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首页> 中国专利> 晶体、结晶性氧化物半导体、包含结晶性氧化物半导体的半导体膜、包含晶体和/或半导体膜的半导体装置以及包含半导体装置的系统

晶体、结晶性氧化物半导体、包含结晶性氧化物半导体的半导体膜、包含晶体和/或半导体膜的半导体装置以及包含半导体装置的系统

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摘要

作为实施方式之一，本发明涉及一种晶体，包含金属氧化物，所述金属氧化物包含Ga和Mn并具有刚玉结构。

著录项

  • 公开/公告号CN113891859A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2022-01-04

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 株式会社FLOSFIA;

    申请/专利号CN202080039782.3

  • 发明设计人 松田时宜;佐佐木贵博;人罗俊实;高桥勲;

    申请日2020-03-30

  • 分类号C01G45/00(20060101);H01C7/04(20060101);C23C16/40(20060101);

  • 代理机构11018 北京德琦知识产权代理有限公司;

  • 代理人刁兴利;康泉

  • 地址 日本京都

  • 入库时间 2023-06-19 13:30:50

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2022-03-18

    实质审查的生效 IPC(主分类):C01G45/00 专利申请号:2020800397823 申请日:20200330

    实质审查的生效

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