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黄大定; 高维滨; 吴正龙; 张建辉; 刘志凯;
中国科学院半导体研究所半导体材料科学实验室;
中国科学院半导体研究所理化分析实验室;
北京师范大学;
氮化镓; 锑化镓; 低能双离子束; 沉积; IBD;
机译:透射电子显微镜研究分子束外延法在Si(001)衬底上生长的GaSb的初始生长阶段
机译:高分辨率透射电子显微镜研究在半绝缘GaAs(001)衬底上生长的GaSb岛的生长模式
机译:液相外延技术研究在不同衬底上生长的GaSb薄膜上的结构缺陷
机译:用于c-GaN研究的Si(100)衬底上BP的外延生长和表征
机译:研究碲化汞镉红外探测器在硅(100)衬底上碲化镉纳米异质外延生长的研究。
机译:GaAs衬底上分子束外延生长的中波和长波InAs / GaSb超晶格的电学性质
机译:mOVpE对Gasb(001)衬底上Gasb过生长的温度依赖性
机译:在错切(100)衬底上生长的Gasb / alsb应变层超晶格的X射线衍射研究
机译:在GaSb或InAs衬底上生长的长波长激光器的材料系统
机译:具有的半导体组件由衬底,在衬底上生长的,具有至少一个窗口的掩模和贯穿窗口构成,该衬底在单晶半导体层上生长,现有的基本结构及其制造方法
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