半导体工业

摘要： 半导体工业是21世纪人类科技领域的皇冠,半导体芯片作为皇冠上的明珠,由数十亿个存储、移动和处理数据的晶体管组成,是信息化产品的核心部件,关乎国计民生各领域的关键应用和基础设施,已然成为各国重要的战略资源。半导体几乎可以支持所有工业活动,是人工智能、云计算、5G、物联网(IoT)、大规模数据处理、分析和超级计算等新兴技术的基础,支撑国家的技术竞争力和信息能力。

摘要： 21世纪是信息化时代,智能手机、手表、手环以及笔记本电脑等智能电子设备越来越普及。这些琳琅满目的电子设备在为人们提供高效便捷的生活方式同时,耗电过快也给使用者带来了苦恼。随身携带各种充电器和数据线成了人们的生活常态。相信很多人在智能手机电量过低而被迫关机的时,都不禁感慨如果手机电量可以永不耗尽,再也不用充电就好了。电子设备在使用的过程中总是伴随着发热的问题,大量热耗散引起的功能损耗限制了电池的使用时间。这些常规电子器件的发热问题都与电子传输过程中的热耗散有关。在过去半个世纪,微电子技术的飞速发展遵从著名的摩尔定律,即集成电路上可容纳的晶体管数量将在每18个月翻一倍,目前已经可以达到单芯片集成上百亿晶体管。然而,随着晶体管尺寸的缩小,量子效应逐渐明显,其导致的热效应成为了摩尔定律的瓶颈。如何降低高度集成化和微型化的电子器件的热耗散成为全世界半导体工业领域所共同面临的问题。

摘要： 朋友说想买一个手机快充,看到网上有一款氮化镓充电器,价格较贵,但功率最高可达120瓦(W)。问我氮化镓究竟是何方神圣?为什么氮化镓充电器功率这么大?近期在工作中刚好接触到过镓,了解到镓的一系列化合物被广泛应用于无线通信、化学工业、医疗设备、太阳能电池和航空航天等高科技领域,被称为“半导体工业的新粮食”和“电子工业的脊梁”。

摘要： 氨气是半导体工业中的重要电子气体,常有电子级、光电子级、7N光电子级三个级别,其作为一种理想的氮源在半导体和化合物半导体器件制造中广泛应用.随着科技的发展进步,电子产品、新型节能照明器件、清洁能源等的需求日益增大,对于氨气的纯度要求也越来越高.氨中的任何杂质组分的含量稍微超出其行业规定的最低含量,都将给产品的性能带来致命的影响,从而影响产品的良品率和成品率.而氨中的杂质组分氢气、氧气、氩气、氮气、甲烷、一氧化碳、二氧化碳的含量均为10-9级别,需要用气相色谱仪精确的检测其中的杂质组分,为此,设计出一种用于氨气分析检测的气路流程系统,可以高效的分离氨气中的各种杂质组分,定性定量准确,分析周期短.

摘要： 人类社会对于“刻”“做标记”并不陌生。作为文明的标志.远古的人们在洞穴中刻出了生命的图腾。作为现代科学的象征,光刻技术作为半导体工业的“领头羊”,在半个世纪的进化历程中为整个产业的发展提供了最为有力的技术支撑。来自南京大学的王元元教授一直致力于通过引入新型的光学刻蚀技术,构建全无机纳晶器件,并在场效应传感器(FET)、量子点发光二极管(QD-LED)、二元衍射光栅(Binary Diffraction Grating)等方面取得了一系列重要的成果。

摘要： 气体分析仪OmniStar®和ThermoStar®近日,普发真空正式在中国发布紧凑型便携式台式分析仪OmniStar和ThermoStar GSD 350。两款产品均可在大气压下分析气体,广泛运用于化学工艺、半导体工业、冶金、发酵、催化、冷冻干燥和环境分析。机器的进气口配有毛细管,可在最高350°C的温度下使用,可以防止在过工艺气体分析过程中产生蒸气凝结。同时,得益于两级进气系统,气体供应几乎可以实现完全无分层。

摘要： 在当前电子工业不断创新发展时代背景下,很多电子元件的生产质量得到明显提升,所使用的生产工艺与设备越来越具有先进化特征。其中关于半导体工业超纯水施工工艺方面,涉及到的生产技术和工艺较多,需要注重生产加工的质量。本次研究中,主要阐述半导体工业超纯水的现场质量管理工作问题及对策。首先,文章对半导体工业超纯水相关理论知识内容进行概述;然后,分析半导体工业超纯水的现场质量管理工作问题;最后,指出半导体工业超纯水的现场质量管理对策。

摘要： 针对目前半导体工业超纯水制备工作开展过程存在的问题,文章从实践角度出发,分析了超纯水的技术指标要求,并提出了制备技术的控制策略。结果表明,只有在明确技术指标要求前提下,才能使制备工艺措施运用起到事半功倍效果。

摘要： 半导体工艺是集成电路发展的核心技术之一,近日,在日本举行的2019年VLSI研讨会和之前召开的SEMICONWest 2019两大研讨会上,台积电公布了大量有关自家7nm后的生产工艺,以及最新的SOIC堆叠封装技术发展的相关资料,国外媒体WikiChip FUSE也对此进行了详细介绍。本刊特别对这篇文章进行了专业的翻译,以让读者了解未来数年半导体工业的发展趋势,那么我们什么时候能用上5nm,甚至3nm工艺的处理器?未来除了闪存芯片,其他芯片也会走上垂直堆叠的道路吗?

摘要： 以ULSI为背景,概述电子元器件的主要特点、构成部件.以电子产品废弃品为例,介绍时尚有趣的电子元器件装饰品或者工艺品.以电动飞碟为例,简述将电路系统原理图物理实现为实际电子产品的制作过程.最后提出我国电子元器件在高速增长时期,应抓住机遇、走独立自主创新的发展路线.

摘要： 本文阐述了传统半导体工业用含氟清洗气体的主要品种及对环境的影响。并通过技术创新，研发出新一代含氟清洗气体，其GWP值低甚至为零，清洗效率高，后处理简单。代表性的新一代含氟清洗气体是COF2，其他如F2,ClF3等。并对COF2、ClF3的研发及效果进行了概述。

摘要： 等离子发射检测器(Plasma Emission Detector)是一种应用于气相色谱仪的新型检测器.等离子体(plasma)不是一种新技术,早在19世纪30年代已经产生,到19世纪70年代随着电子和材料科学的发展,等离子体技术取得了较大的发展,在基础工业和高科技领域获得了广泛的应用.PlasmaDetek是一种超高灵敏度的检测器,可以很好的解决一般高纯气体或者混合气体的微量痕量分析,加拿大LDetek仪器公司团队经过近20年的探索,Plasma在特气和半导体气体方面也得到了越来越广泛的应用,并且取得了非常好的效果.

摘要： 本实验采用930离子色谱仪,电导串联紫外检测器,柱后衍生测定废氢氟酸中的六氟硅酸.六氟硅酸在碱性淋洗液体系完全分解转化为硅酸,硅酸经过柱后衍生反应,在360nm波长进行检测.色谱条件:色谱柱Metrosep A Supp16-250/4.0mm,Metrosep A Supp16Guard保护柱,淋洗液:5.5mmol·L-1Na2CO3+2.5mmol·L-1NaHCO3的水溶液.六氟硅酸的标准曲线线性相关系数r＞0.999,本方法还可以同时电导检测测定废氢氟酸中的盐酸、硝酸、磷酸和硫酸的含量.

摘要： 本实验采用930离子色谱仪,电导串联紫外检测器,柱后衍生测定废氢氟酸中的六氟硅酸.六氟硅酸在碱性淋洗液体系完全分解转化为硅酸,硅酸经过柱后衍生反应,在360nm波长进行检测.色谱条件:色谱柱Metrosep A Supp16-250/4.0mm,Metrosep A Supp16Guard保护柱,淋洗液:5.5mmol·L-1Na2CO3+2.5mmol·L-1NaHCO3的水溶液.六氟硅酸的标准曲线线性相关系数r＞0.999,本方法还可以同时电导检测测定废氢氟酸中的盐酸、硝酸、磷酸和硫酸的含量.

摘要： 本实验采用930离子色谱仪,电导串联紫外检测器,柱后衍生测定废氢氟酸中的六氟硅酸.六氟硅酸在碱性淋洗液体系完全分解转化为硅酸,硅酸经过柱后衍生反应,在360nm波长进行检测.色谱条件:色谱柱Metrosep A Supp16-250/4.0mm,Metrosep A Supp16Guard保护柱,淋洗液:5.5mmol·L-1Na2CO3+2.5mmol·L-1NaHCO3的水溶液.六氟硅酸的标准曲线线性相关系数r＞0.999,本方法还可以同时电导检测测定废氢氟酸中的盐酸、硝酸、磷酸和硫酸的含量.

摘要： 本实验采用930离子色谱仪,电导串联紫外检测器,柱后衍生测定废氢氟酸中的六氟硅酸.六氟硅酸在碱性淋洗液体系完全分解转化为硅酸,硅酸经过柱后衍生反应,在360nm波长进行检测.色谱条件:色谱柱Metrosep A Supp16-250/4.0mm,Metrosep A Supp16Guard保护柱,淋洗液:5.5mmol·L-1Na2CO3+2.5mmol·L-1NaHCO3的水溶液.六氟硅酸的标准曲线线性相关系数r＞0.999,本方法还可以同时电导检测测定废氢氟酸中的盐酸、硝酸、磷酸和硫酸的含量.

摘要： 以硅酸为原料,采用离子诱导法,制成了有别于传统球形的非球形二氧化硅溶胶,并使用SEM、TEM、DLS、BET等方法对其进行了表征.结果表明,二氧化硅颗粒之间通过Si-O-Si键合,整体颗粒呈现出腰果状或花生状.最后,将其运用于二氧化硅介电层的化学机械抛光,结果显示这种非球形的二氧化硅溶胶能显著提高抛光速率.

摘要： 以硅酸为原料,采用离子诱导法,制成了有别于传统球形的非球形二氧化硅溶胶,并使用SEM、TEM、DLS、BET等方法对其进行了表征.结果表明,二氧化硅颗粒之间通过Si-O-Si键合,整体颗粒呈现出腰果状或花生状.最后,将其运用于二氧化硅介电层的化学机械抛光,结果显示这种非球形的二氧化硅溶胶能显著提高抛光速率.

摘要： 以硅酸为原料,采用离子诱导法,制成了有别于传统球形的非球形二氧化硅溶胶,并使用SEM、TEM、DLS、BET等方法对其进行了表征.结果表明,二氧化硅颗粒之间通过Si-O-Si键合,整体颗粒呈现出腰果状或花生状.最后,将其运用于二氧化硅介电层的化学机械抛光,结果显示这种非球形的二氧化硅溶胶能显著提高抛光速率.

摘要： 以硅酸为原料,采用离子诱导法,制成了有别于传统球形的非球形二氧化硅溶胶,并使用SEM、TEM、DLS、BET等方法对其进行了表征.结果表明,二氧化硅颗粒之间通过Si-O-Si键合,整体颗粒呈现出腰果状或花生状.最后,将其运用于二氧化硅介电层的化学机械抛光,结果显示这种非球形的二氧化硅溶胶能显著提高抛光速率.

摘要： 本发明提供一种能够利用划线形成良好的裂纹的半导体晶片、半导体条、半导体晶片的制造方法、半导体条的制造方法以及半导体元件的制造方法。使用半导体晶片的外延生长层在该半导体晶片的面方向排列形成有多个光半导体元件(具体地说，半导体激光器)。InGaAs外延层具有在多个光半导体元件之间连续地设置并且使该InGaAs外延层之下的层至少相对于该InGaAs外延层之上的层露出的部分(具体地说，开口部或者槽)。沿着该部分进行划线，由此，能够形成垂直发展的裂纹。

摘要： 一种有机晶体管，其具有半导体有源层，该半导体有源层含有由下式表示且分子量为3000以下的化合物(X为氧、硫、硒、碲原子或NR

摘要： 作为实施方式之一，本发明涉及一种晶体，包含金属氧化物，所述金属氧化物包含Ga和Mn并具有刚玉结构。

摘要： 本发明提供同时实现了荧光量子效率的提高和耐热性的提高的半导体纳米粒子复合体。本发明的一个方式的半导体纳米粒子复合体为在半导体纳米粒子的表面配位有包含配体I和配体II的2种以上的配体的半导体纳米粒子复合体，其中，所述配体包含有机基团和配位性基团，所述配体I具有一个巯基作为所述配位性基团，所述配体II至少具有两个以上的巯基作为所述配位性基团。

摘要： 本发明涉及一种半导体纳米粒子复合体，其为在半导体纳米粒子的表面配位有配体的半导体纳米粒子复合体，其中，所述半导体纳米粒子包含In和P，所述配体包含下述通式(1)表示的巯基脂肪酸酯，所述巯基脂肪酸酯的SP值为9.30以下，通式(1)：HS‑R1‑COOR2 (1)通式(1)中，R1为碳原子数为1～11的烃基，R2为碳原子数为1～30的烃基。根据本发明，能够提供在纯化前后保持较高的荧光量子效率(QY)的半导体纳米粒子复合体。

摘要： 一种氮化物半导体层叠物，其具有：基板，其具有由氮极性面形成的表面、以及与表面处于相反侧的由III族元素极性面形成的背面，所述基板由III族氮化物半导体形成；保护层，其至少设置在基板的背面侧，耐热性比基板的背面高；以及半导体层，其设置在基板的表面侧，由III族氮化物半导体形成，半导体层中的O的浓度低于1×10

摘要： 一种半导体用膜组合物，其包含：化合物(A)，具有包含伯氮原子和仲氮原子中至少一者的阳离子性官能团、且重均分子量为1万以上40万以下；交联剂(B)，在分子内具有3个以上‑C(＝O)OX基(X为氢原子或碳数1以上6以下的烷基)，3个以上‑C(＝O)OX基中，1个以上6个以下为‑C(＝O)OH基，所述交联剂(B)的重均分子量为200以上600以下；以及水(D)，所述化合物(A)为脂肪族胺。

摘要： 一种半导体用膜组合物，其包含：化合物(A)，具有Si‑O键以及包含伯氮原子和仲氮原子中至少一者的阳离子性官能团；交联剂(B)，在分子内具有3个以上‑C(＝O)OX基(X为氢原子或碳数1以上6以下的烷基)，3个以上‑C(＝O)OX基中，1个以上6个以下为‑C(＝O)OH基，所述交联剂(B)的重均分子量为200以上600以下；以及极性溶剂(D)。

摘要： 根据本发明的制造半导体衬底的方法包括：制备包括半导体材料的籽晶衬底(1)的步骤，在籽晶衬底(1)上执行离子注入的步骤，由此离子注入层(2)形成为距离籽晶衬底(1)的主表面的表面一定深度；利用气相合成方法在籽晶衬底(1)的主表面上生长半导体层(3)的步骤；以及通过利用光(4)照射半导体层(3)和/或籽晶衬底(1)的主表面的表面的步骤，由此分离包括籽晶衬底的至少一部分(1a)和半导体层(3)的半导体衬底(5)。

摘要： 一种光半导体元件封装组合物，其是含有封装树脂和光扩散性有机颗粒的光半导体元件封装组合物。封装树脂的折射率与光扩散性有机颗粒的折射率之差的绝对值为0.020以上且0.135以下。光扩散性有机颗粒相对于光半导体元件封装组合物的含有比率为1质量％以上且10质量％以下。光半导体元件封装组合物用于光半导体元件的封装。