公开/公告号CN107112205A
专利类型发明专利
公开/公告日2017-08-29
原文格式PDF
申请/专利权人 住友电气工业株式会社;
申请/专利号CN201680005889.X
申请日2016-01-15
分类号H01L21/02(20060101);H01L21/20(20060101);H01L21/205(20060101);H01L21/265(20060101);
代理机构11219 中原信达知识产权代理有限责任公司;
代理人李兰;孙志湧
地址 日本大阪府大阪市
入库时间 2023-06-19 03:13:27
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2017-09-22
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L21/02 申请日:20160115
实质审查的生效
2017-08-29
公开
公开
机译: 氮化物半导体衬底,半导体层压材料,用于选择基板的程序,用于输出基板数据的程序,具有用于输出基板数据的程序的氮化物半导体衬底,具有离子坐标图的偏角坐标图,氮化物半导体衬底,用于选择半导体器件的程序,生产氮化物半导体衬底的方法,制造半导体层压材料的方法,制造半导体器件的方法,以及用于...的方法
机译: 半导体衬底的制造方法,半导体衬底,复合半导体衬底的制造方法,复合半导体衬底和半导体结衬底
机译: 化合物半导体衬底的抛光方法,化合物半导体衬底,化合物半导体外延衬底的制造方法和化合物半导体外延衬底