机译:湿法化学刻蚀在蓝宝石衬底上横向生长GaN的特性研究
Chinese Acad Sci, Inst Phys, Beijing Natl Lab Condensed Matter Phys, Beijing 100080, Peoples R China;
scanning electron microscopy; wing tilt; X-ray diffraction; MOCVD; selective epitaxy; nitrides; X-RAY-DIFFRACTION; DISLOCATION-DENSITY; VAPOR-DEPOSITION; EPITAXY; FILMS; GROWTH; TILT;
机译:通过湿法化学刻蚀在图案化的蓝宝石衬底上的GaN膜横向外延生长
机译:用光电化学湿法刻蚀研究外延横向生长的GaN中的位错和缺陷
机译:V型坑粗糙表面化学湿法刻蚀蓝宝石衬底上生长的GaN基发光二极管的研究
机译:通过化学湿法蚀刻图案 - 蓝宝石 - 衬底(CWE-PSS)同时增强GaN基发光二极管的内部和提取效率
机译:氮化镓外延和器件的替代衬底:横向长满的氮化镓和硅(111)。
机译:通过无掩模化学刻蚀制备的涂有银纳米颗粒的蓝宝石图案衬底上的GaN基发光二极管的性能
机译:研究在具有V形凹坑粗糙表面的化学湿法蚀刻图案化蓝宝石衬底上生长的GaN基发光二极管
机译:金属有机化学气相沉积法横向外延生长的GaN非平面衬底的三维微观结构表征