一种GaSb半导体衬底湿法刻蚀液及其配制方法和应用

摘要

本发明属于半导体加工制造领域，本发明涉及一种GaSb半导体衬底湿法刻蚀液及其配制方法和应用，其中各组分按重量百分比如下：1.5～2.5％氧化剂、2.5～4.0％腐蚀剂、18.0～38.0％络合剂、50.0～65.0％去离子水，各组分重量百分比总和为100％。其配置方法包括稀释、加热、搅拌等步骤。本发明具有成分简单，原料易得且价格低廉，操作工艺简便等特优点，可大幅降低GaSb半导体衬底刻蚀加工成本。