴结构的变化进行了定性的分析.

摘要： 本文采用正交流试验方法,调控Ti(SO)原料浓度、沉淀剂NHHCO浓度、沉淀ρH值、焙烧温度和焙烧时间等制备条件得到了25个锐钛矿相TiO光催化剂.对TiO光催化降解十二烷基苯磺酸钠(SDBS)的催化活性与TiO锐钛矿相十个晶面的法向粒子尺寸、晶格畸变应力、X-射线衍射强度之间的关系进行了分析.发现TiO光催化SDBS的降解的主要影响因素为(101)晶面结晶情况,而与其余晶面的相关性不大;光催化反应需要晶格畸变较少的结晶较完整的(101)晶面;晶粒尺寸减小,比表面积增大有利于提高反应速率;光催化反应过程主要在结晶的锐钛矿相(101)晶面表面上发生,而无定形TiO催化活性较低.

摘要： 基于本发明的液晶面板的制造方法具备如下工序：同时形成TFT(40)的栅极电极(41)和标记垫(50)的下部层(51)；同时形成TFT(40)的栅极绝缘膜(42)和覆盖下部层(51)的保护绝缘膜(52)；原样保持利用保护绝缘膜(52)覆盖下部层(51)的状态进行各种成膜处理和图案化处理；除去保护绝缘膜(52)的至少一部分来使下部层(51)的除了周缘以外的主表面露出；同时形成对不被保护绝缘膜(52)覆盖的部分的下部层(51)的主表面进行覆盖的标记垫(50)的上部层(56)和像素电极(46)；以及对标记垫(50)照射激光(100)来设置贯通孔(58)从而进行标记。由此，能防止设于液晶面板用玻璃基板的含有金属膜的标记垫在生产过程中被腐蚀。

摘要： 本发明的液晶面板的制造方法具备：在玻璃基板(11)的主表面(11a)上设置标记焊盘(50)的工序，标记焊盘(50)包含标记区域，标记区域包括层叠体，层叠体仅包括作为下部层(51)的金属膜和作为上部层的ITO膜(56)；以与标记焊盘(50)的标记区域的主表面保持距离而相对的方式在玻璃基板(11)上贴合玻璃基板(21)的工序；以及通过玻璃基板(21)对标记焊盘(50)的标记区域照射激光(100)，由此在标记焊盘(50)的标记区域设置贯通孔(58)而进行标记的工序。由此，即使是对设于液晶面板用玻璃基板的标记焊盘通过与该液晶面板用玻璃基板成对的其它液晶面板用玻璃基板照射激光的情况，也能高质量地施加标记。

摘要： 本发明提供一种液晶面板驱动电路、液晶面板及液晶面板驱动方法。所述液晶面板驱动电路包括比较器(1)、与门(2)、时序控制器(3)及电源管理集成模块(4)；所述比较器(1)的正输入端接入外部输入电压(VIN)，负输入端接入电源管理集成模块(4)的低压关断电压(UVLO)，输出端电性连接所述与门(2)的第一输入端(A)；所述与门(2)的第二输入端(B)接入电源管理集成模块(4)输出的电源电压(VDD)，输出端(K)电性连接时序控制器(3)的复位引脚(31)。该液晶面板驱动电路能够使得时序控制器(3)在外部输入电压(VIN)波动的情况下仍可以正常复位，正常输出。

摘要： 本公开提供了一种液晶面板、一种制造液晶面板的方法及一种液晶面板的驱动方法。所述液晶面板包括：上面板和下面板；以及液晶层，形成在上面板和下面板之间，其中，上面板包括上基板、形成在上基板上的多晶硅层以及依次形成在上基板的多晶硅层上的压电材料层、金属图案和覆盖金属图案的有机材料层，下面板包括下基板、形成在下基板上的多晶硅层以及依次形成在下基板的多晶硅层上的压电材料层、金属图案和覆盖金属图案的有机材料层，其中，金属图案具有手指交叉形状的两根汇流条，以形成叉指换能器。

摘要： 基于本发明的液晶面板的制造方法具备如下工序：同时形成TFT(40)的栅极电极(41)和标记垫(50)的下部层(51)；同时形成TFT(40)的栅极绝缘膜(42)和覆盖下部层(51)的保护绝缘膜(52)；原样保持利用保护绝缘膜(52)覆盖下部层(51)的状态进行各种成膜处理和图案化处理；除去保护绝缘膜(52)的至少一部分来使下部层(51)的除了周缘以外的主表面露出；同时形成对不被保护绝缘膜(52)覆盖的部分的下部层(51)的主表面进行覆盖的标记垫(50)的上部层(56)和像素电极(46)；以及对标记垫(50)照射激光(100)来设置贯通孔(58)从而进行标记。由此，能防止设于液晶面板用玻璃基板的含有金属膜的标记垫在生产过程中被腐蚀。

摘要： 基于本发明的液晶面板的制造方法具备：在玻璃基板(11)的主表面(11a)上设置标记焊盘(50)的工序，标记焊盘(50)包含标记区域，标记区域包括层叠体，层叠体仅包括作为下部层(51)的金属膜和作为上部层的ITO膜(56)；以与标记焊盘(50)的标记区域的主表面保持距离而相对的方式在玻璃基板(11)上贴合玻璃基板(21)的工序；以及通过玻璃基板(21)对标记焊盘(50)的标记区域照射激光(100)，由此在标记焊盘(50)的标记区域设置贯通孔(58)而进行标记的工序。由此，即使是对设于液晶面板用玻璃基板的标记焊盘通过与该液晶面板用玻璃基板成对的其它液晶面板用玻璃基板照射激光的情况，也能高质量地施加标记。

摘要： 本发明公开了一种液晶面板、连成液晶面板以及液晶面板的制造方法，包括将第一密封材料涂覆在第一基板的顶部外侧，第一密封材料设置有多段，将第二材料涂覆在第一基板顶部位于相邻两个第一密封材料之间，通过固化装置对第一密封材料和第二密封材料进行固化，将第二基板对应地覆盖在第一基板的顶部进行粘合；通过上下两个相邻的第一基板之间与驱动板围成的空间相对密闭，不会与外界连通，而此空间较小，使得从驱动板导流槽排出的气体能够与第一基板上的密封剂充分接触，从而以利于提高固化的效率，并且由于设置的多个驱动板，使得气流在整个上升的过程中呈S型上升，有利于增加气体在密封腔室内部流动的时间，提高了对第一基板密封剂的固化效果。

摘要： 本发明提供抑制显示品质的降低的液晶面板。将具备具有阵列基板侧透明基板(31)的阵列基板(30)、具有CF基板侧透明基板(21)的CF基板(20)、以及使两基板(20、30)贴合而密封液晶层(40)的实际密封部(50)的液晶面板(10)从经由虚设区域DA将多个液晶面板(10)相连而成的连成液晶面板(10M)分离。连成液晶面板(10M)以配设有虚设密封部(60)的虚设区域DA内的虚设贴附区域DR中的单元间隙(阵列基板侧母透明基板(31M)以及CF基板侧母透明基板(21M)的板面彼此的间隔)比配设有实际密封部(50)的实际贴附区域SR中的单元间隙大的方式制成(G

摘要： 本发明提供一种液晶面板驱动电路、液晶面板及液晶面板驱动方法。所述液晶面板驱动电路包括比较器(1)、与门(2)、时序控制器(3)及电源管理集成模块(4)；所述比较器(1)的正输入端接入外部输入电压(VIN)，负输入端接入电源管理集成模块(4)的低压关断电压(UVLO)，输出端电性连接所述与门(2)的第一输入端(A)；所述与门(2)的第二输入端(B)接入电源管理集成模块(4)输出的电源电压(VDD)，输出端(K)电性连接时序控制器(3)的复位引脚(31)。该液晶面板驱动电路能够使得时序控制器(3)在外部输入电压(VIN)波动的情况下仍可以正常复位，正常输出。

摘要： 本公开提供了一种液晶面板、一种制造液晶面板的方法及一种液晶面板的驱动方法。所述液晶面板包括：上面板和下面板；以及液晶层，形成在上面板和下面板之间，其中，上面板包括上基板、形成在上基板上的多晶硅层以及依次形成在上基板的多晶硅层上的压电材料层、金属图案和覆盖金属图案的有机材料层，下面板包括下基板、形成在下基板上的多晶硅层以及依次形成在下基板的多晶硅层上的压电材料层、金属图案和覆盖金属图案的有机材料层，其中，金属图案具有手指交叉形状的两根汇流条，以形成叉指换能器。