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靳彩霞; 王东红; 凌震; 俞根才; 王杰; 黄大鸣; 侯晓远; 沈孝良; 姚文华;
复旦大学应用表面物理国家重点实验室;
复旦大学分析测试中心;
砷化镓; 衬底; 分子束外延; 光学声子散射; 合金;
机译:(001)GaAs衬底上分子束外延生长重掺杂Sn的GaAs_(1-x)Sb_x外延层的光学表征
机译:在(100)和(311)B GaAs衬底上通过分子束外延生长的GaAs_(1-x)Bi_x / GaAs量子阱结构的光学性质
机译:高度失配的ZnTe_(1-x)O_x合金的分子束外延生长和光学性质
机译:GaAs衬底上Al_xGa_(1-x)As和In_xGa_(1-x)As缓冲层上分子束外延生长ZnSe膜的晶体质量和Ga偏析的研究
机译:使用新型液相-分子束外延技术在磷化镓衬底上生长的高质量砷化铟及相关合金。
机译:通过分子束外延生长在Si(111)衬底上生长的Au催化的GaAs纳米线的电和光学性质
机译:在GaAs(111)衬底上Bi2Te3和Sb2Te3拓扑绝缘子的分子束外延生长:制造拓扑绝缘子p-n结的潜在途径
机译:在Gaas和Inp衬底上生长的分子束外延Insb和Inas(x)sb(1-x)的表面形貌和电学性质
机译:利用分子束外延和衬底去除技术外延生长GaAs薄膜的方法和与GaAs衬底无关的器件结构
机译:分子束8-在邻近gaas上外延沉积半导体层-衬底
机译:利用分子束外延在Si上外延生长Ge x Si 1-x层的方法
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