半导体技术

摘要： 引言在我们未来的电动汽车行业中,半导体技术将为电网运营商提供更大的灵活性,从而更好地管理能源基础设施。随着世界各国政府致力于实现可持续发展目标,汽车行业计划到2025年投资逾3300亿美元来推进汽车电气化,向电动汽车发展的趋势已定。但是,当社区中有数千辆电动汽车同时接入电网、对电网产生前所未有的电力需求时,会发生什么情况呢?

摘要： 欧盟:出台《芯片法案》提升全球竞争力2月8日,欧盟委员会出台《芯片法案》(以下简称:《法案》),旨在确保欧盟在半导体技术和应用领域的竞争优势及芯片供应安全。《法案》提出,增加对芯片领域的投资。到2030年,共计投入约450亿欧元,用于支持芯片生产、试点项目和初创企业,最重要的是建设大型芯片制造工厂,以实现将欧盟在全球芯片生产的份额从目前的10%增加至20%,并能生产2纳米及以下的芯片。目前,欧盟的技术工艺是生产5纳米芯片。

摘要： 回首2021年,新冠肺炎疫情仍然对全球宏观经济、行业格局、企业运营持续产生着影响。庆幸的是,中国由于疫情控制得力,经济仍然在保持平稳增长,这也为全球经济恢复增长注入了更多信心。ADI(亚德诺半导体公司)作为全球领先的模拟半导体技术厂商,价值就在于帮助客户适应变化、融入变化,并从变化中不断孕育新的生机和动力。

摘要： 粤芯本轮融资由广东省半导体及集成电路产业投资基金和广汽资本联合领投,并引入上汽、北汽等车企旗下产业资本,以及越秀产业基金、盈科资本、招银国际、盛誉工控基金等战略投资股东。晶圆制造领域迎来巨额融资。6月30日,广州粤芯半导体技术有限公司(下称“粤芯”)宣布于近日完成45亿元的新一轮融资。多名接近粤芯的人士告诉财新,该轮融资后,粤芯投后估值达到200亿元。

摘要： 随着芯片产业链承压,车企开始寻求多种方式解决芯片紧张的“卡脖子”难题,例如以战略投资等方式加深与芯片制造商的合作关系,保障芯片供应;有意识地寻求并培养潜在的国产芯片制造商;甚至自研自建芯片产业链,掌握关键技术。《中国经营报》记者通过市场观察发现,包括比亚迪半导体、广东粤芯半导体技术有限公司(以下简称“粤芯半导体”)、广东芯聚能半导体有限公司(以下简称“芯聚能”)等国产芯片商逐渐获得车企青睐,且已有部分国产芯片实现搭载新能源车型并量产。而在车规级AI芯片方面,包括地平线、华为等国产芯片商均已受到车企认可。

摘要： 由西安交通大学王宏兴教授团队领衔的“德盟特半导体”创业团队在单晶金刚石衬底技术产业化上取得了重大进展和突破。其在研的技术产品主要面向第四代半导体材料、器件及5G通讯等行业,对于提升我国半导体材料器件行业水平,促进新一代半导体技术代差更迭具有重要意义。

摘要： 随着微电子和半导体技术的高速发展,单芯片集成技术和多芯片堆叠技术不断取得进步,电子设备芯片化和片上系统实用化发展趋势明显。与此同时,雷达的小型化、低功耗、高集成、芯片化等发展需求非常迫切,高集成度的芯片化雷达在军、民两大领域均具有较大的发展与应用空间。无人机、无人战车和导引头等小型化作战装备不断兴起,对雷达芯片化和微型化提出了较为迫切的应用需求;智能驾驶、安检成像、手势识别等民用领域的突破和应用,也牵引着芯片雷达技术快速发展。因此,军事应用和民用场景的迫切需求,使得雷达系统集成度不断提升,驱动着芯片雷达技术的快速发展。

摘要： 美国在半导体创新方面一直处于世界领先地位,其创新生态系统值得我国借鉴和学习。美国是半导体技术的诞生地,也是半导体产业的发源地。半导体行业是美国最大的出口行业之一,也是其经济实力、国家安全和全球竞争力的关键驱动力。从半导体技术诞生至今的70多年里,随着技术扩散与产业转移,目前半导体产业分工已呈现高度全球化形态,但美国仍是半导体技术和产业的全球领导者。

摘要： 以集成电路为核心的半导体技术是军队数字化建设的基石,高端、安全、可靠的微电子组件对实现当前和下一代国防能力现代化至关重要,也是奠定战场优势的最重要因素之一。本文从研究美国国防部发布的《国防部数字现代化战略》入手,结合以集成电路为核心的半导体技术发展趋势,简明地阐析了人工智能芯片、智能传感器和通信系统芯片、非冯·诺依曼架构芯片和量子计算芯片等半导体技术前沿对发展云计算、人工智能、指挥控制与通信以及网络安全四大军事信息化核心领域的推动作用,并指出了当前非冯·诺依曼架构、边缘计算、网络安全等半导体前沿技术及其技术路线和实现途径与军事数字化的密切关联,为认识国防信息化战略中半导体技术的引擎作用提供了参考。

摘要： 如今汽车早已不再是简单的代步工具。由于汽车已经深度融入我们的生活,甚至发展成为人们在家庭、工作场所以外的“第三生活空间”,因此大家对汽车的舒适度、智能化提出了更高要求。随着半导体技术发展,汽车的智能座舱和相关技术,比如汽车内语音对话、手势操作、多媒体大屏幕日渐流行。那么,智能座舱的现状如何?其中有着哪些重要的技术和产品?未来还会怎样发展呢?

摘要： 本文利用专利之星数据库收录的中国显示产业领域的专利文献,研究了中国显示技术领域的专利申请态势、重点技术领域、主要申请人、地域分布和法律状态,初步判断了产业发展趋势.结果表明:中国显示产业技术处于快速发展阶段,半导体技术和有机材料制备是研发热点,龙头企业不断加强产业布局,地方政府支持力度增大,产品创新能力不断提高,企业核心竞争力不断增强.但产业上游材料依然被外国公司垄断,需要加强本土化研究.

摘要： 碳化硅(SiC)元件在系统层面带来好处(例如光伏逆变器)，减小系统体积，降低系统成本，同时增加半导体价值，SiC MOSFET相比传统1200 V硅器件，具有低Qg和门极电容量，寄生二极管几乎没有反向恢复损耗，开关损耗不受温度影响，有别于IGBT，导通电压为电阻特性Cool SiCTM独特的SiC MOSFET的优势。带给用户的好处主要包括一流的系统性能，效率最高，减少冷却需求，提高工作频率，降低系统成本，提高功率密度，降低系统复杂度，延长寿命，提高可靠性，简化设计和实施。

摘要： 碳化硅(SiC)元件在系统层面带来好处(例如光伏逆变器)，减小系统体积，降低系统成本，同时增加半导体价值，SiC MOSFET相比传统1200 V硅器件，具有低Qg和门极电容量，寄生二极管几乎没有反向恢复损耗，开关损耗不受温度影响，有别于IGBT，导通电压为电阻特性Cool SiCTM独特的SiC MOSFET的优势。带给用户的好处主要包括一流的系统性能，效率最高，减少冷却需求，提高工作频率，降低系统成本，提高功率密度，降低系统复杂度，延长寿命，提高可靠性，简化设计和实施。

摘要： 碳化硅(SiC)元件在系统层面带来好处(例如光伏逆变器)，减小系统体积，降低系统成本，同时增加半导体价值，SiC MOSFET相比传统1200 V硅器件，具有低Qg和门极电容量，寄生二极管几乎没有反向恢复损耗，开关损耗不受温度影响，有别于IGBT，导通电压为电阻特性Cool SiCTM独特的SiC MOSFET的优势。带给用户的好处主要包括一流的系统性能，效率最高，减少冷却需求，提高工作频率，降低系统成本，提高功率密度，降低系统复杂度，延长寿命，提高可靠性，简化设计和实施。

摘要： 实现高PPI(单位面积像素个数),需要更细的线宽和更窄的间距,这往往受到光刻设备解像力的限制,本文对基于不改造应用于显示技术的曝光设备而提高光刻解像力进行研究.用半导体工艺模拟及器件模拟软件模拟分析了离焦量为0时,两种相位移掩膜和传统掩膜下4um/2um等间隔线的光强分布.并根据设备参数模拟分析离焦量为15、30um时通过掩膜得到的光刻间距情况,最后实际比较测量了两种相位移掩膜在相同条件下各自曝光剂量范围和切面微观图.实验结果表明：自准直式边缘相移掩膜相比无铬相移掩膜在产能和良率方面更有优势.自准直式边缘相移掩膜更适合显示技术光刻细线化量产使用.

摘要： 实现高PPI(单位面积像素个数),需要更细的线宽和更窄的间距,这往往受到光刻设备解像力的限制,本文对基于不改造应用于显示技术的曝光设备而提高光刻解像力进行研究.用半导体工艺模拟及器件模拟软件模拟分析了离焦量为0时,两种相位移掩膜和传统掩膜下4um/2um等间隔线的光强分布.并根据设备参数模拟分析离焦量为15、30um时通过掩膜得到的光刻间距情况,最后实际比较测量了两种相位移掩膜在相同条件下各自曝光剂量范围和切面微观图.实验结果表明：自准直式边缘相移掩膜相比无铬相移掩膜在产能和良率方面更有优势.自准直式边缘相移掩膜更适合显示技术光刻细线化量产使用.

摘要： 实现高PPI(单位面积像素个数),需要更细的线宽和更窄的间距,这往往受到光刻设备解像力的限制,本文对基于不改造应用于显示技术的曝光设备而提高光刻解像力进行研究.用半导体工艺模拟及器件模拟软件模拟分析了离焦量为0时,两种相位移掩膜和传统掩膜下4um/2um等间隔线的光强分布.并根据设备参数模拟分析离焦量为15、30um时通过掩膜得到的光刻间距情况,最后实际比较测量了两种相位移掩膜在相同条件下各自曝光剂量范围和切面微观图.实验结果表明：自准直式边缘相移掩膜相比无铬相移掩膜在产能和良率方面更有优势.自准直式边缘相移掩膜更适合显示技术光刻细线化量产使用.

摘要： 实现高PPI(单位面积像素个数),需要更细的线宽和更窄的间距,这往往受到光刻设备解像力的限制,本文对基于不改造应用于显示技术的曝光设备而提高光刻解像力进行研究.用半导体工艺模拟及器件模拟软件模拟分析了离焦量为0时,两种相位移掩膜和传统掩膜下4um/2um等间隔线的光强分布.并根据设备参数模拟分析离焦量为15、30um时通过掩膜得到的光刻间距情况,最后实际比较测量了两种相位移掩膜在相同条件下各自曝光剂量范围和切面微观图.实验结果表明：自准直式边缘相移掩膜相比无铬相移掩膜在产能和良率方面更有优势.自准直式边缘相移掩膜更适合显示技术光刻细线化量产使用.

摘要： 随着集成电路技术步入纳米级,一系列由于沟道微尺寸而引发的效应将影响晶体管性能.迁移率退化是其中最为严重的效应之一.本论文工作讨论了在InAIP虚拟衬底上生长张应变Ge，通过改变In组分获得了不同张应变Ge，并对张应变对Ge迁移率的影响进行了研究。本文中所有样品均在V90气态源分子束外延设备上进行材料生长，其中As和P由AsH3和PH:经1000°C高温裂解获得，其束流大小由压力控制;In,Al,Ga都使用固态源，束流大小由温度进行精确控制。测试结果表明，随着InAIP中In组分的增大，Ge的张应变量随之增大，表明在InAIP虚拟衬底上生长Ge可以对其张应变量进行很好地控制;原子力显微镜测试结果表明即使Ge的张应变量达到2.0％，仍然能够保持二维生长和高质量的表面;霍尔测试结果表明Ge迁移率随着张应变量的增大而增大，显示出其在未来集成电路应用的良好前景。

摘要： 随着集成电路技术步入纳米级,一系列由于沟道微尺寸而引发的效应将影响晶体管性能.迁移率退化是其中最为严重的效应之一.本论文工作讨论了在InAIP虚拟衬底上生长张应变Ge，通过改变In组分获得了不同张应变Ge，并对张应变对Ge迁移率的影响进行了研究。本文中所有样品均在V90气态源分子束外延设备上进行材料生长，其中As和P由AsH3和PH:经1000°C高温裂解获得，其束流大小由压力控制;In,Al,Ga都使用固态源，束流大小由温度进行精确控制。测试结果表明，随着InAIP中In组分的增大，Ge的张应变量随之增大，表明在InAIP虚拟衬底上生长Ge可以对其张应变量进行很好地控制;原子力显微镜测试结果表明即使Ge的张应变量达到2.0％，仍然能够保持二维生长和高质量的表面;霍尔测试结果表明Ge迁移率随着张应变量的增大而增大，显示出其在未来集成电路应用的良好前景。

摘要： 一种有机晶体管，其具有半导体有源层，该半导体有源层含有由下式表示且分子量为3000以下的化合物(X为氧、硫、硒、碲原子或NR

摘要： 本发明涉及基于以沉积的非晶半导体材料为基础形成的晶体半导体材料的技术和相关半导体器件。公开了一种以非常薄的半导体基底材料和沉积在其上的非晶半导体材料为基础来形成晶体半导体材料的方法。可以通过使用例如在380nm以下的适当的辐射波长来应用基于辐射的退火工艺技术，以便有效地将能量沉积限制到表面附近区域。可以可靠地保留半导体基底材料的固态和晶体底部，从而实现覆盖材料部分的结晶化，特别是先前沉积的非晶半导体材料的结晶化。完全耗尽的SOI晶体管元件的非常薄的沟道区域可以用作半导体基底材料，在该基底材料上在稍后的制造阶段中可以形成升高的漏极和源极区域，从而基本上避免任何工艺不规则性，其通常与在非常薄的半导体基底材料上的半导体材料的外延生长相关。

摘要： 作为实施方式之一，本发明涉及一种晶体，包含金属氧化物，所述金属氧化物包含Ga和Mn并具有刚玉结构。

摘要： 本发明提供同时实现了荧光量子效率的提高和耐热性的提高的半导体纳米粒子复合体。本发明的一个方式的半导体纳米粒子复合体为在半导体纳米粒子的表面配位有包含配体I和配体II的2种以上的配体的半导体纳米粒子复合体，其中，所述配体包含有机基团和配位性基团，所述配体I具有一个巯基作为所述配位性基团，所述配体II至少具有两个以上的巯基作为所述配位性基团。

摘要： 本发明涉及一种半导体纳米粒子复合体，其为在半导体纳米粒子的表面配位有配体的半导体纳米粒子复合体，其中，所述半导体纳米粒子包含In和P，所述配体包含下述通式(1)表示的巯基脂肪酸酯，所述巯基脂肪酸酯的SP值为9.30以下，通式(1)：HS‑R1‑COOR2 (1)通式(1)中，R1为碳原子数为1～11的烃基，R2为碳原子数为1～30的烃基。根据本发明，能够提供在纯化前后保持较高的荧光量子效率(QY)的半导体纳米粒子复合体。

摘要： 一种氮化物半导体层叠物，其具有：基板，其具有由氮极性面形成的表面、以及与表面处于相反侧的由III族元素极性面形成的背面，所述基板由III族氮化物半导体形成；保护层，其至少设置在基板的背面侧，耐热性比基板的背面高；以及半导体层，其设置在基板的表面侧，由III族氮化物半导体形成，半导体层中的O的浓度低于1×10

摘要： 一种半导体用膜组合物，其包含：化合物(A)，具有包含伯氮原子和仲氮原子中至少一者的阳离子性官能团、且重均分子量为1万以上40万以下；交联剂(B)，在分子内具有3个以上‑C(＝O)OX基(X为氢原子或碳数1以上6以下的烷基)，3个以上‑C(＝O)OX基中，1个以上6个以下为‑C(＝O)OH基，所述交联剂(B)的重均分子量为200以上600以下；以及水(D)，所述化合物(A)为脂肪族胺。

摘要： 一种半导体用膜组合物，其包含：化合物(A)，具有Si‑O键以及包含伯氮原子和仲氮原子中至少一者的阳离子性官能团；交联剂(B)，在分子内具有3个以上‑C(＝O)OX基(X为氢原子或碳数1以上6以下的烷基)，3个以上‑C(＝O)OX基中，1个以上6个以下为‑C(＝O)OH基，所述交联剂(B)的重均分子量为200以上600以下；以及极性溶剂(D)。

摘要： 根据本发明的制造半导体衬底的方法包括：制备包括半导体材料的籽晶衬底(1)的步骤，在籽晶衬底(1)上执行离子注入的步骤，由此离子注入层(2)形成为距离籽晶衬底(1)的主表面的表面一定深度；利用气相合成方法在籽晶衬底(1)的主表面上生长半导体层(3)的步骤；以及通过利用光(4)照射半导体层(3)和/或籽晶衬底(1)的主表面的表面的步骤，由此分离包括籽晶衬底的至少一部分(1a)和半导体层(3)的半导体衬底(5)。

摘要： 一种光半导体元件封装组合物，其是含有封装树脂和光扩散性有机颗粒的光半导体元件封装组合物。封装树脂的折射率与光扩散性有机颗粒的折射率之差的绝对值为0.020以上且0.135以下。光扩散性有机颗粒相对于光半导体元件封装组合物的含有比率为1质量％以上且10质量％以下。光半导体元件封装组合物用于光半导体元件的封装。