机译:GaN MMICS薄膜薄膜薄膜电阻器的设计与建模高达26 GHz
机译:可调电阻温度系数的Cr-Si和Ni-Cr单层薄膜电阻器和双层薄膜电阻器的开发
机译:MMIC上的薄膜Ni-Cr电阻的制造与表征
机译:高分形式薄膜电阻器的开发与TCR控制GaAs MMICS
机译:薄膜的吸附,杂质掺入和温度控制形态的结构和应力发展。
机译:NiCr和NiCrSi单层和双层纳米薄膜电阻器的物理和电学性质的发展
机译:用于生产薄膜镍铬电阻的Tophet-a和Evanohm-R合金的比较。总结报告