GaSb半导体衬底湿法化学刻蚀体系与行为研究

目录

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摘要

第一章绪论

1．1半导体材料

1．2 GaSb半导体材料

1．3 GaSb半导体刻蚀技术

1．4 GaSb湿法刻蚀技术

1．4．1 GaSb湿法刻蚀技术的发展历程

1．4．2 GaSb湿法刻蚀反应过程

1．4．3 GaSb湿法刻蚀技术总结

1．5本论文研究内容及创新点

1．5．1研究内容

1．5．2课题的创新点

第二章实验及研究方法

2．1实验材料

2．1．1实验基体材料

2．1．2实验药品及规格

2．1．3实验仪器

2．2实验方法

2．2．1二分法

2．2．2正交试验法

2．2．3单因素变量实验

2．3刻蚀液的配制

2．4 GaSb衬底的刻蚀制备

2．4．1衬底表面预处理

2．4．2衬底湿法亥日蚀处理

2．5 GaSb衬底的检测分析

2．5．1刻蚀速率计算

2．5．2宏观表面形貌分析

2．5．3微观表面形貌分析

2．5．4表面成分分析

2．6刻蚀液的检测分析

第三章刻蚀液成分筛选及配方和工艺优化

3．1刻蚀液成分的筛选

3．1．1盐酸／过氧化氢／去离子水

3．1．2磷酸

3．1．3有机弱酸

3．2刻蚀液配方的优化

3．2．1正交实验设计

3．2．2正交实验结果及分析

3．3刻蚀工艺的优化

3．3．1正交实验设计

3．3．2正交实验结果及分析

3．4本章小结

第四章GaSb半导体衬底湿法刻蚀行为探究

4．1刻蚀前后GaSb衬底表面形貌织构分析

4．2刻蚀前后GaSb衬底表面成分及化学状态分析

4．3 Ga、Sb元素反应速率研究

4．4本章小结

第五章GaSb刻蚀质量和刻蚀速率影响因素研究

5．1组分对刻蚀质量和刻蚀速率影响研究

5．1．1过氧化氢

5．1．2盐酸

5．1．3磷酸

5．1．4柠檬酸

5．1．5去离子水

5．2工艺参数对刻蚀质量和刻蚀速率影响研究

5．2．1刻蚀温度

5．2．2搅拌频率

5．2．3刻蚀时间

5．3本章小结

第六章结论与展望

6．1本文主要结论

6．2未来展望

参考文献

致谢

作者攻读学位期间发表的学术论文集及科研成果

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