半导体市场

摘要： 1半导体市场在供需两端均受到冲击目前局势和世界环境存在非常多的不确定因素。从供应端来看,首先受中美关系影响,美国对中国禁运,并要对中国国内部分半导体企业进行封锁,或者是通过一些设备、技术的“卡死”来阻止中国半导体公司的成长。其次俄罗斯和乌克兰危机,也造成了一部分的原材料价格上升。再次,欧美的政治环境认为中国台湾的地缘问题具有很大的不确定性。不过目前中国正在不断地加强整个半导体产业的投资,市场也在切换新的产能、设备和原材料。比如:前不久因俄罗斯和乌克兰危机影响,半导体市场上遇到惰性气体(氩气、氖气)供应不上的问题,而中国的企业可以作为备选。同样,德国、日本也为了保证供应的多元化,加强了新的投资。

摘要： 2020年之后的全球半导体市场,不但在需求端产生了极大增长,还经历了全行业的缺货和涨价风潮。目前来看,2022年的半导体市场依旧会呈现旺盛需求,同时全行业大涨价的趋势也持续加剧。那么,半导体市场的需求到底会增加多少?助推价格上涨的因素又有哪些?今天本文就来和大家一起探寻这些问题的答案。

摘要： 引言半导体市场不断推动IGBT技术实现更高功率密度、鲁棒性和性能水平。对于新一代IGBT而言,始终需要能够轻松融入设计并在不同应用中表现良好的产品。IGBT应能助力打造出拥有优化系统成本的可扩展逆变器产品组合。本文通过仿真和应用测试,对英飞凌全新TRENCHSTOP™1700V IGBT7技术以及对应的同类最佳900A和750A EconoDUAL™3模块的电气性能和热性能,与英飞凌IGBT4技术进行了比较。在1700V IGBT模块特定应用背景下,考虑到了芯片优化。研究结果表明,采用新型1700V IGBT7/EC7技术的模块在大量应用中显著提高了功率密度。

摘要： 半导体材料目前已经发展至第三代,从传统Si(硅)功率器件IGBT(绝缘栅双极型晶体管)、MOSFET(金氧半场效晶体管),到以SiC(碳化硅)和GaN(氮化镓)为代表的第三代半导体。在这条赛道上,企业融资并购、厂商增资扩产、新玩家跑步入场、新项目不断涌现。与半导体市场整体“低迷”的现状不同,第三代半导体市场则焕发着别样生机。

摘要： 伴随网络化、信息化、智能化的飞速发展,半导体的应用领域不断拓展,在全球经济及社会发展中所占据的重要性可谓与日俱增。2020年,全球半导体市场规模已达到3万亿元人民币,至2025年,整体市场预计将保持7%的年复合增长率。2020-2025年,IoT芯片的年复合增长率有望达到13%,数据中心和NAND存储市场紧随其后。

摘要： 美国得克萨斯州最近受到寒流天气的影响,出现了严重的电力供应短缺问题,随之而来的当地芯片制造厂商被迫临时关闭工厂,全球半导体市场的形势也变得更加紧张。加上刚过去的一年里,全球疫情此起彼伏,各行各业的产能都受到了不小的冲击。芯片制造行业同样遇到了前所未有的产能荒,包括汽车、蓝牙耳机甚至充电器,涉及芯片的电子设备制造,都无法在这次供应荒中独善其身。反观美国,尽管大选结束,但由美国上任政府发起的贸易战,依然未见结束的迹象。2021年了,难道国内自主芯片制造,还这么难吗?

摘要： 市调机构IDC预估,后疫情时代全球经济步上复苏之路,半导体技术在每个行业复苏过程中相当关键,并将推升2021年全球半导体市场再成长7.7%,达4,760亿美元。根据IDC全球半导体应用预测报告,2020年全球半导体营收达4420亿美元,较2019年成长5.4%。

摘要： 由于8英寸晶圆产能的持续紧张,如今全球半导体市场都出现“一缺再缺”的景象,尤其是像MOSFET这类用量巨大的功率半导体领域,反馈明显,已沦为缺货“重灾区”。据业内统计,如今各大晶圆代工厂的8英寸产能已经爆满,像安森美、ST以及英飞凌等大厂在2020年年中就已出现供应不足、交期延长的情况,而国内8英寸代工厂如华虹、华润微产能利用率也均接近满载,联电的8英寸晶圆代工产能更是满载到2021年下半年。与此相对应的是,应用端的需求仍在持续暴涨,此番形势下,如何补救早已千疮百孔的晶圆产能,已迫在眉睫。

摘要： 韩国贸易,工业和能源部(MOTIE)宣布计划增加对国内SiC和GaN业务的投资支持。此外,SK集团最近加强了对化合物半导体的投资。预计随着公司和政府投资的结合,SiC和GaN市场将加速增长。碳化硅(SiC)和氮化鲸(GaN)半导体市场将看到加速增长的趋势。2月1日,MOTIE宣布,它将加大对研发和基础设施扩展的支持,以从2021年起抢占全球SiC和GaN市场。

摘要： 2021年,全球车用芯片产值预计将达到210亿美元,同比增长12.5%。未来20年,全球车用半导体市场的年均复合增长率有望达到5%-10%,“智能汽车”必将成为半导体行业又一重要增长极。从去年12月开始,“汽车芯片告急”备受关注。全球芯片产量连续数月下降,这也使得全球汽车产量出现了一定程度的下滑。

摘要： 本文综述了2013年5月27日—在2012年,工业电子的八大龙头供应商收入纷纷下降,反映出了这一深陷困境的市场已经陷入疲软,消息分析源自IHS(纽约证交所代码:IHS)提供的IHS iSuppli研究公司工业电子市场跟踪报告.八家公司加上两家获益的公司组成了十强,全部加起来的收入总计为121.9亿美元,或占工业电子半导体市场总收入301.5亿美元的40.4％.这一市场的领头羊是美国德州仪器公司,尽管收入不佳,但仍在努力保持领先地位.

摘要： STMicroelectronics Technical Marketing ManagerSensor&High Performance ICs.Collins WU has been more than 10 years experience in semiconductor area, he is MEMS sensors and high performance ICs technical marketing manager in STMicroelectronics for CHINA. Collins is Very elperienced for CHINA MEMS market in Various segments.This article and the research works in this field are also introduced.

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摘要： 本发明提供一种能够利用划线形成良好的裂纹的半导体晶片、半导体条、半导体晶片的制造方法、半导体条的制造方法以及半导体元件的制造方法。使用半导体晶片的外延生长层在该半导体晶片的面方向排列形成有多个光半导体元件(具体地说，半导体激光器)。InGaAs外延层具有在多个光半导体元件之间连续地设置并且使该InGaAs外延层之下的层至少相对于该InGaAs外延层之上的层露出的部分(具体地说，开口部或者槽)。沿着该部分进行划线，由此，能够形成垂直发展的裂纹。

摘要： 一种有机晶体管，其具有半导体有源层，该半导体有源层含有由下式表示且分子量为3000以下的化合物(X为氧、硫、硒、碲原子或NR

摘要： 作为实施方式之一，本发明涉及一种晶体，包含金属氧化物，所述金属氧化物包含Ga和Mn并具有刚玉结构。

摘要： 本发明提供同时实现了荧光量子效率的提高和耐热性的提高的半导体纳米粒子复合体。本发明的一个方式的半导体纳米粒子复合体为在半导体纳米粒子的表面配位有包含配体I和配体II的2种以上的配体的半导体纳米粒子复合体，其中，所述配体包含有机基团和配位性基团，所述配体I具有一个巯基作为所述配位性基团，所述配体II至少具有两个以上的巯基作为所述配位性基团。

摘要： 本发明涉及一种半导体纳米粒子复合体，其为在半导体纳米粒子的表面配位有配体的半导体纳米粒子复合体，其中，所述半导体纳米粒子包含In和P，所述配体包含下述通式(1)表示的巯基脂肪酸酯，所述巯基脂肪酸酯的SP值为9.30以下，通式(1)：HS‑R1‑COOR2 (1)通式(1)中，R1为碳原子数为1～11的烃基，R2为碳原子数为1～30的烃基。根据本发明，能够提供在纯化前后保持较高的荧光量子效率(QY)的半导体纳米粒子复合体。

摘要： 一种氮化物半导体层叠物，其具有：基板，其具有由氮极性面形成的表面、以及与表面处于相反侧的由III族元素极性面形成的背面，所述基板由III族氮化物半导体形成；保护层，其至少设置在基板的背面侧，耐热性比基板的背面高；以及半导体层，其设置在基板的表面侧，由III族氮化物半导体形成，半导体层中的O的浓度低于1×10

摘要： 一种半导体用膜组合物，其包含：化合物(A)，具有包含伯氮原子和仲氮原子中至少一者的阳离子性官能团、且重均分子量为1万以上40万以下；交联剂(B)，在分子内具有3个以上‑C(＝O)OX基(X为氢原子或碳数1以上6以下的烷基)，3个以上‑C(＝O)OX基中，1个以上6个以下为‑C(＝O)OH基，所述交联剂(B)的重均分子量为200以上600以下；以及水(D)，所述化合物(A)为脂肪族胺。

摘要： 一种半导体用膜组合物，其包含：化合物(A)，具有Si‑O键以及包含伯氮原子和仲氮原子中至少一者的阳离子性官能团；交联剂(B)，在分子内具有3个以上‑C(＝O)OX基(X为氢原子或碳数1以上6以下的烷基)，3个以上‑C(＝O)OX基中，1个以上6个以下为‑C(＝O)OH基，所述交联剂(B)的重均分子量为200以上600以下；以及极性溶剂(D)。

摘要： 根据本发明的制造半导体衬底的方法包括：制备包括半导体材料的籽晶衬底(1)的步骤，在籽晶衬底(1)上执行离子注入的步骤，由此离子注入层(2)形成为距离籽晶衬底(1)的主表面的表面一定深度；利用气相合成方法在籽晶衬底(1)的主表面上生长半导体层(3)的步骤；以及通过利用光(4)照射半导体层(3)和/或籽晶衬底(1)的主表面的表面的步骤，由此分离包括籽晶衬底的至少一部分(1a)和半导体层(3)的半导体衬底(5)。

摘要： 一种光半导体元件封装组合物，其是含有封装树脂和光扩散性有机颗粒的光半导体元件封装组合物。封装树脂的折射率与光扩散性有机颗粒的折射率之差的绝对值为0.020以上且0.135以下。光扩散性有机颗粒相对于光半导体元件封装组合物的含有比率为1质量％以上且10质量％以下。光半导体元件封装组合物用于光半导体元件的封装。