Characterization and Simulation of Lateral Asymmetric Channel Silicon-on-Insulator MOSFETs

机译：横向非对称通道硅式绝缘体MOSFET的表征与仿真

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This paper presents the characterization and simulation results of Lateral Asymmetric Channel (LAC) doped Silicon-on-Insulator (SOI) MOSFETs. The results are compared with uniformly doped SOI MOSFETs. It is shown that these LAC devices have better characteristics with many advantages.

机译：本文介绍了横向非对称通道（LAC）掺杂绝缘体（SOI）MOSFET的表征和仿真结果。将结果与均匀掺杂的SOI MOSFET进行比较。结果表明，这些LAC器件具有更好的特性，具有许多优点。

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来源
《International Workshop on the Physics of Semiconductor Devices》|2002年||共5页
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作者
Najeeb-ud-Din; V. Ramgopal Rao; J. Vasi;
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中图分类 N-532;
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