机译:用于非晶氧化物半导体薄膜晶体管的封闭形式的包含陷阱电荷的漏极电流紧凑模型
College of Information Science and Engineering, Huaqiao University;
College of Information Science and Engineering, Huaqiao University;
College of Information Science and Engineering, Huaqiao University;
College of Information Science and Engineering, Huaqiao University;
Graduate Institute of Electrical Engineering, National Kaohsiung First University of Science and Technology;
Amorphous oxide semiconductor (AOS); Thin film transistors (TFTs); Drain current model;
机译:埋入沟道p型金属氧化物半导体场效应晶体管的紧凑型热电子感应氧化物陷阱电荷和后应力漏极电流建模
机译:对称双栅非晶铟镓锌氧化物薄膜晶体管的分析漏电流模型
机译:通用非对称双栅极金属氧化物半导体场效应晶体管的显式紧凑型表面电势和漏极电流模型
机译:考虑深陷和尾陷状态的非晶硅和多晶硅薄膜晶体管在不同温度下的分析漏电流模型
机译:用于高性能薄膜晶体管的非晶态金属氧化物半导体的低温溶液处理。
机译:有源层厚度不同的非晶InGaZnO薄膜晶体管中漏极电流应力引起的不稳定性
机译:通过三元氧化物半导体的元素扩散增强非晶氧化物薄膜晶体管的互相完整性