绝缘体上硅MOSFET的特性

摘要

本文介绍了绝缘物上硅(SOI)MOS晶体管预计具有的一些特性。简单的定性模型分析结果表明,如果采用全耗尽薄膜,可以改善各种参数,如亚阈值斜率、热电子效应和短沟道效应。