GaSb衬底上外延InAs_xSb_(1-x)材料的LP-MOCVD研究

李晓婷; 王一丁; 汪韬; 殷景致; 王警卫; 赛小锋; 高鸿楷; 张志勇

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采用自制的低压金属有机化学汽相淀积LP-MOCVD设备,在(100)面GaSb单晶衬底上外延生长了InAsSb材料.用X射线双晶衍射、光学显微镜和扫描电镜、电子探针能谱仪等对材料特性进行了表征,分析研究了生长温度、Ⅴ/Ⅲ比、过渡层等对外延层的影响.并且获得了与GaSb衬底晶格失配度较低的表面光亮的晶体质量较好的InAsSb外延层.

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来源
《光子学报》 |2005年第9期|1363-1366|共4页
作者
李晓婷; 王一丁; 汪韬; 殷景致; 王警卫; 赛小锋; 高鸿楷; 张志勇;
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作者单位

中国科学院西安光学精密机械研究所光电子学室;

吉林大学电子工程学院;

西北大学电子工程系;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类薄膜的生长、结构和外延;
关键词
LP-MOCVD; GaSb; InAsSb; 生长温度;

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