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International Workshop on the Physics of Semiconductor Devices
International Workshop on the Physics of Semiconductor Devices
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1.
A New Model for the Laser Irradiation Effects on the Quantum Dots in Glass Matrix
机译:
玻璃基质中量子点激光照射效应的新模型
作者:
Swati Nagpal
;
Praveen K. Pandey
;
P. K. Bhatnagar
会议名称:
《International Workshop on the Physics of Semiconductor Devices》
|
2002年
2.
ESD Reliability Issues in RF CMOS Circuits
机译:
RF CMOS电路中的ESD可靠性问题
作者:
M. K. Radhakrishnan
;
V. Vassilev
;
B. Keppens
;
V. De Heyn
;
M. Natarajan
;
G. Groeseneken
会议名称:
《International Workshop on the Physics of Semiconductor Devices》
|
2002年
3.
High Field Effects on J/V Characteristics in Conducting Polymers
机译:
导电聚合物J / V特性的高场效应
作者:
Vikram Kumar
;
S. C. Jain
;
Ashok Kapoor
;
Wim Geens
;
Tom Aeronauts
;
A. Mehra
;
J. Poortmans
;
R. Mertens
;
M. Willander
会议名称:
《International Workshop on the Physics of Semiconductor Devices》
|
2002年
4.
Effect of Compositional Variation on Properties of Ag-Sb-Te: A New Optical
机译:
组建变异对AG-SB-TE性能的影响:新光学
作者:
Yagya Deva Sharma
;
L Singh
;
P. K. Panday
;
Chhavi Bhatnagar
;
P. K. Bhatnagar
会议名称:
《International Workshop on the Physics of Semiconductor Devices》
|
2002年
5.
Mechanism of Charge Injection in Metal/Copper-Phthalocyanine/Metal Structures
机译:
金属/铜酞菁/金属结构中电荷注射机理
作者:
Ajit Kumar Mahapatro
;
Subhasis Ghosh
会议名称:
《International Workshop on the Physics of Semiconductor Devices》
|
2002年
6.
Noise Behaviour of Inp/InGaAs Superlattice Avalanche Photodetectors for Fiber Optic Communication Systems
机译:
用于光纤通信系统的INP / INGAAS超晶格雪崩光电探测器的噪声行为
作者:
C. Kumar
;
J. Mukhopadhyay
;
K. K. Ghosh
;
J. P. Banerjee
会议名称:
《International Workshop on the Physics of Semiconductor Devices》
|
2002年
7.
Pulsed I-V Studies on 0.5 μm GaAs MESFETs
机译:
脉冲I-V在0.5μmGaAs Mesfet上研究
作者:
Ashok Kumar
;
Renu Sharma
;
Raman Kumar Trivedi
;
U. C. Ray
会议名称:
《International Workshop on the Physics of Semiconductor Devices》
|
2002年
8.
Effect of barrier width and doping on Asymetric QWIP
机译:
屏障宽度与掺杂对不对称QWIP的影响
作者:
P. R. Vaya
;
K. Udaya Kumar
;
S. Ananda Natarajan
会议名称:
《International Workshop on the Physics of Semiconductor Devices》
|
2002年
9.
An Each Back Technique to Achieve Sub-micron I-gate for GaAs FETs Using I-line Stepper and Phase Shift Mask (PSM)
机译:
使用I-LINE步进和相移掩模(PSM)实现GaAs FET的子微米I栅极的每个后技术
作者:
D. K. Fu
;
S. H. Chen
;
H. C. Chang
;
E. Y. Chang
会议名称:
《International Workshop on the Physics of Semiconductor Devices》
|
2002年
10.
Theoretical Studies of Excitons in Novel Type II Semiconductor Heterostructures
机译:
新型II型半导体异质结构中激子的理论研究
作者:
M. del Castillo-Mussot
;
J. A. Reyes
;
G. J. Vazquez
会议名称:
《International Workshop on the Physics of Semiconductor Devices》
|
2002年
11.
Optical Study of a-Ge_5Se_(95-x)Te_x: Effect of Crystallization
机译:
A-GE_5SE_(95-X)TE_X的光学研究:结晶的影响
作者:
Shamshad A. Khan
;
M. Zulfequar
;
Zishan H. Khan
;
M. A. Majeed Khan
;
M. Husain
会议名称:
《International Workshop on the Physics of Semiconductor Devices》
|
2002年
12.
X-Ray Topographic Investigation of Strain Field Generated by 200 MeV Ag~(14+)Ions in GaAs (100)
机译:
在GaAs(100)中200meV Ag〜(14 +)离子产生的应变场的X射线地形研究
作者:
B. B. Sharma
;
U. Tiwari
会议名称:
《International Workshop on the Physics of Semiconductor Devices》
|
2002年
13.
Post-Growth Structural Stability of Strained CdZnTe Single Quantum Well Grown by MBE
机译:
由MBE种植的紧张Cdznte单量子的后生长结构稳定性
作者:
A. P. Jacob
;
T. Myrberg
;
O. Nur
;
Q. X. Zhao
;
M. Willander
;
T. Baron
;
N. Magnea
;
R. N. Kyutt
会议名称:
《International Workshop on the Physics of Semiconductor Devices》
|
2002年
14.
Tailoring Type II Strained Layer InAs/InGaSb Superlattices for Long Wavelength Infrared Detector Applications
机译:
用于长波长红外探测器应用的剪裁II型应变层INAS / INGASB超晶格
作者:
D. N. Talwar
会议名称:
《International Workshop on the Physics of Semiconductor Devices》
|
2002年
15.
Magnetic Imaging of Ferromagnetic Domains by Room Temperature Scanning Hall Probe Microscopy using GaAs/AlGaAs and Bismuth Micro-Hall Probes
机译:
使用GaAs / Algaas和铋微厅探头使用室温扫描霍尔探针显微镜磁磁域的磁性成像
作者:
A. Sandhu
;
H. Masuda
;
A. Oral
;
S. J. Bending
;
T. Inushima
会议名称:
《International Workshop on the Physics of Semiconductor Devices》
|
2002年
16.
Study of Pseudomorphic HEMTs using 2D Numerical Simulation Supported by Experimental Data
机译:
试验数据支持2D数值模拟的假形血栓研究
作者:
Yashvir Singh
;
M. Jagadesh Kumar
;
S. R. Shukla
;
Meena Mishra
;
H. P. Vyas
会议名称:
《International Workshop on the Physics of Semiconductor Devices》
|
2002年
17.
Gamma Radiation Induced Effects in GaAs MESFET's
机译:
Gamma辐射诱导在Gaas Mesfet的效果
作者:
R. Manchanda
;
N. K. Nayyar
;
V. R. Balakrishnan
;
R. Muralidharan
;
H. P. Vyas
;
V. Kumar
会议名称:
《International Workshop on the Physics of Semiconductor Devices》
|
2002年
18.
Experimental Determination of Intrinsic Non-Uniformity in CCD-Multiplexers for FPA
机译:
用于FPA的CCD多路复用器内在非均匀性的实验测定
作者:
R. S. Sexana
;
R. K. Bhan
;
A. Aggarwal
;
S. K. Lomash
会议名称:
《International Workshop on the Physics of Semiconductor Devices》
|
2002年
19.
Fabrication of High Efficiency Double Junction a-Si Solar Cells Using Amorphous and Microcrystalline SiO:H Films
机译:
使用无定形和微晶SiO:H薄膜制备高效双结A-Si太阳能电池
作者:
Arindam Sarker
;
Chandan Banerjee
;
A. K. Barua
会议名称:
《International Workshop on the Physics of Semiconductor Devices》
|
2002年
20.
Measurement and Modelling of SOI MOSFETs Capacitances
机译:
SOI MOSFET电容的测量和建模
作者:
D. Tomaszewski
;
L. Lukasiak
;
J. Gibki
;
K. Domanski
;
A. Jakubowski
;
A. Zareba
会议名称:
《International Workshop on the Physics of Semiconductor Devices》
|
2002年
21.
Reliability Issues Of Ultra Thin Silicon Nitride (a-SiN:N) By Hot Wire CVD For Deep Sub-Micron CMOS Technologies
机译:
电线CVD用于深层微米CMOS技术的超薄氮化硅(A-SIN:N)的可靠性问题
作者:
Waghmare P. C.
;
Patil S. B.
;
Kumbhar A.
;
Dusane R. O.
;
V. Ramgopal Rao
会议名称:
《International Workshop on the Physics of Semiconductor Devices》
|
2002年
22.
Interconnect Characterization: Joule Displacement based Laser Profiling of Periodic Current Carrying Microconductors
机译:
互连表征:基于joule位移的周期电流携带微导管的激光谱
作者:
Suneet Tuli
;
Ranjith Nair
;
Shwetank Kumar
会议名称:
《International Workshop on the Physics of Semiconductor Devices》
|
2002年
23.
SubBand Absorption in Organic Molecular Semiconductors
机译:
有机分子半导体中的子带吸收
作者:
K. L. Narasimhan
;
Anver Aziz
会议名称:
《International Workshop on the Physics of Semiconductor Devices》
|
2002年
24.
Effect of Hydrogenation on the Characteristics of GaAs Schottky Diodes
机译:
氢化对GaAs肖特基二极管特性的影响
作者:
Satish Mohan
;
Renu Tyagi
;
M. Bal
;
T. Haldar
;
M. Singh
;
Prem Vir Singh
;
S. K. Agarwal
会议名称:
《International Workshop on the Physics of Semiconductor Devices》
|
2002年
25.
Some aspects of synthesizing semiconductor nanoparticles embedded in SiO_2 matrix by sol-gel technique
机译:
通过溶胶 - 凝胶技术合成嵌入SiO_2基质中的半导体纳米粒子的一些方面
作者:
A. K. Pal
;
B. Bhattacharjee
;
S. Chaudhuri
;
D. Ganguli
会议名称:
《International Workshop on the Physics of Semiconductor Devices》
|
2002年
26.
Silicon Heterostructure Field Effect Transistors: Status and Trends
机译:
硅异质结构场效应晶体管:状态和趋势
作者:
C. K. Maiti
会议名称:
《International Workshop on the Physics of Semiconductor Devices》
|
2002年
27.
Improvement of MBE-grown 0.81 μm High Power Lasers Reliability by Indium Incorporation into AlGaAs QW Active Layer
机译:
通过铟掺入到Algaas QW Active层中的MBE-生长0.81μm高功率激光的可靠性
作者:
A. N. Alexeev
;
V. P. Chaly
;
A. L. Dudin
;
Yu. V. Pogorelsky
;
A. L. Ter-Martirosyan
;
A. P. Shkurko
会议名称:
《International Workshop on the Physics of Semiconductor Devices》
|
2002年
28.
Effects of Wave Function Penetration on Modeling of Deep Sub-Micron p-MOSFETs
机译:
波浪函数渗透对深亚微米P-MOSFET建模的影响
作者:
M. Z. Kauser
;
A. Haque
会议名称:
《International Workshop on the Physics of Semiconductor Devices》
|
2002年
29.
Modelling of the Linewidth Enhancement Factor with Neural Networks
机译:
基于神经网络的线宽增强因子建模
作者:
F. V. Celebi
;
K. Danisman
;
S. Sagiroglu
会议名称:
《International Workshop on the Physics of Semiconductor Devices》
|
2002年
30.
Stiction in Surface Micromachined Structures
机译:
表面微机械结构的沉降
作者:
Enakshi Bhattacharya
;
Jinbo Kuang
;
Michael Judy
;
Jack Martin
会议名称:
《International Workshop on the Physics of Semiconductor Devices》
|
2002年
31.
A Study on Thickness Dependence of Crystallinity in Silicon Thin Films
机译:
硅薄膜结晶度厚度依赖性研究
作者:
Sumita Mukhopadhyay
;
Chandan Das
;
Swati Ray
会议名称:
《International Workshop on the Physics of Semiconductor Devices》
|
2002年
32.
Pre-oxidation Gettering of Silicon <110> Wafer Using POCl_3
机译:
使用POCL_3预氧化硅110晶片晶圆
作者:
S. K. Gupta
;
A. P. Gupta
;
O. P. Hooda
;
Surinder Kumar
;
D. K. Bhattacharya
;
P. Datta
;
V. K. Jain
会议名称:
《International Workshop on the Physics of Semiconductor Devices》
|
2002年
33.
Influence of Localisation Effects on Performance of Semiconductor-based Light Emitting Devices
机译:
定位效应对基于半导体发光器件性能的影响
作者:
M. Godlewski
会议名称:
《International Workshop on the Physics of Semiconductor Devices》
|
2002年
34.
Technological Process Induced Defects in Epitaxial Silicon: Photoluminescence and Structural Studies
机译:
外延硅的技术过程诱导缺陷:光致发光和结构研究
作者:
P. K. Giri
;
B. K. Panigrahi
;
K. G. M. Nair
会议名称:
《International Workshop on the Physics of Semiconductor Devices》
|
2002年
35.
Plasma Grown Gate Oxides on Tensile-Strained Si_(1-y)C_y/Si Heterostructure
机译:
等离子体种植栅极氧化物在拉伸应变Si_(1-Y)C_Y / Si异质结构上
作者:
R. Mahapatra
;
S. Maikap
;
G. S. Kar
;
S. K. Ray
会议名称:
《International Workshop on the Physics of Semiconductor Devices》
|
2002年
36.
Semiconductor Derives Using Thin Films of Diamond and other Wide Band Gap Materials
机译:
半导体通过钻石和其他宽带隙材料衍生薄膜
作者:
A. Vaseashta
会议名称:
《International Workshop on the Physics of Semiconductor Devices》
|
2002年
37.
Two-dimensional monolithic lead chalcogenide infrared sensor array on silicon read-out chip
机译:
硅读取芯片上的二维单片铅硫属化物红外传感器阵列
作者:
Hans Zogg
;
Karim Alchalabi
;
Dmitri Zimin
;
Klaus Kellermann
会议名称:
《International Workshop on the Physics of Semiconductor Devices》
|
2002年
38.
Measurement of Beam Current and Beam Diameter of an E-Beam Lithography System
机译:
电子束光刻系统的光束电流和光束直径的测量
作者:
Renuka Saxena
;
Manju Prasad
;
M. U. Sharma
;
S. Ganesh
会议名称:
《International Workshop on the Physics of Semiconductor Devices》
|
2002年
39.
Nanostructured Carbonaceous Materials-Synthesis, Characterizations and Applications
机译:
纳米结构碳质材料 - 合成,特征和应用
作者:
K. Mukhopadhyay
;
C. D. Dwivedi
;
G. N. Mathur
会议名称:
《International Workshop on the Physics of Semiconductor Devices》
|
2002年
40.
Magnetic Field Induced Wigner Crystal in Two-Dimensional Electron Gas in InGaAs/InP
机译:
磁场在Ingaas / InP中诱导了二维电子气体中的Wigner晶体
作者:
B. Podor
;
Gy. Kovacs
;
G. Remenyi
;
I. G. Savelev
会议名称:
《International Workshop on the Physics of Semiconductor Devices》
|
2002年
41.
Effect of Barrier Inhomogeneities on Heavily Doped Au/n-GaAs Schottky Diodes
机译:
屏障不均匀对掺杂Au / N-GaAs肖特基二极管的影响
作者:
Rajinder Sharma
;
Naresh Padha
;
S. B. Krupanidhi
会议名称:
《International Workshop on the Physics of Semiconductor Devices》
|
2002年
42.
Optical Characterisation of Self Assembled Ga_xIn_(1-x)As/InP Quantum Wires
机译:
自组装Ga_xin_(1-x)的光学表征为/ inp量子线
作者:
Dipankar Biswas
;
Benito. Allen
;
Juan Martinez-Pastor
;
Luisa Gonzalez
;
Jorge. M. Garcia
会议名称:
《International Workshop on the Physics of Semiconductor Devices》
|
2002年
43.
Silicon mm-wave integrated circuits (SIMMWIC)
机译:
硅MM波集成电路(SIMMWIC)
作者:
E. Kasper
;
W. Zhao
会议名称:
《International Workshop on the Physics of Semiconductor Devices》
|
2002年
44.
On the Photo emission From A_3~(II)B_2~V Nanostructures
机译:
关于A_3〜(II)B_2〜V纳米结构的照片发射
作者:
K. P. Ghatak
;
J. Mukhopadhyay
;
J. P. Banerjee
会议名称:
《International Workshop on the Physics of Semiconductor Devices》
|
2002年
45.
Hydrogenation in HgCdTe Infrared Detectors
机译:
HGCDTE红外探测器中的氢化
作者:
Hee Chul Lee
;
Keedong Yang
;
O. P. Agnihotri
会议名称:
《International Workshop on the Physics of Semiconductor Devices》
|
2002年
46.
Fabrication of Printed Circuit Board Using UV Exposure
机译:
使用UV曝光制造印刷电路板
作者:
A. H. M. Faisal
;
Zahid Hasan Mahmood
;
S. M. Ullah
;
H. Rahman
;
J. Rahman
会议名称:
《International Workshop on the Physics of Semiconductor Devices》
|
2002年
47.
Simulation Study of Implant Dose Sensitivity of a 0.1 μm NMOSFET
机译:
植入剂剂量敏感性的仿真研究0.1μmnMOSFET
作者:
H. C. Srinivasaiah
;
Navakanta Bhat
会议名称:
《International Workshop on the Physics of Semiconductor Devices》
|
2002年
48.
Electrical Properties of Ultrathin Stacked SiO_2/ZrO_2 Gate Dielectrics
机译:
超薄堆叠SiO_2 / ZRO_2栅极电介质的电气性能
作者:
S. Chatterjee
;
S. K. Samanta
;
H. D. Banerjee
;
C. K. Maiti
会议名称:
《International Workshop on the Physics of Semiconductor Devices》
|
2002年
49.
Optimization of Separate Confinement Heterostructure Waveguide for Quantum Well Lasers
机译:
用于量子阱激光器的单独限制异质结构波导的优化
作者:
Alok Jain
;
S. K. Mehta
;
R. K. Jain
会议名称:
《International Workshop on the Physics of Semiconductor Devices》
|
2002年
50.
Characterization and Simulation of Lateral Asymmetric Channel Silicon-on-Insulator MOSFETs
机译:
横向非对称通道硅式绝缘体MOSFET的表征与仿真
作者:
Najeeb-ud-Din
;
V. Ramgopal Rao
;
J. Vasi
会议名称:
《International Workshop on the Physics of Semiconductor Devices》
|
2002年
51.
Low Temperature Electrical Performance of Ultrathin Oxide MOS Capacitors with p~+ poly-Si_(1-x)Ge_x and poly-Si Gate Materials
机译:
具有P + Poly-Si_(1-X)GE_X和Poly-Si栅极材料的超低氧化物MOS电容的低温电性能
作者:
A. P. Jacob
;
T. Myrberg
;
M. Y. A. Yousif
;
O. Nur
;
M. Willander
;
P. Lundgren
;
E. O. Sveinbjornsson
;
M. Caymax
会议名称:
《International Workshop on the Physics of Semiconductor Devices》
|
2002年
52.
Overview of Trench Gated MOS-Controlled Bipolar Semiconductor Power Devices
机译:
沟槽门控MOS控制双极半导体功率器件概述
作者:
O. Spulber
;
M. Sweet
;
K. Vershinin
;
N. Luther-King
;
M. M. De Souza
;
E. M. Sankara-Narayanan
会议名称:
《International Workshop on the Physics of Semiconductor Devices》
|
2002年
53.
Many-Body and Strain Effects on the Ground-State Energy for a Quasi-Two-Dimensional Quantum Wells with Strain
机译:
用菌株对准二维量子孔的地面能量进行多体和应变影响
作者:
M. R. Kim
;
S. K. Kim
;
D. H. Shin
;
M. S. Son
;
J. K. Rhee
会议名称:
《International Workshop on the Physics of Semiconductor Devices》
|
2002年
54.
Optimization of Sub 100 nm Γ-Gate Si-MOSFETs for RF Applications
机译:
用于RF应用的Sub 100 nmγ栅极Si-MOSFET的优化
作者:
Mayank Gupta
;
V. Vidya
;
V. Ramgopal Rao
;
Kun H. To
;
Jason C. S. Woo
会议名称:
《International Workshop on the Physics of Semiconductor Devices》
|
2002年
55.
Development and TCR Control of Nichrome Thin Film Resistors for GaAs MMICs
机译:
高分形式薄膜电阻器的开发与TCR控制GaAs MMICS
作者:
Seema Vinayak
;
R. D. Srivastav
;
B. K. Sehgal
;
A. A. Naik
;
Shobha Prabhakar
;
Vandana Guru
;
Sai Saravanan
;
Somna Mahajan
;
Vanita R. Agarwal
;
R. Gulati
会议名称:
《International Workshop on the Physics of Semiconductor Devices》
|
2002年
56.
Growth and Characterization of K_2Cr_2O_7 Doped PbI_2 Single Crystal
机译:
K_2CR_2O_7掺杂PBI_2单晶的生长和表征
作者:
Sanjeev Kumar
;
Momeen
;
M. Y. Khan
;
R. Rai
会议名称:
《International Workshop on the Physics of Semiconductor Devices》
|
2002年
57.
Preparation, Growth Mechanism and Chemical Composition Analysis of {Sb_2(S_(1-x)Se_x)_3} Thin Films Using Arrested Precipitation Technique (APT)
机译:
使用被捕沉淀技术(APT)的{Sb_2(S_2(S_2)(S_(1-X)SE_X)_3}薄膜的制备,生长机理和化学成分分析(APT)
作者:
P. N. Bhosale
;
Miss V. N. Patil
;
A. R Patil
;
B. D. Ajalkar
会议名称:
《International Workshop on the Physics of Semiconductor Devices》
|
2002年
58.
TEM Characterisation of Nichrome Thin Films
机译:
镍络薄膜的TEM表征
作者:
D. V. Sridhara Rao
;
K. Muraleedharan
;
Seema Vinayak
;
H. P. Vyas
会议名称:
《International Workshop on the Physics of Semiconductor Devices》
|
2002年
59.
Effect of Thermal Annealing on the Electrical Behaviour of CdTe Thin Films
机译:
热退火对CDTE薄膜电性能的影响
作者:
P. P. Sahay
;
S. Jha
;
M. Shamsuddin
会议名称:
《International Workshop on the Physics of Semiconductor Devices》
|
2002年
60.
Growth and Characterization of Hg_(1-x)Cd_xTe Epilayers From Hg-rich Solution Using LPE
机译:
使用LPE的HG_(1-X)CD_XTE脱落剂的生长和表征
作者:
Shiv Kumar
;
Anjana Nagpal
;
Sanjeev Sharma
;
F. R. Chavada
;
S. C. Gupta
会议名称:
《International Workshop on the Physics of Semiconductor Devices》
|
2002年
61.
Computer Simulation Studies on Heterostructure IMPATTs based on Si_(1-x)Ge_x/Si at W-Band Frequencies
机译:
基于W波段频率的Si_(1-X)Ge_x / Si的异质结构灭绝的计算机仿真研究
作者:
A. Chakraborty
;
J. Mukhopadhyay
;
J. P. Banerjee
会议名称:
《International Workshop on the Physics of Semiconductor Devices》
|
2002年
62.
Optimization of Local Oxidation of Polysilicon over Silicon Isolation Structure (LOCOS)
机译:
硅隔离结构多晶硅局部氧化的优化(LOCOS)
作者:
D. K. Pal
;
J. Guha
;
H. Jain
;
R. Shankar
;
J. N. Roy
会议名称:
《International Workshop on the Physics of Semiconductor Devices》
|
2002年
63.
Silicon Carbide on Insulator (SiCOI) Structures by Direct Wafer Bonding Process
机译:
直接晶圆粘合过程的绝缘体(Sicoi)结构上的碳化硅
作者:
Sudhir Chandra
;
Hiroyuki Nagasawa
会议名称:
《International Workshop on the Physics of Semiconductor Devices》
|
2002年
64.
Synthesis and Characterization of Tin Oxide Thin Films Derived from Pyrolysis of Tributyltin Acetate for Electrochromic Devices
机译:
乙酸二丁基锡热解氧化锡薄膜的合成与表征电致变色装置
作者:
P. S. Patil
;
S. H. Mujawar
;
P. K. Kalal
;
P. S. Chigare
会议名称:
《International Workshop on the Physics of Semiconductor Devices》
|
2002年
65.
Variable Area HgCdTe Diode Array
机译:
可变区域HGCDTE二极管阵列
作者:
V. Dhar
;
V. Gopal
会议名称:
《International Workshop on the Physics of Semiconductor Devices》
|
2002年
66.
New quantum dot transistor
机译:
新量子点晶体管
作者:
V. G. Mokerov
;
Yu. V. Fedorov
;
L. E. Velikovski
;
M. Yu. Scherbakova
会议名称:
《International Workshop on the Physics of Semiconductor Devices》
|
2002年
67.
Current Transport Phenomenon of GaAs/Ge Solar Cells at Low Temperatures
机译:
低温下GaAs / GE太阳能电池的电流运输现象
作者:
P. Venkateswarlu
;
S. B. Krupanidhi
会议名称:
《International Workshop on the Physics of Semiconductor Devices》
|
2002年
68.
Molecular-beam Epitaxial Growth And Properties Of (In,Ga)N/GaN Multiple Quantum Wells
机译:
分子束外延生长和(In,Ga)n / gaN多量子阱的性质
作者:
Patrick Waltereit
;
Oliver Brandt
;
Klaus H. Ploog
会议名称:
《International Workshop on the Physics of Semiconductor Devices》
|
2002年
69.
Laterally Movable Gate Field Effect Transistor (LMGFET) for Microsensor and Microactuator Applications
机译:
用于微传感器和微致动器应用的横向可移动栅极场效应晶体管(LMGFET)
作者:
In-hyouk Song
;
Tinghui Xin
;
Pratul K. Ajmera
会议名称:
《International Workshop on the Physics of Semiconductor Devices》
|
2002年
70.
Transmission Electron Microscopy Studies of GaAs/Ge Interfaces
机译:
GaAs / GE接口的透射电子显微镜研究
作者:
R. Kishore
;
K. N. Sood
;
Sukhvir Singh
;
S. K. Sharma
;
R. Tyagi
;
M. Singh
;
S. K. Agarwal
会议名称:
《International Workshop on the Physics of Semiconductor Devices》
|
2002年
71.
TiO_2 Films Prepared by Sol-gel and Vacuum Evaporation and Their Use in Humidity Sensor Using Optical Fiber
机译:
通过溶胶 - 凝胶和真空蒸发制备的TiO_2膜及其在湿度传感器中使用光纤
作者:
L. M. Bali
;
B. C. Yadav
;
R. K. Shukla
;
Anchal Srivastava
;
U. D. Misra
;
G. C. Dubey
会议名称:
《International Workshop on the Physics of Semiconductor Devices》
|
2002年
72.
Limitations of Hydrodynamic and Energy-Transport Models
机译:
流体动力学和能量运输模型的局限性
作者:
T. Grasser
;
S. Selberherr
会议名称:
《International Workshop on the Physics of Semiconductor Devices》
|
2002年
73.
Study Of Oxygen Plasma Treated Gan Film Using X-Ray Photoelectron Spectroscopy (XPS) And Secondary Ion Mass Spectrometry (SIMS)
机译:
X射线光电子谱(XPS)和二次离子质谱法(SIMS)研究氧等离子体处理GaN膜
作者:
B. R. Chakraborty
;
S. M. Shivaprasad
;
S. Pal
;
D. N. Bose
会议名称:
《International Workshop on the Physics of Semiconductor Devices》
|
2002年
74.
Electrodeposition of EuSe Thin Films onto Different Substrates
机译:
将薄膜薄膜电沉积在不同的基材上
作者:
N. S. Gaikwad
;
C. H. Bhosale
会议名称:
《International Workshop on the Physics of Semiconductor Devices》
|
2002年
75.
Preparation and characterization of ZnFeS ternary chalcogenide pellets and thin films
机译:
Znfes三元硫属化物颗粒和薄膜的制备与表征
作者:
S. H. Deulkar
;
C. H. Bhosale
;
Maheshwar Sharon
;
Michael N. Spallart
会议名称:
《International Workshop on the Physics of Semiconductor Devices》
|
2002年
76.
Growth and Characterization of Ga_2Te_5 and its Solid-solution
机译:
Ga_2te_5的生长和表征及其固溶体
作者:
D. P. Singh
;
D. K. Suri
;
K. N. Sood
会议名称:
《International Workshop on the Physics of Semiconductor Devices》
|
2002年
77.
Polymeric Thin Film Optoelectronic Devices
机译:
聚合物薄膜光电器件
作者:
S C K Misra
;
F R Cruickshank
;
J N Sherwood
会议名称:
《International Workshop on the Physics of Semiconductor Devices》
|
2002年
78.
Investigation of Anomalous Electrical Behaviour in LPE Grown Undoped Hg_(1-x)Cd_xTe Epilayers
机译:
LPE中的异常电动行为的调查未掺杂HG_(1-X)CD_XTE癫痫
作者:
Anjana Nagpal
;
Shiv Kumar
;
Sanjeev Sharma
;
S. C. Gupta
会议名称:
《International Workshop on the Physics of Semiconductor Devices》
|
2002年
79.
Two Level Low Conductivity SiO_2 Support Structure for Uncooled IR-Sensor Based on MEMS Technology
机译:
基于MEMS技术的两个级别低电导率SiO_2支撑结构
作者:
Deepika Khilnaney
;
Alok Jain
;
C. R. Jalwania
;
V. K. Jain
会议名称:
《International Workshop on the Physics of Semiconductor Devices》
|
2002年
关键词:
thin films;
SiO_2;
thermal conductivity;
MEMS;
80.
Mechanical Properties of InAs/InP and InAs(S,Sn)/InP Semiconductor Alloys
机译:
INAS / INP和INAS(S,SN)/ INP半导体合金的机械性能
作者:
R. Navamathavan
;
R. Radhika
;
G. Attolini
;
C. Pelosi
;
D. Arivuoli
会议名称:
《International Workshop on the Physics of Semiconductor Devices》
|
2002年
81.
Vertical Electrical Behaviour of GaAs and Si Based Low Dimensional Structures
机译:
GaAs和基于Si的低尺寸结构的垂直电气特性
作者:
Zs. J. Horvath
会议名称:
《International Workshop on the Physics of Semiconductor Devices》
|
2002年
82.
Conduction Mechanism in Conjugated Polymers
机译:
共轭聚合物中的传导机制
作者:
Ashok K Kapoor
;
Vikram Kumar
;
S. C. Jain
会议名称:
《International Workshop on the Physics of Semiconductor Devices》
|
2002年
83.
Hot Electrons: A Myth or Reality?
机译:
热电子:神话或现实?
作者:
Vijay K. Arora
会议名称:
《International Workshop on the Physics of Semiconductor Devices》
|
2002年
84.
Computation of Effective Mobility in Buried Channel Heterostructure MOSFET
机译:
埋地通道异质结构MOSFET中有效移动性的计算
作者:
G. S. Kar
;
S. Maikap
;
S. K. Ray
;
N. B. Chakrabarti
会议名称:
《International Workshop on the Physics of Semiconductor Devices》
|
2002年
85.
Plasma Process Induced Damage Study in Deep Submicron CMOS
机译:
血浆过程诱导深亚微米CMOS的损伤研究
作者:
Poorva Waingankar
;
Rahul Wagh
会议名称:
《International Workshop on the Physics of Semiconductor Devices》
|
2002年
86.
Growth and Properties of In_xGa_(1-x)As_ySb_(1-y) on GaSb
机译:
GASB上的in_xga_(1-x)as_ysb_(1-y)的生长和性质
作者:
V. Rakovics
;
J. Balazs
;
B. Podor
;
A. L. Toth
;
Zs. J. Horvath
;
Z. E. Horvath
会议名称:
《International Workshop on the Physics of Semiconductor Devices》
|
2002年
87.
Optimisation of On-chip Amplifiers for Charge Coupled Devices
机译:
用于电荷耦合器件的片上放大器的优化
作者:
J. N. Roy
;
Sukhbir S. Kullar
;
Sudipto Das Gupta
;
D. N. Singh
会议名称:
《International Workshop on the Physics of Semiconductor Devices》
|
2002年
88.
Improvement in Breakdown Field Strength of Thin Thermally Grown SiO_2 by Selective Anodic Oxidation
机译:
通过选择性阳极氧化改善薄热生长SiO_2的分解场强度
作者:
Roy Paily
;
Amitava Das Gupta
;
Nandita Das Gupta
会议名称:
《International Workshop on the Physics of Semiconductor Devices》
|
2002年
89.
Temperature and Excitation Power Dependence of Bi-Excitonic Luminescence in InGaAs/GaAs Multiple Quantum Wells
机译:
在InGaAs / GaAs多量子阱中双兴奋剂发光的温度和激励功率依赖性
作者:
K. Gopalakrishna Naik
;
K. S. R. K. Rao
;
L. C. S. Murthy
;
T. Srinivasan
;
R. Muralidharan
;
S. K. Mehta
;
R. K. Jain
;
Vikram Kumar
会议名称:
《International Workshop on the Physics of Semiconductor Devices》
|
2002年
90.
Comparison of Aluminum Induced Crystallization of Sputtered Amorphous Silicon in Al/Si and Si/Al configurations
机译:
Al / Si和Si / Al配置中溅射非晶硅铝诱导结晶的比较
作者:
A. M. Al-Dhafiri
;
H. A. Naseem
;
Ram Kishore
;
W. D. Brown
会议名称:
《International Workshop on the Physics of Semiconductor Devices》
|
2002年
91.
ECR Plasma Etching of GaAs in CCl_2F_2/Ar Discharge
机译:
CCL_2F_2 / AR放电中GaAs的ECR等离子体蚀刻
作者:
L. S. S. Singh
;
K. P. Tiwary
;
M. N. Khan
;
R. K. Purohit
;
Z. H. Zaidi
会议名称:
《International Workshop on the Physics of Semiconductor Devices》
|
2002年
92.
Thickness measurements of Thin Films and Multilayers using Fourier Transform of X-ray Reflectivity
机译:
利用X射线反射率的傅里叶变换厚度测量薄膜和多层的测量
作者:
U. Tiwari
;
R. K. Sharma
;
B. K. Sehgal
;
A. Goyal
;
B. B. Sharma
;
V. Kumar
会议名称:
《International Workshop on the Physics of Semiconductor Devices》
|
2002年
93.
MOVPE Synthesis of InGaP Quantum Dots on GaP and their Characterisation
机译:
MOVPE合成INGAP量子点对间隙及其表征
作者:
B. M. Arora
;
S. Datta
;
Arnab Bhattacharya
;
M. R. Gokhale
会议名称:
《International Workshop on the Physics of Semiconductor Devices》
|
2002年
94.
Effect of Torsion Arm Dimensions on Natural Frequency of a Torsion Mirror
机译:
扭转臂尺寸对扭镜自然频率的影响
作者:
Saurabh A. Chandorkar
;
Prakash R. Apte
会议名称:
《International Workshop on the Physics of Semiconductor Devices》
|
2002年
95.
Case Studies in Failure Analysis of Semiconductor Devices and Passive Electronic Components
机译:
半导体器件和无源电子元件故障分析的案例研究
作者:
V. Lakshminarayanan
;
A. K. Manoj Kumar
会议名称:
《International Workshop on the Physics of Semiconductor Devices》
|
2002年
96.
The Graded-Gap Al_xGa~(1-x)As X-Ray Detectors with High and Fast Photovoltaic Response
机译:
等级 - 间隙AL_XGA〜(1-X)作为具有高和快速光伏响应的X射线探测器
作者:
J. Pozela
;
A. Silenas
;
K. Pozela
;
V. Jasutis
;
L. Dapkus
;
V. Juciene
会议名称:
《International Workshop on the Physics of Semiconductor Devices》
|
2002年
关键词:
radiation imaging;
X-ray detectors;
graded-gap Al_xGa_(1-x)As structures;
97.
Status of MMIC Technology in India
机译:
印度MMIC技术的地位
作者:
R. Gulati
;
MMIC Technology Development Team
会议名称:
《International Workshop on the Physics of Semiconductor Devices》
|
2002年
98.
Effect of Ion Implantation on the Structural and Optical Properties of Thermally Evaporated Cd_(1-x)Zn_xTe Thin Films
机译:
离子植入对热蒸发CD_(1-X)Zn_XTE薄膜的结构和光学性质的影响
作者:
M. Sridharan
;
Hee Chul Lee
;
Sa. K. Narayandass
;
D. Mangalaraj
会议名称:
《International Workshop on the Physics of Semiconductor Devices》
|
2002年
99.
The Magnetic Susceptibility in Quantum Wires of Dilute Magnetic Materials
机译:
稀磁性材料量子线中的磁化率
作者:
K. P. Ghatak
;
P. K. Bose
;
J. P. Banerjee
会议名称:
《International Workshop on the Physics of Semiconductor Devices》
|
2002年
100.
Effect of Gate Profile on the Characteristics of 0.5μm GaAs MESFETs
机译:
栅形轮廓对0.5μmGaAsmesfet的特性的影响
作者:
A. A. Naik
;
D. S. Rawal
;
S. Prabhakar
;
G. Sai Saravanan
;
B. K. Sehgal
;
R. Gulati
;
H. P. Vyas
;
Rajesh Kumar
;
P. Suryanarayana
;
V. A. S. K. Rao
会议名称:
《International Workshop on the Physics of Semiconductor Devices》
|
2002年
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