半导体行业

摘要： 进入2022年,全球芯片市场的竞争进一步加剧。2月4日,美国国会众议院表决通过《2022美国竞争法案》,旨在提高美国竞争力,重点发展半导体等高科技制造业。该法案内容包括拨款520亿美元用于发展半导体行业;拨款450亿美元支持高科技产品相关供应链建设;向各州拨款105亿美元用于储备医疗器械;向发展中国家提供80亿美元用于应对气候变化等。

摘要： 半导体行业的未来前景相当乐观,预计2022年将增长9%左右。但是,由于持续的冠状病毒大流行等影响,该行业-再面临供应瓶颈。德国赫优讯通过开发一种适用于半导体行业的新型comX通讯模块,为应对当前形势提供了支持。赫优讯通讯模块已被许多成功的公司用于工业自动化超过25年,它们能够在一次设计中支持各种主流的实时以太网协议作为主站或从站,这在机器人控制器、PLC或驱动器等设备制造商中非常受欢迎。

摘要： 安世半导体(Nexperia)是全球半导体行业公认的基础半导体器件生产专家,持续稳定地大批量生产超越业界质量标准的高效产品。安世半导体连续在2020和2021年参加中国国际进口博览会,借此机会我们特别专访了安世半导体全球销售资深副总裁张鹏岗,请他介绍安世如何运用逻辑电路、分立器件和MOSFET(金属-氧化物半导体场效应晶体管)方面的最新技术推动全世界电子设计的发展。

摘要： 2016年《中国注册会计师审计准则第1504号――在审计报告中沟通关键审计事项》正式出台,且于两年后全面推行于A股上市公司。为了让注册会计师在审计过程中投入更多的精力关注高风险领域,应提高关键审计事项披露的充分性。本文将选取半导体行业上市公司2015年到2018年的相关数据,即“新审计准则”在A股的实施前后作为例子,对审计师在审计报告中关键审计事项、事项数量的披露,与公司的会计稳健性进行相关研究。研究发现:新审计准则的实施,能有效减少管理层的激进会计行为,对提高公司会计稳健性有积极影响。且会计稳健性越高的公司,一般在审计报告中披露的重要审计事项也越多。

摘要： 半导体行业是战略性新兴产业的重要支柱,对经济发展和国家安全意义重大,半导体国产化势在必行。作为产业发展的关键制约因素,融资约束直接牵制了半导体企业的研发活动。本文基于我国半导体产业96家上市公司"十三五"期间的数据,在分析关键融资模式的基础上,探讨不同筹资方式的支持效应。研究发现,财政资金、内源融资、股权融资、债权融资为企业主要筹资渠道,但总体而言,资本市场参与程度低,对产业发展的推动作用尚不突出。鉴于此,本文建议积极推动资本市场制度创新、产品创新、板块创新,从而提高半导体企业融资效率、降低筹资成本。

摘要： 1背景数字化和微电子正成为生活领域的重要组成部分,并导致半导体行业在几年内就成为了全球经济的驱动力。然而,在行业飞速发展的同时,制造商却面临着难以满足客户要求日益严格的挑战。半导体生产是一种高度复杂的工艺,涉及数百个工序。由于尺寸特殊且非常精密,几乎无法手动生产集成电路。此外,生产对纯度、洁净度和功能性提出了严格要求。因此,半导体工厂需要高度自动化、智能互联、模块化且灵活的生产理念。

摘要： 半导体行业的未来前景相当乐观,预计2022年将增长9%左右。但是,由于持续的冠状病毒大流行等影响,该行业一再面临供应瓶颈。德国赫优讯通过开发一种适用于半导体行业的新型com X通讯模块,为应对当前形势提供了支持。赫优讯通讯模块已被许多成功的公司用于工业自动化超过25年,它们能够在一次设计中支持各种主流的实时以太网协议作为主站或从站,这在机器人控制器、PLC或驱动器等设备制造商中非常受欢迎。

摘要： 要论风格极致的基金经理,诺安基金蔡嵩松绝对算一位。其管理的诺安成长混合在2019年被接手后,一路从连续三年收益为负值、跑输沪深300的窘境中脱离出来,让其业绩飙升至200%,规模从3.8亿到超过300亿。但他坚持重仓在资本市场上波动巨大的半导体行业,导致业绩起伏极大,让不少基民很受伤,痛斥其是“拿基民的钱不当钱”的赌徒。

摘要： 随着第三代半导体的工艺越来越成熟和稳定,应用在工业和电动汽车上的产品也变得多样化。作为半导体行业中的佼佼者,意法半导体同样重视第三代半导体带来的优势作用,推出了有关氮化镓(GaN)和碳化硅(SiC)的一系列产品,有力地推动了第三代半导体在电动汽车和工业领域上的应用发展。

摘要： 12021年回顾对许多行业,尤其是半导体行业来说,2021年都是前所未有的一年,是充满挑战的一年。这场席卷全球的芯片短缺主要与受疫情初期影响后经济的快速复苏有关,但也与我们专注的汽车和工业两个市场正在经历的变革有关。汽车行业正在向电动化和智能化转型,这两个转变引起汽车架构变化,为价值链中的新参与者打开了市场,同时也引起一些市场的动能和主要参与者发生了变化。在这方面,我们看到亚洲尤其是中国正在取得成功。

摘要： 以往关于技术机会分析的文献很少考察特定领域的技术机会窗口.本文采用马尔科夫区制转换(MRS)方法,通过刻画专利时序数据的动态变化路径,来识别半导体行业技术机会出现的时间窗口.实证结果表明,半导体行业专利授权数量上升与下降的交替频率较高,且专利授权数量上升状态的持续性明显弱于专利授权数量下降状态的持续性:专利授权数量上升状态的平均持续期约为1.84个季度,专利授权数量下降状态的平均持续期约为2.81个季度.与以往研究相比,本文提出的MRS方法可以更准确地预测某个特定领域的技术机会窗口.

摘要： 随着近年来我国半导体产业的持续繁荣发展，中国已成为全球半导体制造增长最为迅速的市场。为有效控制监管半导体生产过程中大量使用的各种有机溶剂所产生的废气中可挥发性有机物(VOC)的排放，加强行业污染控制，规范行业环境保护管理工作，对制订半导体行业VOC排放标准进行了研究。概述了半导体行业VOC排放的特点。分析了该行业对VOC排放的治理技术。阐述了美国和中国台湾地区有关半导体行业VOC废气的排放标准。从国内半导体企业VOC治理现状、现有监测技术、‘VOC排放管理方式等方面探讨了我国半导体行业VOC废气排放标准的制定思路。

摘要： 本文介绍了"十五"以来半导体行业高效精密加工用金刚石磨具以及相关配套产品的国产化进展情况,包括高精度超薄切割砂轮、硅片减薄砂轮、砂轮修整板及微孔陶瓷吸盘等产品的品种、型号、规格、应用实例等。

摘要： 过去几年里,手机被视为人类大脑的延伸、短期记忆的备份,成为人们生活中必需品.社交媒体更是大大缩短了人与人之间的距离,Facebook声称拥有超过20亿月度活跃用户,比世界上任何一个国家的人口还多.按照这一发展态势,可以预知,在我们未来的世界中,一切都将是智能互联的.格芯韩志勇从行业角度分析,近年来,信息的储存与流量不断扩大,对于科技行业既是机遇,也是挑战:用户对于触控、图像传感、高清分辨率、语音识别和文件压缩能力的需求越来越高，5G网络的到来可以帮助物联网发展背景下新型客户的需要，对于数据处理中心,我们不断分类、识别各种模式,并转换成帮助我们预测未来的代码与规则,但我们尚未触及数据处理中心的深层内核为应对挑战,格芯提出"实现智能互联"——我们要根据数据,做出一个可以指导我们实践的、实时的洞察,因为可实践的数据才是有意义的.以前的价值存在于电脑当中,现在我们知道网络是价值所在,最核心的价值则存在于数据中心以及对数据中心的分析过程中.这是最好的技术创新的时代,半导体芯片的研究和发展是必需的和不可分割的,因为无论是数据收集,还是对数据的分析和传输,半导体芯片都在其中发挥着无可替代的关键作用.如今,22纳米节点已成为半导体行业的最大战场之一,格芯22FDX工艺显然在性能、功耗、面积与成熟度都为行业佼佼者.格芯22FDX工艺采用22nm FD-SOI(全耗尽绝缘硅)晶体管架构,为用无线通讯的智能系统提供了业界最佳的性能、功耗和面积组合.格芯22FDX(R)平台包括可移动的一系列的独特产品,使应用可以跨越不同领域的市场,迎合了物联网时代的新变革.利用FDXTM满足物联网新需要的同时,格芯也希望通过FDXTM帮助中国半导体行业实现从"中国制造"到"中国智造"及"中国创 新"的转型.

摘要： 本文讲述了电子产品市场应用热点层出不穷，缩短市场驱动:下游庞大市场拉动半导体需求，中国半导体市场销量占3成，但产量只占4%，分析了亚洲成为半导体市场中心和供应链中心。

摘要： 气体纯化技术对于保证半导体行业发展至关重要,本文分析了半导体行业对气体的需求指标及现有气体纯化工艺的局限.介绍了采用催化、吸附、吸气剂等技术联用,对氮气、氢气、氩气等进行超纯气体纯化的系列新工艺.该系列工艺配合使用洁净管道、管件、阀门、洁净施工,所生产出的纯化器产气纯度可达8N以上,各种有害杂质均小于1ppb,确定了所开发的氮气、氢气、氩气纯化工艺产气指标、抗波动能力及适用性均可满足半导体行业发展需求.

摘要： 介绍了微组装技术的定义、特征等基本概念;分析探讨了微组装技术的技术体系及其与电气互联技术等相关技术的相互关系;论述了微组装技术的主要内容及其发展动态。

摘要： 介绍了微组装技术的定义、特征等基本概念;分析探讨了微组装技术的技术体系及其与电气互联技术等相关技术的相互关系;论述了微组装技术的主要内容及其发展动态。

摘要： 介绍了微组装技术的定义、特征等基本概念;分析探讨了微组装技术的技术体系及其与电气互联技术等相关技术的相互关系;论述了微组装技术的主要内容及其发展动态。

摘要： @@在电子制造众多技术环节中，没有其它两种技术比封装与组装技术可比性更多的了。无论技术内涵还是外部特征，这两种分别属于半导体和整机制造行业的技术都是你中有我、我中有你，联系越来越紧密，界限越来越模糊。这既是电子产品微小型化和多功能化的必然结果，也是未来各种技术交叉和融合的发展趋势。

摘要： 本发明提供一种能够利用划线形成良好的裂纹的半导体晶片、半导体条、半导体晶片的制造方法、半导体条的制造方法以及半导体元件的制造方法。使用半导体晶片的外延生长层在该半导体晶片的面方向排列形成有多个光半导体元件(具体地说，半导体激光器)。InGaAs外延层具有在多个光半导体元件之间连续地设置并且使该InGaAs外延层之下的层至少相对于该InGaAs外延层之上的层露出的部分(具体地说，开口部或者槽)。沿着该部分进行划线，由此，能够形成垂直发展的裂纹。

摘要： 一种有机晶体管，其具有半导体有源层，该半导体有源层含有由下式表示且分子量为3000以下的化合物(X为氧、硫、硒、碲原子或NR

摘要： 作为实施方式之一，本发明涉及一种晶体，包含金属氧化物，所述金属氧化物包含Ga和Mn并具有刚玉结构。

摘要： 本发明提供同时实现了荧光量子效率的提高和耐热性的提高的半导体纳米粒子复合体。本发明的一个方式的半导体纳米粒子复合体为在半导体纳米粒子的表面配位有包含配体I和配体II的2种以上的配体的半导体纳米粒子复合体，其中，所述配体包含有机基团和配位性基团，所述配体I具有一个巯基作为所述配位性基团，所述配体II至少具有两个以上的巯基作为所述配位性基团。

摘要： 本发明涉及一种半导体纳米粒子复合体，其为在半导体纳米粒子的表面配位有配体的半导体纳米粒子复合体，其中，所述半导体纳米粒子包含In和P，所述配体包含下述通式(1)表示的巯基脂肪酸酯，所述巯基脂肪酸酯的SP值为9.30以下，通式(1)：HS‑R1‑COOR2 (1)通式(1)中，R1为碳原子数为1～11的烃基，R2为碳原子数为1～30的烃基。根据本发明，能够提供在纯化前后保持较高的荧光量子效率(QY)的半导体纳米粒子复合体。

摘要： 一种氮化物半导体层叠物，其具有：基板，其具有由氮极性面形成的表面、以及与表面处于相反侧的由III族元素极性面形成的背面，所述基板由III族氮化物半导体形成；保护层，其至少设置在基板的背面侧，耐热性比基板的背面高；以及半导体层，其设置在基板的表面侧，由III族氮化物半导体形成，半导体层中的O的浓度低于1×10

摘要： 一种半导体用膜组合物，其包含：化合物(A)，具有包含伯氮原子和仲氮原子中至少一者的阳离子性官能团、且重均分子量为1万以上40万以下；交联剂(B)，在分子内具有3个以上‑C(＝O)OX基(X为氢原子或碳数1以上6以下的烷基)，3个以上‑C(＝O)OX基中，1个以上6个以下为‑C(＝O)OH基，所述交联剂(B)的重均分子量为200以上600以下；以及水(D)，所述化合物(A)为脂肪族胺。

摘要： 一种半导体用膜组合物，其包含：化合物(A)，具有Si‑O键以及包含伯氮原子和仲氮原子中至少一者的阳离子性官能团；交联剂(B)，在分子内具有3个以上‑C(＝O)OX基(X为氢原子或碳数1以上6以下的烷基)，3个以上‑C(＝O)OX基中，1个以上6个以下为‑C(＝O)OH基，所述交联剂(B)的重均分子量为200以上600以下；以及极性溶剂(D)。

摘要： 根据本发明的制造半导体衬底的方法包括：制备包括半导体材料的籽晶衬底(1)的步骤，在籽晶衬底(1)上执行离子注入的步骤，由此离子注入层(2)形成为距离籽晶衬底(1)的主表面的表面一定深度；利用气相合成方法在籽晶衬底(1)的主表面上生长半导体层(3)的步骤；以及通过利用光(4)照射半导体层(3)和/或籽晶衬底(1)的主表面的表面的步骤，由此分离包括籽晶衬底的至少一部分(1a)和半导体层(3)的半导体衬底(5)。

摘要： 一种光半导体元件封装组合物，其是含有封装树脂和光扩散性有机颗粒的光半导体元件封装组合物。封装树脂的折射率与光扩散性有机颗粒的折射率之差的绝对值为0.020以上且0.135以下。光扩散性有机颗粒相对于光半导体元件封装组合物的含有比率为1质量％以上且10质量％以下。光半导体元件封装组合物用于光半导体元件的封装。