Рост твердых растворов InAs_xSb_(1-x) на отклоненных подложках GaAs(OOl) методом молекулярно-лучевой эпитаксии

摘要

Исследовано влияние степени отклонения подложки от сингулярной грани на состав и морфологию слоев при молекулярно-лучевой эпитаксии твердых растворов InAs_xSb_(1-x) на поверхности GaAs. В качестве подложек использованы пластины GaAs с ориентацией (100), отклоненные в направлении [110] на 0, 1, 2 и 5°. Рост гетероструктур выполнен для температур 310 и 380°C. Изучено влияние молекулярной формы мышьяка (As_2 либо AS_4) на состав слоев. Исследования состава и структурных свойств осуществлены методами рентгеновской дифрактометрии высокого разрешения и атомно-силовой микроскопии. Установлено, что в ряду отклонений 0 → 5° доля мышьяка х последовательно увеличивается как при использовании потока молекул AS_2, так и AS_4. При использовании потока молекул As_2 доля х с увеличением степени отклонения возрастает незначительно (в 1.05 раза), а при использовании молекул AS_4 наблюдается ее возрастание в 1.75 раза. Повышение температуры роста приводит к увеличению доли мышьяка в твердом растворе. Морфология поверхности улучшается при увеличении степени отклонения при низкой температуре роста и ухудшается при высокой.