晶体

摘要： 目的:比较3种容积旋转调强计划(VMAT)的剂量学差异,探讨VMAT遮挡技术对早期鼻腔NK/T细胞淋巴瘤的剂量学影响。方法:选取20例早期鼻腔NK/T细胞淋巴瘤患者,分别设计无晶体遮挡(VMAT-OFF)计划、晶体半遮挡(VMAT-E)计划和晶体全遮挡(VMAT-E&E)计划,评估3组计划的计划靶区体积(PTV)和危及器官(OARs)剂量学参数,评估机器跳数(MU)和SCIMOCA通过率(3%/2 mm)。结果:3种计划的靶区剂量分布均能满足临床要求,PTV的D2%、D98%、V95%、均匀性指数、适形度指数均无统计学差异;在MU方面,VMAT-OFF晶体(D_(max)、D_(mean))方面,VMAT-E&E晶体和计划的SCIMOCA通过率(3%/2 mm)都高于95%且无统计学差异。结论:VMAT-E&E计划的MU较高,但在保护晶体方面更有优势。

摘要： 肾结石是一种病因复杂、发病率较高的疾病,其最常见的化学成分类型是草酸钙结石。草酸钙结石的形成过程包括结晶形成、晶体生长和聚集、晶体与肾小管上皮细胞相互作用、晶体入侵肾间质细胞外基质等,在这些过程中,晶体和肾小管上皮细胞的相互作用对于肾脏的晶体保留和肾结石形成非常重要。近年许多研究发现晶体和肾小管上皮细胞的相互作用与多种关键结合分子、肾小管上皮细胞内质网应激、细胞外基质蛋白及各类排石药物等关系密切。了解晶体-细胞相互作用的机制对草酸钙结石的预防和早期治疗具有重要意义。

摘要： 立方氮化硼(c-BN)作为闪锌矿面心立方结构的Ⅲ-Ⅴ族二元化合物,是第三代半导体中禁带宽度最大的材料,还具有高热导率、高硬度、耐高温、耐氧化、化学稳定性好、透光波长范围广、可实现p型或n型掺杂等一系列性能优点,不仅作为超硬磨料在各行业的加工领域有广泛的应用,而且作为极端电子学材料在大功率半导体和光电子器件等领域也具有潜在的应用价值,使其适用于高温、高功率、高压、高频以及强辐射等极端环境。本文综述了历年来国内外制备c-BN晶体和外延生长c-BN薄膜的发展历程,重点关注了生长技术进步和晶体质量提高的代表性成果,并对c-BN的机械性能、光学性能以及电学性能方面的研究进展进行阐述,最后对全文内容进行总结并对c-BN应用所面临的挑战进行展望。

摘要： 目的 制备结核分枝杆菌甲硫氨酰tRNA合成酶(Mt MetRS)晶体。方法 设计不同的重组Mt MetRS蛋白,使用大肠杆菌表达重组蛋白。坐滴气相扩散法在293 K温度下筛选不同重组蛋白的结晶条件,并使用悬滴法进行晶体优化。优化的晶体经液氮速冻保存。在上海同步辐射光源进行晶体衍射数据采集。结果 使用不同设计的重组蛋白进行结晶筛选和优化,最终获得了可以进行晶体衍射的高分辨率蛋白质晶体。并确定6×His序列在Mt MetRS分子的结晶中起到关键作用。结论 Mt MetRS分子两端的6×His序列是帮助Mt MetRS分子结晶的重要因素。

摘要： 纯有机室温磷光材料因其成本低廉和性能易调控等优点,成为目前功能材料领域研究的热点。本文详细介绍了近年来纯有机室温磷光材料的发展,系统归纳了纯有机小分子晶体、聚合物和智能响应的室温磷光材料进展,并总结了在室温大气环境下实现有机室温磷光的有效策略。

摘要： 激光技术的广泛应用,推动了非线性光学晶体领域的蓬勃发展,专利申请量也急剧增加。通过对非线性光学晶体国内外的专利申请量、重要申请人、制备方法、国内主要申请人的统计和分析,寻找国内外非线性光学晶体的差异和发展趋势。

摘要： 分析超声成像设备换能器(探头)的结构组成及功能原理,探讨超声探头常见故障的维修路径。按照超声探头结构功能的不同,分别从换能器、信号处理电路及辅助器件等方面进行工作原理分析。根据故障现象分析故障原因,通过观测、替换以及测试等方法逐一进行排查,制定规范化的故障维修策略,以提高临床服务技术保障质量。

摘要： 以“一步酸溶法”粉煤灰提取氧化铝工艺中的氯化铝溶液为原料,分别向浸出原液与除铁精制液中通入HCl气体,进行盐析结晶实验研究。考察盐析结晶过程中盐析酸度对溶液中氯化铝及其他杂质的影响,并对六水氯化铝晶体纯度及其影响因素进行分析,最终绘制出盐析酸度为13.42%~34.42%时的盐析曲线,为工业化生产提供理论依据。

摘要： 现代分析技术是一门讲授材料分析理论和仪器的课程。材料分析的基础理论涉及微观尺度和复杂的数理表达,对学生而言是难点。针对这个问题,结合了两个教学实例,采用理论模拟和密度泛函理论进行X射线衍射谱和拉曼光谱的分析,利用计算机仿真模拟技术进行教学研究。结果表明,计算机的模拟能够简单、直观和可视化地解释仪器与材料的相互作用并分析所得数据,为学生以后在工程或科研方面的工作夯实基础。

摘要： 文章介绍了近年来铀酰配合物的研究进展,从铀酰配合物的分类、应用领域、实验制备方法等方面对各类铀酰配合物进行了阐述,重点指明了各类配合物详细的制备方法和制备过程,讨论了它们可能的空间结构及材料特性,并展望了今后铀酰配合物的研究思路和研究方向,以及此类功能材料可能的应用领域。

摘要： 固相反应由于其具有产率高、后处理方便、环境友好等优点引起了广泛的关注,为了更好的利用固相反应进行有机/聚合物合成,人们在体系中引入非共价相互作用作为预组织基元,使其官能团在空间上相互靠近,从而提高其反应速率及影响反应的区域选择性.近年来,压力作为影响化学反应的新维度,逐渐作为一种诱导化学反应的方式,应用于丁二炔聚合反应、乙炔聚合反应、异氰酸酯的聚合反应等.高压诱导新反应的开发，对于绿色化学反应及新型晶体中化学反应的开发具有指导意义。课题组致力于晶体中1,3-偶极环加成反应的开发。同时，借助于金刚石对顶砧技术提供的高压和原位检测手段，实现了高压诱导螺毗喃的异构化反应，这一过程主要是由于螺毗喃异构化过程中反应体积的减小导致的。该过程可通过肉眼观察到，进而有望实现高压诱导的化学反应应用于高压检测、高压传感材料中。为了进一步提高该压致变色过程的灵敏性，实现具有多重响应的多色压致变色过程，将力诱导的化学反应与力诱导非共价相互作用变化结合起来，借助于二者强度的差别，较低压力下的非共价相互作用变化实现荧光发射的可逆变化，而较高压力诱导的化学反应实现了荧光发射的不可逆变化，实现了可调控的高压下力致多色转变。该策略还可以应用于其他压致多色转变分子的制备。

摘要： 目的:研究二级准直器在鼻咽癌患者调强放疗中对降低晶体及眼球受照剂量的应用.rn 方法:随机挑选10例鼻咽癌行调强放疗的患者并分别设计两种在机架角度相同的情况下二级准直器角度分别为0°(Plan1)和旋转相应角度并固定以遮挡保护眼球和晶体(Plan2)的计划.处方剂量PTVnx为68Gy/30次.在保证满足临床剂量要求的前提下,利用剂量体积直方图(DVH)比较两种计划的靶区、晶体和眼球等危及器官的剂量学差别.rn 结果:两组计划靶区覆盖均能满足临床要求,且Plan2的PTVnx适形性因子CI要明显好于Plan1(P＜0.05).Plan1和Plan2相比,前者的左、右侧晶体最大剂量以及左、右侧眼球平均剂量均明显高于后者,平均值分别为810.13cGy和611.93cGy(P=0.000)、811.72cGy和632.27cGy(P=0.000)以及1058.15cGy和877.77cGy(P=0.000)、1104.69cGy和928.02cGy(P=0.002).另外Plan2在保护脑干和脊髓上也更有优势(P＜0.05).rn 结论:在鼻咽癌调强放疗中,叶片透射和漏射线对晶体及眼球的受照剂量影响很大,旋转小机头,合理利用二级准直器遮挡,可减少叶片透射和漏射线,显著地降低了晶体及眼球的受照剂量.

摘要： 针对晶体硅太阳电池缺陷的检测问题,利用多种测试设备(EL、PL、Corescan等),在电池制作的主要工序段(扩散、镀膜、印刷、烧结)对硅片和电池片进行检测,归纳和总结了电池的各种典型缺陷的成因,利用这些检测手段和分析结果,能够及时有效地反馈生产过程中产生的缺陷类型,有利于生产工艺的改进和质量的控制.

摘要： X射线光谱仪是空间和实验室高温等离子体诊断的一种重要的工具,其色散元件是X射线衍射的关键器件。通过特定工艺对晶体表面进行处理,能够提高晶体对x射线的衍射效率。将PET、Mica、α-石英和LiF晶体劈成80mm×10 mm的晶体薄片,其中LiF晶体厚度研磨为1mm,其余三种晶体厚度为0.2mm。将LiF晶体加热到400°C,然后用折弯机进行弯曲,在空气中降到室温,使其发生位错现象。在波长为0.154mm的X射线衍射仪上进行试验,经晶体后获得X射线衍射谱线,其中Mica球弯晶获得多级衍射线,经过表面处理的LiF晶体获取的X射线强度比未处理的高2倍。结果表明晶体表面经过处理后更适合高能X射线诊断研究。

摘要： 本文9-蒽醛和苄胺为原料亲核加成和还原合成9-蒽甲基苄基铵盐酸盐，并得到了它的晶体，产物结构通过1HNMR，元素分析X-射线单晶衍射进行了表征。

摘要： 本文利用晶体的双折射现象和它的基本性质,采用现代光纤和CCD摄像放大技术手段研究了双偏振光的叠加和干涉现象,讨论了学生在教学中不易理解的难点问题。

摘要： 位错是晶体塑性变形的主要载体,低温下位错运动以滑移为主要形式,而高温下则以攀移为主要形式.攀移是通过位错吸收和释放点缺陷来实现的非保守运动.本文在三维错位动力学方法的基础上,建立了基于点缺陷管扩散理论的位错攀移模型.通过自适应的时间增量步方案,解决了位错滑移与攀移运动在时间尺度上的巨大差异,进而在三维尺度上将位错滑移与攀移耦合起来,建立高温下位错运动的数值模拟方法.为进一步研究高温下的晶体塑性行为奠定基础.

摘要： 本文介绍了单轴晶体水晶和双轴晶体白云母片的双折射性质及其在偏振锥光条件下的干涉图案。当采用白光点。光源时,可省去复杂的聚光透镜和成像透镜,把干涉图案直接投影到墙上。根据干涉条纹的疏密和颜色,可推算双折射物质的厚度。

摘要： 以氧化锌和硫化钠为原料,采用固液化学反应,在超声波的作用下,制备纳米硫化锌.实验得出最佳反应条件为:反应温度80 °C,Na2S浓度2.0 mol/L,反应时间2 h,反应前超声分散15 min.对最佳条件下得到的纳米硫化锌颗粒进行X射线衍射、扫描电镜、红外光谱及热重-微分热重分析.结果表明:该颗粒为结晶完全的闪锌矿,平均粒度为50 nm,且颗粒在400～4 000 cm-1具有红外透光性,在纯氧气氛围中具有良好的热稳定性.

摘要： 以氧化锌和硫化钠为原料,采用固液化学反应,在超声波的作用下,制备纳米硫化锌.实验得出最佳反应条件为:反应温度80 °C,Na2S浓度2.0 mol/L,反应时间2 h,反应前超声分散15 min.对最佳条件下得到的纳米硫化锌颗粒进行X射线衍射、扫描电镜、红外光谱及热重-微分热重分析.结果表明:该颗粒为结晶完全的闪锌矿,平均粒度为50 nm,且颗粒在400～4 000 cm-1具有红外透光性,在纯氧气氛围中具有良好的热稳定性.

摘要： 本发明的一个方式的纳米晶体的排列方法具有以下工序：第1工序，将钛酸钡纳米晶体和/或钛酸锶纳米晶体和非极性溶剂加入容器中；第2工序，从容器内采集含有钛酸钡纳米晶体和/或钛酸锶纳米晶体的上清液；第3工序，通过将具有凹凸结构的基板浸渍于所述上清液并捞起，利用毛细管现象将所述上清液涂布于所述凹凸结构表面，使所述纳米晶体在所述凹凸结构上排列。

摘要： 本发明提供一种音叉式晶体片、音叉式晶体元件、晶体设备和音叉式晶体元件的制造方法。音叉式晶体片包括基部、从基部彼此并排地进行延伸的一对振动部、包含相对于基部和一对振动部位于一对振动部的排列方向的一侧并且相对于一对振动部并排地进行延伸的支承部的辅助部、以及相对于基部位于与一对振动部相反一侧并且连结基部和支承部的保持部，在从与所述排列方向和一对振动部延伸的方向正交的俯视方向观察时，在辅助部的侧面上形成切口部。

摘要： 作为用于晶体培养的晶体培养用坩埚(10)，使用一种坩埚，其具备：保持原料(20)的保持部(12)；回收使保持于保持部(12)的原料(20)气化了时的初级馏出物(24)的初级馏出物回收部(14)；对使保持于保持部(12)的原料(20)气化了时的主馏出物进行凝缩的主馏出物凝缩部(16)；以及对由主馏出物凝缩部(16)凝缩后的原料熔液(28)所构成的主馏出物(30)进行保持且在使晶体从所保持的主馏出物(30)培养时用于生成晶体的晶体培养部(18)。由此，能够实现半导体晶体的原料的高纯度化，并且能够提高晶体的制造效率。

摘要： 本发明提供一种GaN晶体的制造方法，其可以实现防止成核和高品质非极性面生长中的至少一个方面。本发明的制造方法是在至少含有碱金属和镓的熔体中制造GaN晶体的方法，所述GaN晶体的制造方法包含调整前述熔体中的碳的含量的调整工序和前述镓与氮反应的反应工序。通过本发明的制造方法可以防止成核，另外，如图4所示，能够使非极性面生长。

摘要： 本发明提供一种超微细晶体层生成方法等，其能以低成本在金属制品的表层稳定地生成超微细晶体层等。通过对被加工物(W)进行利用钻头(D)实施的孔部(1)的开孔加工，对该孔部(1)的内周面赋予较大的应变而生成超微细晶体层(C1)。在这种情况下，对孔部(1)的内周面实施产生至少1以上的真应变的塑性加工，并且，将孔部(1)的加工面的材料温度维持在Ac1相变点以上且低于熔点的温度范围内。另外，维持在不超过Ac1相变点的温度下。由此，能够以低成本在孔部(1)的内周面上稳定地生成超微细晶体层(C1)。

摘要： 本发明揭示一种晶体管，其包括在至少一个直线垂直横截面中是大体上L形或大体上镜像L形借此具有在竖向上延伸的杆及在所述杆的底部上方从所述杆的横向侧水平延伸的基底的半导体材料。所述杆的所述半导体材料包括上源极/漏极区域及在其下方的沟道区域。所述晶体管包括(a)及(b)中的至少一者，其中(a)：所述杆的所述半导体材料包括在所述沟道区域下方的下源极/漏极区域，及(b)：所述基底的所述半导体材料包括下源极/漏极区域。栅极可操作地横向邻近所述杆的所述沟道区域。揭示其它实施例，其包含个别包括电容器及在竖向上延伸的晶体管的存储器单元阵列。揭示方法。

摘要： 本发明的一个方式的纳米晶体的排列方法具有以下工序：第1工序，将钛酸钡纳米晶体和/或钛酸锶纳米晶体和非极性溶剂加入容器中；第2工序，从容器内采集含有钛酸钡纳米晶体和/或钛酸锶纳米晶体的上清液；第3工序，通过将具有凹凸结构的基板浸渍于所述上清液并捞起，利用毛细管现象将所述上清液涂布于所述凹凸结构表面，使所述纳米晶体在所述凹凸结构上排列。

摘要： 本发明提供一种音叉式晶体片、音叉式晶体元件、晶体设备和音叉式晶体元件的制造方法。音叉式晶体片包括基部、从基部彼此并排地进行延伸的一对振动部、包含相对于基部和一对振动部位于一对振动部的排列方向的一侧并且相对于一对振动部并排地进行延伸的支承部的辅助部、以及相对于基部位于与一对振动部相反一侧并且连结基部和支承部的保持部，在从与所述排列方向和一对振动部延伸的方向正交的俯视方向观察时，在辅助部的侧面上形成切口部。

摘要： 本发明揭示一种包括隔离芯的垂直铁电场效晶体管构造。过渡金属二硫属化物材料围绕所述隔离芯且具有1个单层到7个单层的侧向壁厚度。铁电栅极电介质材料围绕所述过渡金属二硫属化物材料。导电栅极材料围绕所述铁电栅极电介质材料。所述过渡金属二硫属化物材料从所述导电栅极材料立面向内及立面向外延伸。导电接触件直接抵靠所述过渡金属二硫属化物材料的侧向外侧壁，所述过渡金属二硫属化物材料为：a)从所述导电栅极材料立面向内，或b)从所述导电栅极材料立面向外。本发明还揭示额外实施例。

摘要： 作为用于晶体培养的晶体培养用坩埚(10)，使用一种坩埚，其具备：保持原料(20)的保持部(12)；回收使保持于保持部(12)的原料(20)气化了时的初级馏出物(24)的初级馏出物回收部(14)；对使保持于保持部(12)的原料(20)气化了时的主馏出物进行凝缩的主馏出物凝缩部(16)；以及对由主馏出物凝缩部(16)凝缩后的原料熔液(28)所构成的主馏出物(30)进行保持且在使晶体从所保持的主馏出物(30)培养时用于生成晶体的晶体培养部(18)。由此，能够实现半导体晶体的原料的高纯度化，并且能够提高晶体的制造效率。