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International Conference on Molecular Beam Epitaxy, 11th, Sep 11-15, 2000, Beijing, China
International Conference on Molecular Beam Epitaxy, 11th, Sep 11-15, 2000, Beijing, China
召开年:
2000
召开地:
Beijing(CN)
出版时间:
-
会议文集:
-
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1.
Lattice-matched In_xGa_(1-x)As/In_xAl_(1-x)As quantum wells (x = 0.18 and 0.19) grown on (4 1 1)A- and (1 00)-oriented InGaAs ternary substrates by molecular beam epitaxy
机译:
通过分子束外延生长在(4 1 1)A和(1 00)取向的InGaAs三元衬底上生长的晶格匹配In_xGa_(1-x)As / In_xAl_(1-x)As量子阱(x = 0.18和0.19)
作者:
Satoshi Shimomura
;
Yoshiaki Kitano
;
Hidehiko Kuge
;
Takahiro Kitada
;
Kazuo Nakajima
;
Satoshi Hiyamizu
会议名称:
《International Conference on Molecular Beam Epitaxy, 11th, Sep 11-15, 2000, Beijing, China》
|
2000年
关键词:
interfaces;
bridgman technique;
molecular beam epitaxy;
alloys;
semiconducting III-V materials;
2.
Laser molecular beam epitaxy and characterization of perovskite oxide thin films
机译:
激光分子束外延和钙钛矿氧化物薄膜的表征
作者:
G.Z. Yang
;
H.B. Lu
;
F. Chen
;
T. Zhao
;
Z.H. Chen
会议名称:
《International Conference on Molecular Beam Epitaxy, 11th, Sep 11-15, 2000, Beijing, China》
|
2000年
关键词:
atomic layer epitaxy;
laser epitaxy;
molecular beam epitaxy;
superlattices;
oxides;
perovskites;
3.
Investigation of the initial growth of cubic-GaN using an AlGaAs buffer layer grown on GaAs (100) by molecular beam epitaxy
机译:
利用分子束外延在GaAs(100)上生长的AlGaAs缓冲层研究立方氮化镓的初始生长
作者:
Ryuhei Kimura
;
Kiyoshi Takahashi
会议名称:
《International Conference on Molecular Beam Epitaxy, 11th, Sep 11-15, 2000, Beijing, China》
|
2000年
关键词:
crystal structure;
high resolution X-ray diffraction;
nucleation;
reflection high energy electron diffraction;
molecular beam epitaxy;
nitrides;
semiconducting III-V materials;
4.
InGaN heterostructures grown by molecular beam epitaxy from growth mechanism to optical properties
机译:
通过分子束外延生长从生长机理到光学性能的InGaN异质结构
作者:
B. Damilano
;
N. Grandjean
;
S. Vezian
;
J. Massies
会议名称:
《International Conference on Molecular Beam Epitaxy, 11th, Sep 11-15, 2000, Beijing, China》
|
2000年
关键词:
growth model;
low dimensional structures;
optical properties;
molecular beam epitaxy;
nitrides;
5.
In-situ PR study of the confined states in AlGaAs/GaAs surface QW
机译:
AlGaAs / GaAs表面量子阱中约束态的原位PR研究
作者:
Pingping Chen
;
Zhonglin Miao
;
Wei Lu
会议名称:
《International Conference on Molecular Beam Epitaxy, 11th, Sep 11-15, 2000, Beijing, China》
|
2000年
关键词:
molecular beam epitaxy;
quantum wells;
semiconducting III-V materials;
6.
InAs/GaAs self-organized quantum dots on (41 1)A GaAs by molecular beam epitaxy
机译:
分子束外延在(41 1)A GaAs上的InAs / GaAs自组织量子点
作者:
S. Kiravittaya
;
R. Songmuang
;
P. Changmuang
;
S. Sopitpan
;
S. Ratanathammaphan
;
M. Sawadsaringkarn
;
S. Panyakeow
会议名称:
《International Conference on Molecular Beam Epitaxy, 11th, Sep 11-15, 2000, Beijing, China》
|
2000年
关键词:
low dimensional structures;
nanostructures;
surface structure;
molecular beam epitaxy;
selective epitaxy;
7.
InAs/GaInP self-assembled quantum dots: molecular beam epitaxial growth and optical properties
机译:
InAs / GaInP自组装量子点:分子束外延生长和光学性质
作者:
H. Amanai
;
S. Nagao
;
H. Sakaki
会议名称:
《International Conference on Molecular Beam Epitaxy, 11th, Sep 11-15, 2000, Beijing, China》
|
2000年
关键词:
nanostructures;
molecular beam epitaxy;
phosphides;
semiconducting III-V materials;
semiconducting indium gallium phosphide;
semiconducting indium compounds;
8.
Improving properties of GaInNAs with a short-period GaInAs/GaNAs superlattice
机译:
短周期GaInAs / GaNAs超晶格改善GaInNAs的性能
作者:
Y.G. Hong
;
C.W. Tu
;
R.K. Ahrenkiel
会议名称:
《International Conference on Molecular Beam Epitaxy, 11th, Sep 11-15, 2000, Beijing, China》
|
2000年
关键词:
molecular beam epitaxy;
superlattices;
nitrides;
9.
Improvement of current leakage in the InAs photodetector by molecular beam epitaxy
机译:
通过分子束外延改善InAs光电探测器中的电流泄漏
作者:
Ray-Ming Lin
;
Shiang-Feng Tang
;
Si-Chen Lee
;
C.H. Kuan
会议名称:
《International Conference on Molecular Beam Epitaxy, 11th, Sep 11-15, 2000, Beijing, China》
|
2000年
关键词:
molecular beam epitaxy;
semiconducting indium compounds;
infrared devices;
10.
Growth and characterizations of AlGaN/GaN heterostructures using multi-AlN buffer layers in plasma-assisted molecular beam epitaxy
机译:
在等离子体辅助分子束外延中使用多层AlN缓冲层生长和表征AlGaN / GaN异质结构
作者:
X.Q. Shen
;
T. Ide
;
S.H. Cho
;
M. Shimizu
;
H. Okumura
;
S. Sonoda
;
S. Shimizu
会议名称:
《International Conference on Molecular Beam Epitaxy, 11th, Sep 11-15, 2000, Beijing, China》
|
2000年
关键词:
molecular beam epitaxy;
alloys;
nitrides;
semiconducting III-V materials;
11.
MBE grown 2.0 μm InGaAsSb/AlGaAsSb MQW ridge waveguide laser diodes
机译:
MBE生长的2.0μmInGaAsSb / AlGaAsSb MQW脊形波导激光二极管
作者:
Y.G. Zhang
;
A.Z. Li
;
Y.L. Zheng
;
C. Lin
;
G.Z. Jian
会议名称:
《International Conference on Molecular Beam Epitaxy, 11th, Sep 11-15, 2000, Beijing, China》
|
2000年
关键词:
molecular beam epitaxy;
antimonides;
infrared devices;
laser diodes;
12.
MBE growth of InAs/InAsSb/InAlAsSb 'W' quantum well laser diodes emitting near 3 μm
机译:
发射近3μm的InAs / InAsSb / InAlAsSb “ W ”量子阱激光二极管的MBE生长
作者:
A. Wilk
;
B. Fraisse
;
P. Christol
;
G. Boissier
;
P. Grech
;
M. El Gazouli
;
Y. Rouillard
;
A.N. Baranov
;
A. Joullie
会议名称:
《International Conference on Molecular Beam Epitaxy, 11th, Sep 11-15, 2000, Beijing, China》
|
2000年
关键词:
molecular beam epitaxy;
antimonides;
semiconducting III-V materials;
infrared devices;
laser diodes;
13.
Indium segregation in the fabrication of InGaAs concave disks by heterogeneous droplet epitaxy
机译:
异质液滴外延制造InGaAs凹盘时的铟偏析
作者:
T. Mano
;
S. Tsukamoto
;
N. Koguchi
;
H. Fujioka
;
M. Oshima
会议名称:
《International Conference on Molecular Beam Epitaxy, 11th, Sep 11-15, 2000, Beijing, China》
|
2000年
关键词:
growth models;
segregation;
molecular beam epitaxy;
semiconducting indium compounds;
14.
Influence of substrate nitridation before growth on initial growth process of GaN heteroepitaxial layers grown on Si(00 1) and Si(l 1 1) substrates by ECR-MBE
机译:
生长前衬底氮化对ECR-MBE在Si(00 1)和Si(l 1 1)衬底上生长的GaN异质外延层初始生长过程的影响
作者:
T. Yodo
;
H. Ando
;
H. Tsuchiya
;
D. Nosei
;
M. Shimeno
;
Y. Harada
会议名称:
《International Conference on Molecular Beam Epitaxy, 11th, Sep 11-15, 2000, Beijing, China》
|
2000年
关键词:
crystal structure;
growth models;
nucleation;
molecular beam epitaxy;
nitrides;
semiconducting III-V materials;
15.
Growth and emission tuning of InAs/InP quantum dots superlattice
机译:
InAs / InP量子点超晶格的生长和发射调谐
作者:
Q.D. Zhuang
;
S.F. Yoon
;
H.Q. Zheng
会议名称:
《International Conference on Molecular Beam Epitaxy, 11th, Sep 11-15, 2000, Beijing, China》
|
2000年
关键词:
quantum dots;
superlattice;
As/P exchange;
PL emission;
16.
Growth and tunneling spectroscopy study of Fe/(GaAs,AlAs)/ ferromagnet/semiconductor heterostructures
机译:
Fe /(GaAs,AlAs)/铁磁体/半导体异质结构的生长和隧道光谱研究
作者:
Zhiyu Liu
;
H. Boeve
;
W. Van Roy
;
S. Nemeth
;
V.V. Moshchalkov
;
G. Borghs
;
J. De Boeck
会议名称:
《International Conference on Molecular Beam Epitaxy, 11th, Sep 11-15, 2000, Beijing, China》
|
2000年
关键词:
impurities;
molecular beam epitaxy;
magnetic materials;
semiconducting gallium arsenide;
17.
Substrate lattice constant effect on the miscibility gap of MBE grown InAsSb
机译:
衬底晶格常数对MBE生长的InAsSb的混溶间隙的影响
作者:
Hiroyuki Miyoshi
;
Yoshiji Horikoshi
会议名称:
《International Conference on Molecular Beam Epitaxy, 11th, Sep 11-15, 2000, Beijing, China》
|
2000年
关键词:
critical temperature;
miscibility gap;
phase separation;
strain effect;
molecular beam epitaxy;
18.
Study of the crystal quality and Ga-segregation in ZnSe films grown by molecular beam epitaxy on Al_xGa_(1-x)As and In_xGa_(1-x)As buffer layers on GaAs substrates
机译:
GaAs衬底上Al_xGa_(1-x)As和In_xGa_(1-x)As缓冲层上分子束外延生长ZnSe膜的晶体质量和Ga偏析的研究
作者:
V.H. Mendez-Garcia
;
M. Lopez-Lopez
;
A. Lastras-Martinez
;
M.A. Vidal
;
J. Luyo-Alvarado
;
M. Melendez-Lira
;
K. Momose
;
H. Yonezu
会议名称:
《International Conference on Molecular Beam Epitaxy, 11th, Sep 11-15, 2000, Beijing, China》
|
2000年
关键词:
atomic force microscopy;
reflection high energy electron diffraction;
segregation;
semiconducting II-VI compound;
semiconducting ternary compounds;
19.
Size and shape evolution of self-assembled coherent InAs/GaAs quantum dots influenced by seed layer
机译:
种子层对自组装相干InAs / GaAs量子点尺寸和形状演化的影响
作者:
H.Y. Liu
;
B. Xu
;
D. Ding
;
Y.H. Chen
;
J.F. Zhang
;
J. Wu
;
Z.G. Wang
会议名称:
《International Conference on Molecular Beam Epitaxy, 11th, Sep 11-15, 2000, Beijing, China》
|
2000年
关键词:
low dimensional structures;
molecular beam epitaxy;
nanomaterials;
20.
RF-MBE growth and Raman scattering characterization of lattice-matched GaInNAs on GaAs(00 1) substrates
机译:
GaAs(00 1)衬底上晶格匹配的GaInNAs的RF-MBE生长和拉曼散射表征
作者:
A. Hashimoto
;
T. Furuhata
;
T. Kitano
;
A.K. Nguyen
;
A. Masuda
;
A. Yamamoto
会议名称:
《International Conference on Molecular Beam Epitaxy, 11th, Sep 11-15, 2000, Beijing, China》
|
2000年
关键词:
crystal structure;
molecular beam epitaxy;
nitrides;
gallium compounds;
semiconducting quaternary alloy;
laser diodes;
solar cells;
21.
Resonant cavity light-emitting diodes grown by solid source MBE
机译:
固体光源MBE生长的谐振腔发光二极管
作者:
S. Orsila
;
T. Leinonen
;
P. Uusimaa
;
M. Saarinen
;
M. Guina
;
P. Sipilae
;
V. Vilokkinen
;
P. Melanen
;
M. Dumitrescu
;
M. Pessa
会议名称:
《International Conference on Molecular Beam Epitaxy, 11th, Sep 11-15, 2000, Beijing, China》
|
2000年
关键词:
molecular beam epitaxy;
quantum wells;
semiconducting III-V materials;
light emitting diodes;
22.
Room temperature magnetic imaging of magnetic storage media and garnet epilayers in the presence of external magnetic fields using a sub-micron GaAs SHPM
机译:
使用亚微米GaAs SHPM在外部磁场存在下对磁性存储介质和石榴石外延层进行室温磁成像
作者:
Adarsh Sandhu
;
Hiroshi Masuda
;
Ahmet Oral
;
Simon.J. Bending
会议名称:
《International Conference on Molecular Beam Epitaxy, 11th, Sep 11-15, 2000, Beijing, China》
|
2000年
关键词:
scanning hall probe microscope;
magnetic fields;
molecular beam epitaxy;
magnetic materials;
hall effect sensor;
heterojunction semiconductor devices;
23.
Selective growth of InAs/GaAs self-organized quantum dots by shadow mask technique
机译:
荫罩技术选择性生长InAs / GaAs自组织量子点
作者:
R. Songmuang
;
S. Kiravittaya
;
S. Thainoi
;
P. Changmuang
;
S. Sopitpan
;
S. Ratanathammaphan
;
M. Sawadsaringkarn
;
S. Panyakeow
会议名称:
《International Conference on Molecular Beam Epitaxy, 11th, Sep 11-15, 2000, Beijing, China》
|
2000年
关键词:
low dimensional structures;
nanostructures;
molecular beam epitaxy;
selective epitaxy;
nano-material;
24.
Quality improvement of GaInNAs/GaAs quantum wells grown by plasma-assisted molecular beam epitaxy
机译:
等离子体辅助分子束外延生长GaInNAs / GaAs量子阱的质量改进
作者:
L.H. Li
;
Z. Pan
;
W. Zhang
;
Y.W. Lin
;
X.Y. Wang
;
R.H. Wu
会议名称:
《International Conference on Molecular Beam Epitaxy, 11th, Sep 11-15, 2000, Beijing, China》
|
2000年
关键词:
characterization;
defects;
X-ray diffraction;
molecular beam epitaxy;
nitrides;
25.
Quasi RT-CW operation of InGaAs/InGaAsP strained quantum well lasers
机译:
InGaAs / InGaAsP应变量子阱激光器的准RT-CW操作
作者:
J.X. Chen
;
A.Z. Li
;
Y.Q. Chen
;
F.M. Guo
;
C. Lin
;
Y.G. Zhang
;
M. Qi
会议名称:
《International Conference on Molecular Beam Epitaxy, 11th, Sep 11-15, 2000, Beijing, China》
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2000年
关键词:
molecular beam epitaxy;
phosphides;
laser diodes;
26.
Properties of deep levels and photorefractive effect in GaAs/AlGaAs multiple quantum wells grown in low temperature
机译:
低温生长的GaAs / AlGaAs多量子阱的深层性质和光折变效应
作者:
Q. Huang
;
L.W. Guo
;
M.H. Zhang
;
Y.F. Zhang
;
Y.J. Han
;
J.M. Zhou
会议名称:
《International Conference on Molecular Beam Epitaxy, 11th, Sep 11-15, 2000, Beijing, China》
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2000年
关键词:
point defects;
molecular beam epitaxy;
photorefractive materials;
semiconducting gallium arsenide;
27.
Optical in situ monitoring of complex oxide thin film laser molecular beam epitaxy
机译:
复合氧化物薄膜激光分子束外延的光学原位监测
作者:
Fan Chen
;
Huibin Lu
;
Tong Zhao
;
Zhenghao Chen
;
Guozhen Yang
会议名称:
《International Conference on Molecular Beam Epitaxy, 11th, Sep 11-15, 2000, Beijing, China》
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2000年
关键词:
optical monitoring;
surface processes;
laser epitaxy;
laser molecular beam epitaxy;
oxides;
perovskites;
28.
DC and RF characteristics of MBE grown GaAs barrier diode
机译:
MBE生长的GaAs势垒二极管的DC和RF特性
作者:
Fangmin Guo
;
Aizhen Li
;
Yanlan Zheng
;
Jie Wu
;
Guanqun Xia
会议名称:
《International Conference on Molecular Beam Epitaxy, 11th, Sep 11-15, 2000, Beijing, China》
|
2000年
关键词:
characterization;
molecular beam epitaxy;
arsenides;
29.
Control of the Schottky barrier height in epitaxial magnetic MnAs-GaAs and MnSb-GaAs contacts
机译:
外延磁性MnAs / n-GaAs和MnSb / n-GaAs接触中肖特基势垒高度的控制
作者:
W. Van Roy
;
R.F.B. Roelfsema
;
Zhiyu Liu
;
H. Akinaga
;
S. Miyanishi
;
T. Manago
;
G. Borghs
;
J. De Boeck
会议名称:
《International Conference on Molecular Beam Epitaxy, 11th, Sep 11-15, 2000, Beijing, China》
|
2000年
关键词:
interfaces;
molecular beam epitaxy;
magnetic materials;
semiconducting gallium arsenide;
schotl-ky diodes;
30.
Correlation of the structural and optical properties of GaN grown on vicinal (001) GaAs substrates with the plasma-assisted MBE growth conditions
机译:
在邻近(001)GaAs衬底上生长的GaN的结构和光学性质与等离子体辅助MBE生长条件的相关性
作者:
A. Georgakilas
;
K. Amimer
;
P. Tzanetakis
;
Z. Hatzopoulos
;
M. Cengher
;
B. Pecz
;
Zs. Czigany
;
L. Toth
;
M.V. Baidakova
;
A.V. Sakharov
;
V.Yu. Davydov
会议名称:
《International Conference on Molecular Beam Epitaxy, 11th, Sep 11-15, 2000, Beijing, China》
|
2000年
关键词:
crystal structure;
interfaces;
substrates;
molecular beam epitaxy;
nitrides;
semiconducting gallium compounds;
31.
Correlation between structural and optical properties of InAs quantum dots along their evolution
机译:
InAs量子点的结构和光学性质沿其演化的相关性
作者:
M.J. da Silva
;
A.A. Quivy
;
P.P. Gonzalez-Borrero
;
N.T. Moshegov
;
E. Marega
会议名称:
《International Conference on Molecular Beam Epitaxy, 11th, Sep 11-15, 2000, Beijing, China》
|
2000年
关键词:
atomic force microscopy;
low dimensional structures;
surface structure;
molecular beam epitaxy;
semi-conducting III-V materials;
32.
Cost-effective, high-volume molecular beam epitaxy using a multi 6-in wafer reactor
机译:
使用多6英寸晶圆反应器进行经济高效的大体积分子束外延
作者:
Larry Leung
;
Damian Davison
;
Arthur Cornfeld
;
Frederick Towner
;
Dave Hartzell
会议名称:
《International Conference on Molecular Beam Epitaxy, 11th, Sep 11-15, 2000, Beijing, China》
|
2000年
关键词:
substrates;
molecular beam epitaxy;
semiconducting gallium arsenide;
high electron mobility transistors;
33.
Dopant-induced interface disorder in InGaAs/AlAsSb heterostructures lattice matched to InP grown by molecular beam epitaxy
机译:
InGaAs / AlAsSb异质结构晶格中掺杂物诱导的界面紊乱与分子束外延生长的InP匹配
作者:
T. Mozume
;
N. Georgiev
;
H. Yoshida
会议名称:
《International Conference on Molecular Beam Epitaxy, 11th, Sep 11-15, 2000, Beijing, China》
|
2000年
关键词:
diffusion;
interfaces;
molecular beam epitaxy;
antimonides;
semiconducting III-V materials;
34.
Diffusion and incorporation: shape evolution during overgrowth on structured substrates
机译:
扩散和掺入:结构化基底上过度生长期间的形状演变
作者:
Wolfgang Braun
;
Vladimir M. Kaganer
;
Achim Trampert
;
Hans-Peter Schoenherr
;
Qian Gong
;
Richard Noetzel
;
Lutz Daeweritz
;
Klaus H. Ploog
会议名称:
《International Conference on Molecular Beam Epitaxy, 11th, Sep 11-15, 2000, Beijing, China》
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2000年
关键词:
computer simulation;
growth models;
mass transfer;
surface processes;
molecular beam epitaxy;
semiconducting III-V materials;
35.
Effects of regularity of honeycomb hollows formed by the anodization of GaAs substrates on the molecular-beam epitaxial growth of InAs dots
机译:
GaAs阳极氧化形成的蜂窝空洞的规则性对InAs分子束外延生长的影响
作者:
Yoshitaka Morishita
;
Jun Sunagawa
;
Yuji Yumoto
;
Shingo Kawai
会议名称:
《International Conference on Molecular Beam Epitaxy, 11th, Sep 11-15, 2000, Beijing, China》
|
2000年
关键词:
low dimensional structures;
nanostructures;
molecular beam epitaxy;
semiconducting indium compounds;
36.
Electroluminescence of In_(0.53)Ga_(0.47)As/GaAs_(0.5)Sb_(0.5) type II multiple quantum well diodes lattice-matched to InP
机译:
In_(0.53)Ga_(0.47)As / GaAs_(0.5)Sb_(0.5)II型多量子阱二极管的电致发光与InP晶格匹配
作者:
H. Takasaki
;
Y. Kawamura
;
T. Katayama
;
A. Yamamoto
;
N. Inoue
会议名称:
《International Conference on Molecular Beam Epitaxy, 11th, Sep 11-15, 2000, Beijing, China》
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2000年
关键词:
molecular beam epitaxy;
quantum wells;
semiconducting III-V materials;
light emitting diodes;
37.
Electron-phonon coupling of deep emission in ZnSeTe alloy
机译:
ZnSeTe合金中深发射的电子声子耦合
作者:
M. Sasaki
;
N. Takojima
;
N. Kimura
;
I. Tsubono
;
K. Suzuki
;
T. Sawada
;
K. Imai
会议名称:
《International Conference on Molecular Beam Epitaxy, 11th, Sep 11-15, 2000, Beijing, China》
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2000年
关键词:
molecular beam epitaxy;
alloys;
zinc compounds;
semiconducting II―VI materials;
38.
Effects of annealing time and Si cap layer thickness on the Si/SiGe/Si heterostructures thermal stability
机译:
退火时间和盖层厚度对Si / SiGe / Si异质结构热稳定性的影响
作者:
F. Gao
;
Y.X. Lin
;
D.D. Huang
;
J.P. Li
;
D.Z. Sun
;
M.Y. Kong
;
Y.P. Zeng
;
J.M. Li
;
L.Y. Lin
会议名称:
《》
|
2000年
关键词:
annealing;
molecular beam epitaxy;
germanium silicon alloys;
semiconducting materials;
39.
Epitaxial growth and characterization of GaN Films on (0 01) GaAs substrates by radio-frequency molecular beam epitaxy
机译:
射频分子束外延在(0 01)GaAs衬底上外延生长和表征GaN膜
作者:
H.F. Liu
;
H. Chen
;
L. Wan
;
Z.Q. Li
;
Q. Huang
;
J.M. Zhou
会议名称:
《International Conference on Molecular Beam Epitaxy, 11th, Sep 11-15, 2000, Beijing, China》
|
2000年
关键词:
crystal structure;
molecular beam epitaxy;
semiconducting III-V materials;
40.
Environmental safety issues for molecular beam epitaxy platform growth technology
机译:
分子束外延平台生长技术的环境安全问题
作者:
Shigekazu Izumi
;
Hiroyuki Shirahama
;
Yoshiharu Kouji
会议名称:
《International Conference on Molecular Beam Epitaxy, 11th, Sep 11-15, 2000, Beijing, China》
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2000年
关键词:
industrial crystallization;
molecular beam epitaxy;
arsenates;
semiconductor III-V materials;
high electron mobility transistor;
41.
Enhancement of magneto-optical effect in a GaAs: MnAs hybrid nanostructure sandwiched by GaAs/AlAs distributed Bragg reflectors: epitaxial semiconductor-based magneto-photonic crystal
机译:
GaAs中磁光效应的增强:由GaAs / AlAs分布的Bragg反射器夹持的MnAs杂化纳米结构:基于外延半导体的磁光子晶体
作者:
M. Tanaka
;
H. Shimizu
;
M. Miyamura
会议名称:
《International Conference on Molecular Beam Epitaxy, 11th, Sep 11-15, 2000, Beijing, China》
|
2000年
关键词:
nanostructures;
molecular beam epitaxy;
arsenides;
nanomaterials;
gallium compounds;
semiconducting III―V materials;
magnetic materials;
magneto-optic materials;
42.
First-principles study of Si incorporation processes on a GaAs(l 1 1)A surface
机译:
GaAs(l 1 1)A表面上Si掺入过程的第一性原理研究
作者:
Akihito Taguchi
;
Kenji Shiraishi
;
Tomonori Ito
会议名称:
《International Conference on Molecular Beam Epitaxy, 11th, Sep 11-15, 2000, Beijing, China》
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2000年
关键词:
adsorption;
desorption;
doping;
surface processes;
molecular beam epitaxy;
semiconducting III-V materials;
43.
Formation and size evolution of self-assembled quantum dots
机译:
自组装量子点的形成和尺寸演化
作者:
Ch. Heyn
;
C. Dumat
会议名称:
《International Conference on Molecular Beam Epitaxy, 11th, Sep 11-15, 2000, Beijing, China》
|
2000年
关键词:
computer simulation;
growth models;
nanostructures;
stresses;
surface structure;
molecular beam epitaxy;
44.
Experimental investigation of inclusion of hexagonal GaN phase-domain by varying nitrogen-beam direction to a (111) axis in MBE growth of cubic GaN
机译:
在立方氮化镓的MBE生长中通过改变氮束方向至(111)轴来包含六角形GaN相域的实验研究
作者:
H. Hayashi
;
A. Hayashida
;
A. Jia
;
K. Takahashi
;
A. Yoshikawa
会议名称:
《International Conference on Molecular Beam Epitaxy, 11th, Sep 11-15, 2000, Beijing, China》
|
2000年
关键词:
crystal structure;
high resolution X-ray diffraction;
molecular beam epitaxy;
semiconducting gallium compounds;
nitrides;
45.
GaAs/Ge/GaAs sublattice reversal epitaxy and its application to nonlinear optical devices
机译:
GaAs / Ge / GaAs亚晶格反转外延及其在非线性光学器件中的应用
作者:
Shinji Koh
;
Takashi Kondo
;
Yasuhiro Shiraki
;
Ryoichi Ito
会议名称:
《International Conference on Molecular Beam Epitaxy, 11th, Sep 11-15, 2000, Beijing, China》
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2000年
关键词:
molecular beam epitaxy;
gallium compounds;
nonlinear optical materials;
semiconducting gallium arsenides;
nonlinear optical;
46.
High-quality GaN grown by gas-source MBE
机译:
气源MBE生长的高质量GaN
作者:
J.X. Wang
;
D.Z. Sun
;
X.L. Wang
;
J.M. Li
;
Y.P. Zeng
;
X. Hou
;
L.Y. Lin
会议名称:
《International Conference on Molecular Beam Epitaxy, 11th, Sep 11-15, 2000, Beijing, China》
|
2000年
关键词:
characterization;
molecular beam epitaxy;
gallium compounds;
nitrides;
piezoelectric materials;
semiconducting gallium compounds;
47.
High-quality metamorphic HEMT grown on GaAs substrates by MBE
机译:
MBE在GaAs衬底上生长的高质量变质HEMT
作者:
Yiping Zeng
;
Xin Cao
;
Lijie Cui
;
Meiying Kong
;
Liang Pan
;
Baoqiang Wang
;
Zhanping Zhu
会议名称:
《International Conference on Molecular Beam Epitaxy, 11th, Sep 11-15, 2000, Beijing, China》
|
2000年
关键词:
molecular beam epitaxy;
high electron mobility transistors;
48.
Ferromagnetic metals on II-VI semiconductors: epitaxial growth, and structural and magnetic properties
机译:
II-VI半导体上的铁磁性金属:外延生长以及结构和磁性
作者:
C. Bourgognon
;
S. Tatarenko
;
J. Cibert
;
H. Boukari
;
V.H. Etgens
;
L. Carbonell
;
B. Gilles
;
A. Marty
;
Y. Samson
会议名称:
《International Conference on Molecular Beam Epitaxy, 11th, Sep 11-15, 2000, Beijing, China》
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2000年
关键词:
magnetic fields;
molecular beam epitaxy;
metals;
magnetic materials;
semiconducting II-VI materials;
49.
Ferromagnet (MnAs)/semiconductor (GaAs, AlAs, InAs)/ ferromagnet (MnAs) trilayer heterostructures: Epitaxial growth and magnetotransport properties
机译:
铁磁体(MnAs)/半导体(GaAs,AlAs,InAs)/铁磁体(MnAs)三层异质结构:外延生长和磁传输性能
作者:
M. Tanaka
;
K. Takahashi
会议名称:
《International Conference on Molecular Beam Epitaxy, 11th, Sep 11-15, 2000, Beijing, China》
|
2000年
关键词:
nanostructures;
molecular beam epitaxy;
arsenates;
manganites;
magnetic materials;
semiconducting III― V materials;
50.
Composition control and surface defects of MBE-grown HgCdTe
机译:
MBE生长的HgCdTe的成分控制和表面缺陷
作者:
L. He
;
Y. Wu
;
L. Chen
;
S.L. Wang
;
M.F. Yu
;
Y.M. Qiao
;
J.R. Yang
;
Y.J. Li
;
R.J. Ding
;
Q.Y. Zhang
会议名称:
《International Conference on Molecular Beam Epitaxy, 11th, Sep 11-15, 2000, Beijing, China》
|
2000年
关键词:
defects;
molecular beam epitaxy;
tellurites;
semiconducting II―VI materials;
infrared devices;
51.
Comparison of InAs islands self-assembled on pseudomorphic and metamorphic InAlAs buffer layers grown on GaAs substrate
机译:
在GaAs衬底上生长的伪变质和变质InAlAs缓冲层上自组装的InAs岛的比较
作者:
Y. Cordier
;
P. Miska
;
D. Ferre
会议名称:
《International Conference on Molecular Beam Epitaxy, 11th, Sep 11-15, 2000, Beijing, China》
|
2000年
关键词:
atomic force microscopy;
nanostructures;
reflection high energy electron diffraction;
molecular beam epitaxy;
semiconducting III-V materials;
52.
Characteristics of strain compensated 1.3μm InAsP/InGaAsP ridge waveguide laser diodes grown by gas source MBE
机译:
气体源MBE生长的应变补偿1.3μmInAsP / InGaAsP脊形波导激光二极管的特性
作者:
Y.G. Zhang
;
J.X. Chen
;
Y.Q. Chen
;
M. Qi
;
A.Z. Li
;
Krister Froejdh
;
Bjoern Stoltz
会议名称:
《International Conference on Molecular Beam Epitaxy, 11th, Sep 11-15, 2000, Beijing, China》
|
2000年
关键词:
molecular beam epitaxy;
semiconducting III-V materials;
laser diodes;
53.
Critical layer thickness study in In_(0.75)Ga_(0.25)As/In_(0.5)Al_(0.5)As pseudomorphic resonant tunneling diode structure grown on GaAs substrates
机译:
在GaAs衬底上生长的In_(0.75)Ga_(0.25)As / In_(0.5)Al_(0.5)As伪晶共振隧穿二极管结构中的临界层厚度研究
作者:
Shin-ichiro Gozu
;
Tomohiro Kita
;
Tomoyuki Kikutani
;
Syoji Yamada
会议名称:
《International Conference on Molecular Beam Epitaxy, 11th, Sep 11-15, 2000, Beijing, China》
|
2000年
关键词:
low dimensional structure;
molecular beam epitaxy;
arsenates;
semiconducting III-V materials;
heterojunction semiconductor devices;
54.
Characteristics of Si and Be δ-codoped GaAs grown by MBE
机译:
MBE生长的Si和Beδ掺杂的GaAs的特性
作者:
Shunichi Yonekubo
;
Dai Ichiryu
;
Yoshiji Horikoshi
会议名称:
《International Conference on Molecular Beam Epitaxy, 11th, Sep 11-15, 2000, Beijing, China》
|
2000年
关键词:
doping;
molecular beam epitaxy;
55.
Characterisation and optimisation of MBE grown arsenide/antimonide interfaces
机译:
MBE生长的砷化物/锑化物界面的表征和优化
作者:
I. Prevot
;
X. Marcadet
;
O. Durand
;
R. Bisaro
;
A. Bouchier
;
F.H. Julien
会议名称:
《International Conference on Molecular Beam Epitaxy, 11th, Sep 11-15, 2000, Beijing, China》
|
2000年
关键词:
high resolution X-ray diffraction;
interfaces;
molecular beam epitaxy;
antimonides;
semiconducting III-V materials;
56.
Carrier dynamics in self-organized quantum dots and their application to long-wavelength sources and detectors
机译:
自组织量子点中的载流子动力学及其在长波长源和探测器中的应用
作者:
Pallab Bhattacharya
;
Sanjay Krishna
;
Jamie Phillips
;
Patrick J. McCann
;
Khosrow Namjou
会议名称:
《International Conference on Molecular Beam Epitaxy, 11th, Sep 11-15, 2000, Beijing, China》
|
2000年
关键词:
nanostructures;
molecular beam epitaxy;
semiconducting gallium arsenide;
infrared devices;
laser diodes;
57.
Charge density control of single and double δ-doped PHEMT grown by molecular beam epitaxy
机译:
分子束外延生长的单δ和双δ掺杂PHEMT的电荷密度控制
作者:
G.L. Zhou
;
W. Liu
;
M.E. Lin
会议名称:
《International Conference on Molecular Beam Epitaxy, 11th, Sep 11-15, 2000, Beijing, China》
|
2000年
关键词:
molecular beam epitaxy;
semiconducting gallium arsenide;
high electron mobility transistors;
58.
Characterization of self-organized GaP/InP quantum dots with scanning tunneling spectroscopy and time-resolved PL spectroscopy
机译:
利用扫描隧道光谱和时间分辨PL光谱表征自组织的GaP / InP量子点
作者:
J. Mori
;
H. Asahi
;
J.H. Noh
;
M. Fudeta
;
D. Watanabe
;
S. Matsuda
;
K. Asami
;
S. Seki
;
Y. Matsui
;
S. Tagawa
;
S. Gonda
会议名称:
《International Conference on Molecular Beam Epitaxy, 11th, Sep 11-15, 2000, Beijing, China》
|
2000年
关键词:
low dimensional structures;
molecular beam epitaxy;
semi-conducting III-IV materials;
59.
Characterization of high indium content metamorphic InGaAs/InAlAs modulation-doped heterostructures
机译:
高铟含量变质InGaAs / InAlAs调制掺杂异质结构的表征
作者:
Shin-ichiro Gozu
;
Tomohiro Kita
;
Yuuki Sato
;
Syoji Yamada
;
Masaaki Tomizawa
会议名称:
《International Conference on Molecular Beam Epitaxy, 11th, Sep 11-15, 2000, Beijing, China》
|
2000年
关键词:
low dimensional structures;
molecular beam epitaxy;
arsenates;
semiconducting III-V materials;
high electron mobility transistors;
60.
Blueshift of photoluminescence peak in ten periods InAs quantum dots superlattice
机译:
十周期InAs量子点超晶格中光致发光峰的蓝移
作者:
Ray-Ming Lin
;
Si-Chen Lee
;
Hao-Hsiung Lin
;
Yuan-Tung Dai
;
Yang-Fang Chen
会议名称:
《International Conference on Molecular Beam Epitaxy, 11th, Sep 11-15, 2000, Beijing, China》
|
2000年
关键词:
quantum dots;
molecular beam epitaxy;
semiconducting indium compounds;
nonlinear optical devices;
61.
Current-induced migration of surface adatoms during GaN growth by molecular beam epitaxy
机译:
分子束外延在GaN生长过程中表面原子的电流诱导迁移
作者:
L.X. Zheng
;
M.H. Xie
;
S.J. Xu
;
S.H. Cheung
;
S.Y. Tong
会议名称:
《International Conference on Molecular Beam Epitaxy, 11th, Sep 11-15, 2000, Beijing, China》
|
2000年
关键词:
surface processes;
molecular beam epitaxy;
nitrides;
semiconducting gallium compounds;
62.
Epitaxial oxides on silicon grown by molecular beam epitaxy
机译:
分子束外延生长在硅上的外延氧化物
作者:
Ravi Droopad
;
Zhiyi Yu
;
Jamal Ramdani
;
Lyndee Hilt
;
Jay Curless
;
Corey Overgaard
;
John L. Edwards
;
Jeff Finder
;
Kurt Eisenbeiser
;
Jun Wang
;
V. Kaushik
;
B-Y Ngyuen
;
Bill Ooms
会议名称:
《International Conference on Molecular Beam Epitaxy, 11th, Sep 11-15, 2000, Beijing, China》
|
2000年
关键词:
molecular beam epitaxy;
oxides;
perovskites;
dieelectric materials;
63.
Cost-effective, high-volume molecular beam epitaxy using a multi 6-in wafer reactor
机译:
使用多6英寸晶圆反应器进行经济高效的大体积分子束外延
会议名称:
《International Conference on Molecular Beam Epitaxy, 11th, Sep 11-15, 2000, Beijing, China》
|
2000年
64.
A two-stage molecular beam epitaxial growth method to fabricate small and uniform Ge quantum dots on Si(1 0 0)
机译:
在Si(1 0 0)上制备小的均匀Ge量子点的两阶段分子束外延生长方法
作者:
W.R. Jiang
会议名称:
《International Conference on Molecular Beam Epitaxy, 11th, Sep 11-15, 2000, Beijing, China》
|
2000年
65.
Two-step growth of C60 films on H-terminated Si (1 1 1) substrate
机译:
在H终止的Si(1 1 1)衬底上两步生长C60膜
作者:
H. Takashima
会议名称:
《International Conference on Molecular Beam Epitaxy, 11th, Sep 11-15, 2000, Beijing, China》
|
2000年
66.
Modification of the growth mode of Ge on Si(100) in the presence of buried Ge islands
机译:
掩埋锗岛对锗在Si(100)上的生长方式的影响
作者:
N. Usami
会议名称:
《International Conference on Molecular Beam Epitaxy, 11th, Sep 11-15, 2000, Beijing, China》
|
2000年
67.
Growth of device-quality GaAs layer directly on (0 0 1) Ge substrates by both solid-source and gas-source MBE
机译:
通过固体源和气体源MBE在(0 0 1)Ge衬底上直接生长器件质量的GaAs层
作者:
W. Li
会议名称:
《International Conference on Molecular Beam Epitaxy, 11th, Sep 11-15, 2000, Beijing, China》
|
2000年
68.
High-performance planar Alo.48Ino.52As/Ino.53Gao.47As high electron mobility transistors
机译:
高性能平面Alo.48Ino.52As / Ino.53Gao.47As高电子迁移率晶体管
作者:
J.M. Kuo
会议名称:
《International Conference on Molecular Beam Epitaxy, 11th, Sep 11-15, 2000, Beijing, China》
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2000年
69.
M-plane GaN(1 1 00) grown on γ-LiAl02(100): nitride semiconductors free of internal electrostatic fields
机译:
在γ-LiAl02(100)上生长的M面GaN(1 1 00):无内部静电场的氮化物半导体
作者:
P. Waltereit
会议名称:
《International Conference on Molecular Beam Epitaxy, 11th, Sep 11-15, 2000, Beijing, China》
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2000年
70.
Ferromagnetic metals on Ⅱ-VⅥ semiconductors: epitaxial growth, and structural and magnetic properties
机译:
Ⅱ-ⅤⅥ半导体上的铁磁性金属:外延生长以及结构和磁性
作者:
C. Bourgognon
会议名称:
《International Conference on Molecular Beam Epitaxy, 11th, Sep 11-15, 2000, Beijing, China》
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2000年
71.
GSMBE grown Ino.49Gao.51P/GaAs heterojunction bipolar transistors with heavily beryllium doped base and undoped Spacer
机译:
GSMBE生长的Ino.49Gao.51P / GaAs异质结双极晶体管,带有重掺杂铍的基极和未掺杂的垫片
作者:
X.J. Chen
会议名称:
《International Conference on Molecular Beam Epitaxy, 11th, Sep 11-15, 2000, Beijing, China》
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2000年
72.
RF-MBE growth and Raman scattering characterization of lattice-matched GaInNAs on GaAs(0 0 1) substrates
机译:
GaAs(0 0 1)衬底上晶格匹配的GaInNAs的RF-MBE生长和拉曼散射表征
作者:
A. Hashimoto
会议名称:
《International Conference on Molecular Beam Epitaxy, 11th, Sep 11-15, 2000, Beijing, China》
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2000年
73.
MBE growth of Si on SiC(0 0 0 1):from superstructures to islands
机译:
Si在SiC(0 0 0 1)上的MBE生长:从上层结构到孤岛
作者:
A. Fissel
会议名称:
《International Conference on Molecular Beam Epitaxy, 11th, Sep 11-15, 2000, Beijing, China》
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2000年
74.
Molecular beam epitaxy of lead salt-based vertical cavity surface emitting lasers for the 4-6 μm spectral region
机译:
铅盐基垂直腔表面发射激光器在4-6μm光谱范围内的分子束外延
作者:
G. Springholz
会议名称:
《International Conference on Molecular Beam Epitaxy, 11th, Sep 11-15, 2000, Beijing, China》
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2000年
75.
High-power, low-beam-divergence 980nm laser arrays with nonabsorbing facets
机译:
高功率,低光束发散的980nm激光阵列,具有非吸收性小平面
作者:
Yi Qu
会议名称:
《International Conference on Molecular Beam Epitaxy, 11th, Sep 11-15, 2000, Beijing, China》
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2000年
76.
Hydrogen behavior in GaN epilayers grown by NH3-MBE
机译:
NH3-MBE生长的GaN外延层中的氢行为
作者:
Mei-Ying Kong
会议名称:
《International Conference on Molecular Beam Epitaxy, 11th, Sep 11-15, 2000, Beijing, China》
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2000年
77.
Correlation of the structural and optical properties of GaN grown on vicinal (0 0 1) GaAs substrates with the plasma-assisted MBE growth conditions
机译:
在邻近(0 0 1)GaAs衬底上生长的GaN的结构和光学性质与等离子体辅助MBE生长条件的相关性
作者:
A. Georgakilas
会议名称:
《International Conference on Molecular Beam Epitaxy, 11th, Sep 11-15, 2000, Beijing, China》
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2000年
78.
Nucleation and growth of ZnO on (1120) sapphire substrates using molecular beam epitaxy
机译:
使用分子束外延在(1120)蓝宝石衬底上ZnO的成核和生长
作者:
P. Fons
会议名称:
《International Conference on Molecular Beam Epitaxy, 11th, Sep 11-15, 2000, Beijing, China》
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2000年
79.
Stacking effect of self-organized In0.15Ga0.85As quantum wires grown on (7 7 5)B-oriented GaAs substrates by molecular beam epitaxy
机译:
通过分子束外延在(7 7 5)B取向GaAs衬底上生长的自组织In0.15Ga0.85As量子线的堆叠效应
作者:
Yasuhide Ohno
会议名称:
《International Conference on Molecular Beam Epitaxy, 11th, Sep 11-15, 2000, Beijing, China》
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2000年
80.
InAs/GaAs self-organized quantum dots on (4 1 1)A GaAs by molecular beam epitaxy
机译:
通过分子束外延在(4 1 1)A GaAs上的InAs / GaAs自组织量子点
作者:
S. Kiravittaya
会议名称:
《International Conference on Molecular Beam Epitaxy, 11th, Sep 11-15, 2000, Beijing, China》
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2000年
81.
Optimized channel thickness for high electron mobility in pseudomorphic Ino.74Gao.26As/Ino.52Alo.48As quantum-well HEMT structures with (4 1 1)A super-flat interfaces grown by MBE
机译:
由MBE生长的(4 1 1)A超平坦界面的拟态Ino.74Gao.26As / Ino.52Alo.48As量子阱HEMT结构中的高电子迁移率的优化沟道厚度
作者:
Takahiro Kitada
会议名称:
《International Conference on Molecular Beam Epitaxy, 11th, Sep 11-15, 2000, Beijing, China》
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2000年
82.
Reactive ion etching of Si1-xGex alloy with hydrogen bromide
机译:
用溴化氢对Si1-xGex合金进行反应性离子刻蚀
作者:
Lin Guo
会议名称:
《International Conference on Molecular Beam Epitaxy, 11th, Sep 11-15, 2000, Beijing, China》
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2000年
83.
Nitrogen incorporation in group III-nitride-arsenide materials grown by elemental source molecular beam epitaxy
机译:
元素源分子束外延生长的Ⅲ族氮化物材料中的氮掺入
作者:
S.G. Spruytte
会议名称:
《International Conference on Molecular Beam Epitaxy, 11th, Sep 11-15, 2000, Beijing, China》
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2000年
84.
MBE growth of InAs/InAsSb/InAlAsSb “W” quantum well laser diodes emitting near 3 μm
机译:
InAs / InAsSb / InAlAsSb“ W”量子阱激光二极管的MBE增长,其发射出近3μm
作者:
A. Wilk
会议名称:
《International Conference on Molecular Beam Epitaxy, 11th, Sep 11-15, 2000, Beijing, China》
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2000年
85.
Investigation of the initial growth of cubic-GaN using an AlGaAs buffer layer grown on GaAs (1 0 0) by molecular beam epitaxy
机译:
使用通过分子束外延在GaAs(1 0 0)上生长的AlGaAs缓冲层研究立方氮化镓的初始生长
作者:
Ryuhei Kimura
会议名称:
《International Conference on Molecular Beam Epitaxy, 11th, Sep 11-15, 2000, Beijing, China》
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2000年
86.
Scanning tunneling microscopy study of InAs islanding on GaAs(0 0 1)
机译:
GaAs上InAs岛的扫描隧道显微镜研究(0 0 1)
作者:
Shigehiko Hasegawa
会议名称:
《International Conference on Molecular Beam Epitaxy, 11th, Sep 11-15, 2000, Beijing, China》
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2000年
87.
Optimisation of MBE growth conditions for InAs quantum dots on (0 0 1) GaAs for 1.3 μm luminescence
机译:
优化(0 0 1)GaAs上InAs量子点的MBE生长条件以实现1.3μm发光
作者:
F. Ferdos
会议名称:
《International Conference on Molecular Beam Epitaxy, 11th, Sep 11-15, 2000, Beijing, China》
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2000年
88.
Characteristics of strain compensated 1.3 tm InAsP/InGaAsP ridge waveguide laser diodes grown by gas source MBE
机译:
气体源MBE生长的应变补偿1.3 tm InAsP / InGaAsP脊形波导激光二极管的特性
作者:
Y.G. Zhang
会议名称:
《International Conference on Molecular Beam Epitaxy, 11th, Sep 11-15, 2000, Beijing, China》
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2000年
89.
The formation of dislocations in the interface of GeSi/low-temperature Si buffer grown on Si (0 0 1)
机译:
在Si(0 0 1)上生长的GeSi /低温Si缓冲液界面上的位错形成
作者:
C.S. Peng
会议名称:
《International Conference on Molecular Beam Epitaxy, 11th, Sep 11-15, 2000, Beijing, China》
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2000年
90.
Work function of GaAs (0 0 1) surface obtained by the electron counting model
机译:
通过电子计数模型获得的GaAs(0 0 1)表面的功函数
作者:
N. Inoue
会议名称:
《International Conference on Molecular Beam Epitaxy, 11th, Sep 11-15, 2000, Beijing, China》
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2000年
91.
MBE/MEE growth and characterization of C60-doped GaAs
机译:
MBE / MEE的生长和C60掺杂GaAs的表征
作者:
H.H. Zhan
会议名称:
《International Conference on Molecular Beam Epitaxy, 11th, Sep 11-15, 2000, Beijing, China》
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2000年
92.
Step bunching in InGaAs/GaAs quantum wells grown by molecular beam epitaxy on GaAs(0 0 1) vicinal surfaces
机译:
在GaAs(0 0 1)邻面上通过分子束外延生长的InGaAs / GaAs量子阱中的台阶聚束
作者:
S. Martini
会议名称:
《International Conference on Molecular Beam Epitaxy, 11th, Sep 11-15, 2000, Beijing, China》
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2000年
93.
Molecular beam epitaxial growth of GaN on (100)- and (111) Si substrates coated with a thin SiC layer
机译:
在(100)和(111)Si衬底上涂覆SiC薄层的GaN的分子束外延生长
作者:
M. Cervantes-Contreras
会议名称:
《International Conference on Molecular Beam Epitaxy, 11th, Sep 11-15, 2000, Beijing, China》
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2000年
94.
Lattice-matched InxGa1-xAs/InyAl1-xAs quantum wells(x = 0.18 and 0.19) grown on (4 1 1)A- and (1 0 0)-oriented InGaAs ternary substrates by molecular beam epitaxy
机译:
通过分子束外延生长在(4 1 1)A-和(1 0 0)取向的InGaAs三元衬底上生长的晶格匹配InxGa1-xAs / InyAl1-xAs量子阱(x = 0.18和0.19)
作者:
Satoshi Shimomura
会议名称:
《International Conference on Molecular Beam Epitaxy, 11th, Sep 11-15, 2000, Beijing, China》
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2000年
95.
Conduction-type control of Ge films grown on (NH4)2S-treated GaAs by molecular beam epitaxy
机译:
(NH4)2S处理的GaAs上分子束外延生长的Ge膜的导电类型控制
作者:
M. Inada
会议名称:
《International Conference on Molecular Beam Epitaxy, 11th, Sep 11-15, 2000, Beijing, China》
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2000年
96.
Optical investigation of MBE grown Si-doped AlxGa1-xN as a function of nominal Al mole fraction up to 0.5
机译:
MBE生长的掺Si的AlxGa1-xN随光学标称Al摩尔分数的变化最多为0.5的光学研究
作者:
J.L. McFall
会议名称:
《International Conference on Molecular Beam Epitaxy, 11th, Sep 11-15, 2000, Beijing, China》
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2000年
97.
Optical properties and ordering of AlxGa1-xN MBE-layers
机译:
AlxGa1-xN MBE层的光学性质和有序化
作者:
D.G. Ebling
会议名称:
《International Conference on Molecular Beam Epitaxy, 11th, Sep 11-15, 2000, Beijing, China》
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2000年
98.
Growth and emission tuning of InAs/InP quantum dots superlattiee
机译:
InAs / InP量子点超晶格的生长和发射调谐
作者:
Q.D. Zhuang
会议名称:
《International Conference on Molecular Beam Epitaxy, 11th, Sep 11-15, 2000, Beijing, China》
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2000年
99.
Growth and device applications of III-nitrides by MBE
机译:
MBE的III型氮化物的生长及其设备应用
作者:
T.D. Moustakas
会议名称:
《International Conference on Molecular Beam Epitaxy, 11th, Sep 11-15, 2000, Beijing, China》
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2000年
100.
Solid C60 growth on hexagonal GaN (0 0 0 1) surface
机译:
六方氮化镓(0 0 0 1)表面上的固体C60生长
作者:
H. Takashima
会议名称:
《International Conference on Molecular Beam Epitaxy, 11th, Sep 11-15, 2000, Beijing, China》
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2000年
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