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微电子器件; 宽禁带半导体; 光电子器件; 氮化镓; 缺陷密度; 工艺成熟; 低成本优势; 技术团队;
机译:宽禁带半导体中的低频和1 / f噪声:碳化硅和氮化镓
机译:通过使用第三代半导体(氮化镓)对EE本科课程中MOSFET内容的优化
机译:通过测量和技术-计算机辅助设计仿真研究金属-绝缘体-半导体场效应晶体管和高电子迁移率晶体管的氮化镓/氮化镓铝/氮化镓高压晶体管中的表面电荷和陷阱
机译:高级电力电子设计的基于物理学的紧凑镓氮化镓功率半导体器件模型
机译:分子束外延生长氮化镓半导体的衬底制备
机译:通过氮化硅衬底上电化学沉积的氧化镓的氮化合成氮化镓纳米结构
机译:溶胶-凝胶法在硅衬底上生长氮化镓半导体薄膜
机译:在包括非氮化镓柱的基板上制造氮化镓半导体层的方法,以及由此制造的氮化镓半导体结构。
机译:氮化镓晶体,氮化镓衬底,氮化镓晶体和半导体器件的表面处理方法以及氮化镓晶体衬底和半导体器件的制造方法
机译:生长用于基于氮化镓的半导体电子器件的氮化镓半导体膜的方法,制造基于氮化镓的半导体电子器件的方法,外延衬底以及基于氮化镓的半导体电子器件
机译:单晶氮化镓半导体衬底的制造方法,氮化镓半导体衬底和氮化物半导体外延衬底
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