首页>外文会议>Electron Devices Meeting, 2003. IEDM '03 Technical Digest. IEEE International

Electron Devices Meeting, 2003. IEDM '03 Technical Digest. IEEE International

召开年：2003
召开地：
出版时间：-

会议文集：-

会议论文

热门论文

全部论文

全选（0）

1.Layer design for GaAs-based DHBTs enabling 28 V high-power microwave applications

机译：基于GaAs的DHBT的层设计，可实现28 V大功率微波应用
- 作者：Maassdorf A.;Kurpas P.;Doser W.;Brunner F.;Bergunde T.;Blanck H.;Wurfl J.;Weyers M.;Trankle G.
- 会议名称：《Electron Devices Meeting, 2003. IEDM '03 Technical Digest. IEEE International》 | 2003年
2.Locally strained ultra-thin channel 25nm narrow FDSOI devices with metal gate and mesa isolation

机译：具有金属栅极和台面隔离功能的局部应变超薄通道25nm窄FDSOI器件
- 作者：Krivokapic Z.;Moroz V.;Maszara W.;Lin M.-R.
- 会议名称：《Electron Devices Meeting, 2003. IEDM '03 Technical Digest. IEEE International》 | 2003年
3.Low voltage, scalable nanocrystal flash memory fabricated by templated self assembly

机译：通过模板自组装制造的低压可扩展纳米晶体闪存
- 作者：Guarini K.W.;Black C.T.;Zhang Y.;Babich I.V.;Sikorski E.M.;Gignac L.M.
- 会议名称：《Electron Devices Meeting, 2003. IEDM '03 Technical Digest. IEEE International》 | 2003年
4.Low-pressure CMP for 300-mm ultra low-k (k=1.6-1.8)/Cu integration

机译：用于300mm超低k（k = 1.6-1.8）/ Cu集成的低压CMP
- 作者：Kondo S.;Yoon B.U.;Tokitoh S.;Misawa K.;Sone S.;Shin H.J.;Ohashi N.;Kobayashi N.
- 会议名称：《Electron Devices Meeting, 2003. IEDM '03 Technical Digest. IEEE International》 | 2003年
5.Modeling metal dishing for interconnect optimization

机译：建模金属凹陷以优化互连
- 作者：Runzi Chang;Yu Cao;Spanos C.J.
- 会议名称：《Electron Devices Meeting, 2003. IEDM '03 Technical Digest. IEEE International》 | 2003年
6.Monolithic vertical integration of Si/SiGe HBT and Si-based resonant interband tunneling diode demonstrating latching operation and adjustable peak-to-valley current ratios

机译：Si / SiGe HBT和基于Si的谐振带间隧穿二极管的单片垂直集成展示了锁存操作和可调节的峰谷电流比
- 作者：Sung-Yong Chung;Niu Jin;Ronghua Yu;Berger P.R.;Thompson P.E.;Lake R.;Rommel S.L.;Kurinec S.K.
- 会议名称：《Electron Devices Meeting, 2003. IEDM '03 Technical Digest. IEEE International》 | 2003年
7.MRAM with lamellar structure as free layer

机译：具有层状结构的MRAM作为自由层
- 作者：Baek I.G.;Lee J.E.;Kim H.-J.;Ha Y.K.;Bae J.S.;Oh S.C.;Park S.O.;Chung U.-I.;Lee N.I.;Kang H.K.;Moon J.T.
- 会议名称：《Electron Devices Meeting, 2003. IEDM '03 Technical Digest. IEEE International》 | 2003年
8.Narrow-channel-MOSFET having Si-dots for high-rate generation of random numbers

机译：具有硅点的窄通道MOSFET，可高速生成随机数
- 作者：Ohba R.;Yasuda S.;Tanamoto T.;Uchida K.;Fujita S.
- 会议名称：《Electron Devices Meeting, 2003. IEDM '03 Technical Digest. IEEE International》 | 2003年
9.NBTI impact on transistor and circuit: models, mechanisms and scaling effects MOSFETs

机译：NBTI对晶体管和电路的影响：模型，机制和缩放效应MOSFETs
- 作者：Krishnan A.T.;Reddy V.;Chakravarthi S.;Rodriguez J.;John S.;Krishnan S.
- 会议名称：《Electron Devices Meeting, 2003. IEDM '03 Technical Digest. IEEE International》 | 2003年
10.New compact model for induced gate current noise MOSFET

机译：用于感应栅极电流噪声的新型紧凑模型MOSFET
- 作者：van Langevelde R.;Paasschens J.C.J.;Scholten A.J.;Havens R.J.;Tiemeijer L.F.;Klaassen D.B.M.
- 会议名称：《Electron Devices Meeting, 2003. IEDM '03 Technical Digest. IEEE International》 | 2003年
11.New method for temperature-dependent thermal resistance and capacitance accurate extraction in high-voltage DMOS transistors

机译：高压DMOS晶体管中与温度有关的热阻和电容精确提取的新方法
- 作者：Anghel C.;Hefyene N.;Gillon R.;Tack M.;Declercq M.J.;Ionescu A.M.
- 会议名称：《Electron Devices Meeting, 2003. IEDM '03 Technical Digest. IEEE International》 | 2003年
12.New non-volatile memory with extremely high density metal nano-dots

机译：具有超高密度金属纳米点的新型非易失性存储器
- 作者：Takata M.;Kondoh S.;Sakaguchi T.;Choi H.;Shim J.-C.;Kurino H.;Koyanagi M.
- 会议名称：《Electron Devices Meeting, 2003. IEDM '03 Technical Digest. IEEE International》 | 2003年
13.Nitrogen profile control by plasma nitridation technique for poly-Si gate HfSiON CMOSFET with excellent interface property and ultra-low leakage current

机译：通过等离子氮化技术控制具有优异界面性能和超低漏电流的多晶硅栅极HfSiON CMOSFET的氮分布
- 作者：Sekine K.;Inumiya S.;Sato M.;Kaneko A.;Eguchi K.;Tsunashima Y.
- 会议名称：《Electron Devices Meeting, 2003. IEDM '03 Technical Digest. IEEE International》 | 2003年
14.Noble FeRAM technologies with MTP cell structure and BLT ferroelectric capacitors

机译：具有MTP单元结构和BLT铁电电容器的Noble FeRAM技术
- 作者：Oh S.-H.;Hong S.-K.;Noh K.-H.;Kweon S.-Y.;Kim N.-K.;Yang Y.-H.;Kim J.-G.;Seong J.-Y.;Jang I.-W.;Park S.-H.;Bang K.-H.;Lee K.-N.;Jeong H.-J.;Son J.-H.;Lee S.-S.;Choi E.-S.;Sun H.-J.;Yeom S.-J.;Ban K.-D.;Park J.-W.;Park G.-D.;Song S.-Y.;Shin J.-H.;Lee S.-I.;Park Y.-J.
- 会议名称：《Electron Devices Meeting, 2003. IEDM '03 Technical Digest. IEEE International》 | 2003年
15.Novel cell structure of PRAM with thin metal layer inserted GeSbTe

机译：插入有金属薄层的GeSbTe PRAM的新型单元结构
- 作者：Yi J.H.;Ha Y.H.;Park J.H.;Kuh B.J.;Horii H.;Kim Y.T.;Park S.O.;Hwang Y.N.;Lee S.H.;Ahn S.J.;Lee S.Y.;Hong J.S.;Lee K.H.;Lee N.I.;Kang H.K.;U-In Chung;Moon J.T.
- 会议名称：《Electron Devices Meeting, 2003. IEDM '03 Technical Digest. IEEE International》 | 2003年
16.Novel self-assembled ultra-low-k porous silica films with high mechanical strength for 45 nm BEOL technology

机译：用于45 nm BEOL技术的具有高机械强度的新型自组装超低k多孔二氧化硅薄膜
- 作者：Oku Y.;Yamada K.;Goto T.;Seino Y.;Ishikawa A.;Ogatal T.;Kohmura K.;Fujii N.;Hata N.;Ichikawa R.;Yoshino T.;Negoro C.;Nakano A.;Sonoda Y.;Takada S.;Miyoshi H.;Oike S.;Tanaka H.;Matsuo H.;Kinoshita K.;Kikkawa T.
- 会议名称：《Electron Devices Meeting, 2003. IEDM '03 Technical Digest. IEEE International》 | 2003年
17.Operational and reliability comparison of discrete-storage nonvolatile memories: advantages of single- and double-layer metal nanocrystals

机译：离散存储非易失性存储器的操作和可靠性比较：单层和双层金属纳米晶体的优势
- 作者：Chungho Lee;Gorur-Seetharam A.;Kan E.C.
- 会议名称：《Electron Devices Meeting, 2003. IEDM '03 Technical Digest. IEEE International》 | 2003年
18.Organic materials for high-density non-volatile memory applications

机译：高密度非易失性存储应用的有机材料
- 作者：Sezi R.;Walter A.;Engl R.;Maltenberger A.;Schumann J.;Kund M.;Dehm C.
- 会议名称：《Electron Devices Meeting, 2003. IEDM '03 Technical Digest. IEEE International》 | 2003年
19.Organic semiconductor RFID transponders

机译：有机半导体RFID应答器
- 作者：Baude P.F.;Ender D.A.;Kelley T.W.;Haase M.A.;Muyres D.V.;Theiss S.D.
- 会议名称：《Electron Devices Meeting, 2003. IEDM '03 Technical Digest. IEEE International》 | 2003年
20.Physical insights on design and modeling of nanoscale FinFETs

机译：对纳米级FinFET设计和建模的物理见解
- 作者：Fossum J.G.;Chowdhury M.M.;Trivedi V.P.;King T.-J.;Choi Y.-K.;An J.;Yu B.
- 会议名称：《Electron Devices Meeting, 2003. IEDM '03 Technical Digest. IEEE International》 | 2003年
21.Physical mechanism for high hole mobility in 110-surface strained- and unstrained-MOSFETs

机译：110表面应变和非应变MOSFET高空穴迁移率的物理机制
- 作者：Mizuno T.;Sugiyama N.;Tezuka T.;Moriyama Y.;Nakaharai S.;Maeda T.;Takagi S.
- 会议名称：《Electron Devices Meeting, 2003. IEDM '03 Technical Digest. IEEE International》 | 2003年
22.Predictive spiral inductor compact model for frequency and time domain

机译：频域和时域的预测螺旋电感器紧凑模型
- 作者：Tiemeijer L.F.;Havens R.J.;de Kort R.;Bouttement Y.;Deixler P.;Ryczek M.
- 会议名称：《Electron Devices Meeting, 2003. IEDM '03 Technical Digest. IEEE International》 | 2003年
23.Process roadmap and challenges for metal barriers copper interconnects

机译：金属阻挡层的工艺路线图和挑战铜互连
- 作者：Moon P.;Dubin V.;Johnston S.;Leu J.;Raol K.;Wu C.
- 会议名称：《Electron Devices Meeting, 2003. IEDM '03 Technical Digest. IEEE International》 | 2003年
24.Process-strained Si (PSS) CMOS technology featuring 3D strain engineering

机译：具有3D应变工程的工艺应变Si（PSS）CMOS技术
- 作者：Ge C.-H.;Lin C.-C.;Ko C.-H.;Huang C.-C.;Huang Y.-C.;Chan B.-W.;Perng B.-C.;Sheu C.-C.;Tsai P.-Y.;Yao L.-G.;Wu C.-L.;Lee T.-L.;Chen C.-J.;Wang C.-T.;Lin S.-C.;Yeo Y.-C.;Hu C.
- 会议名称：《Electron Devices Meeting, 2003. IEDM '03 Technical Digest. IEEE International》 | 2003年
25.Quantitative assessment of mobility degradation by remote Coulomb scattering in ultra-thin oxide MOSFETs: measurements and simulations

机译：在超薄氧化物MOSFET中通过远程库仑散射对迁移率降低进行定量评估：测量和模拟
- 作者：Lucci L.;Esseni D.;Loo J.;Ponomarev Y.;Selmi L.;Abramo A.;Sangiorgi E.
- 会议名称：《Electron Devices Meeting, 2003. IEDM '03 Technical Digest. IEEE International》 | 2003年
26.Recent progress in FET-type ferroelectric memories

机译：FET型铁电存储器的最新进展
- 作者：Ishiwara H.
- 会议名称：《Electron Devices Meeting, 2003. IEDM '03 Technical Digest. IEEE International》 | 2003年
27.Record efficiency and gain at 2.1 GHz of high power RF transistors for cellular and 3G base stations

机译：记录蜂窝和3G基站大功率RF晶体管在2.1 GHz时的效率和增益
- 作者：Brech H.;Brakensiek W.;Burdeaux D.;Burger W.;Dragon C.;Formicone G.;Pryor B.;Rice D.
- 会议名称：《Electron Devices Meeting, 2003. IEDM '03 Technical Digest. IEEE International》 | 2003年
28.Reemergence of the surface-potential-based compact MOSFET models

机译：基于表面电势的紧凑型MOSFET模型的再现
- 作者：Gildenblat G.;Cai X.;Chen T.-L.;Gu X.;Wang H.
- 会议名称：《Electron Devices Meeting, 2003. IEDM '03 Technical Digest. IEEE International》 | 2003年
29.Re-investigation of MOS inversion layer mobility from non-universality and possible new scattering mechanism aspects

机译：从非通用性和可能的新散射机制方面对MOS反转层迁移率进行重新研究
- 作者：Irie H.;Kita K.;Kyuno K.;Toriumi A.
- 会议名称：《Electron Devices Meeting, 2003. IEDM '03 Technical Digest. IEEE International》 | 2003年
30.Reliability study of CMOS FinFETs

机译：CMOS FinFET的可靠性研究
- 作者：Yang-Kyu Choi;Daewon Ha;Snow E.;Bokor J.;Tsu-Jae King
- 会议名称：《Electron Devices Meeting, 2003. IEDM '03 Technical Digest. IEEE International》 | 2003年
31.Room-temperature operation of highly functional single-electron transistor logic based on quantum mechanical effect in ultra-small silicon dot

机译：基于超小硅点量子力学效应的高性能单电子晶体管逻辑的室温操作
- 作者：Saitoh M.;Hiramoto T.
- 会议名称：《Electron Devices Meeting, 2003. IEDM '03 Technical Digest. IEEE International》 | 2003年
32.Scalability of strained silicon CMOSFET and high drive current enhancement in the 40 nm gate length technology

机译：40 nm栅极长度技术中的应变硅CMOSFET可扩展性和高驱动电流增强
- 作者：Sanuki T.;Oishi A.;Morimasa Y.;Aota S.;Kinoshita T.;Hasumi R.;Takegawa Y.;Isobe K.;Yoshimura H.;Iwai M.;Sunouchi K.;Noguchi T.
- 会议名称：《Electron Devices Meeting, 2003. IEDM '03 Technical Digest. IEEE International》 | 2003年
33.Scaled 2bit/cell SONOS type nonvolatile memory technology for sub-90nm embedded application using SiN sidewall trapping structure

机译：使用SiN侧壁陷获结构的90nm以下嵌入式应用的按比例缩放的2bit /单元SONOS型非易失性存储技术
- 作者：Fukuda M.;Nakanishi T.;Nara Y.
- 会议名称：《Electron Devices Meeting, 2003. IEDM '03 Technical Digest. IEEE International》 | 2003年
34.Scaling analysis of phase-change memory technology

机译：相变存储技术的规模分析
- 作者：Pirovano A.;Lacaita A.L.;Benvenuti A.;Pellizzer F.;Hudgens S.;Bez R.
- 会议名称：《Electron Devices Meeting, 2003. IEDM '03 Technical Digest. IEEE International》 | 2003年
35.Self-limiting laser thermal process for ultra-shallow junction formation of 50-nm gate CMOS

机译：自限制激光热工艺可形成50nm栅极CMOS的超浅结
- 作者：Shima A.;Ashihara H.;Mine T.;Goto Y.;Horiuchi M.;Wang Y.;Talwar S.;Hiraiwa A.
- 会议名称：《Electron Devices Meeting, 2003. IEDM '03 Technical Digest. IEEE International》 | 2003年
36.Series-resonant micromechanical resonator oscillator

机译：串联谐振微机械谐振器
- 作者：Yu-Wei Lin;Seungbae Lee;Zeying Ren;Nguyen C.T.C.
- 会议名称：《Electron Devices Meeting, 2003. IEDM '03 Technical Digest. IEEE International》 | 2003年
37.SiGe HBT and BiCMOS technologies

机译：SiGe HBT和BiCMOS技术
- 作者：Washio K.
- 会议名称：《Electron Devices Meeting, 2003. IEDM '03 Technical Digest. IEEE International》 | 2003年
38.SiGe:C BiCMOS technology with 3.6 ps gate delay

机译：具有3.6 ps栅极延迟的SiGe：C BiCMOS技术
- 作者：Rucker H.;Heinemann B.;Barth R.;Bolze D.;Drews J.;Haak U.;Hoppner W.;Knoll D.;Kopke K.;Marschmeyer S.;Richter H.H.;Schley P.;Schmidt D.;Scholz R.;Tillack B.;Winkler W.;Wulf H.-E.;Yamamoto Y.
- 会议名称：《Electron Devices Meeting, 2003. IEDM '03 Technical Digest. IEEE International》 | 2003年
39.Static noise margin of the full DG-CMOS SRAM cell using bulk FinFETs (Omega MOSFETs)

机译：使用批量FinFET（Omega MOSFET）的整个DG-CMOS SRAM单元的静态噪声容限
- 作者：Park T.;Cho H.J.;Choe J.D.;Han S.Y.;Jung S.-M.;Jeong J.H.;Nam B.Y.;Kwon O.I.;Han J.N.;Kang H.S.;Chae M.C.;Yeo G.S.;Lee S.W.;Lee D.Y.;Park D.;Kim K.;Yoon E.;Lee J.H.
- 会议名称：《Electron Devices Meeting, 2003. IEDM '03 Technical Digest. IEEE International》 | 2003年
40.Statistical simulations to inspect and predict data retention and program disturbs in flash memories

机译：统计模拟，以检查和预测闪存中的数据保留和程序干扰
- 作者：Larcher L.;Pavan P.
- 会议名称：《Electron Devices Meeting, 2003. IEDM '03 Technical Digest. IEEE International》 | 2003年
41.Substrate transfer: enabling technology for RF applications

机译：基板转移：射频应用的使能技术
- 作者：Dekker R.;Dessein K.;Fock J.-H.;Gakis A.;Jonville C.;Kuijken O.M.;Michielsen T.M.;Mijlemans P.;Pohlmann H.;Schnitt W.;Timmering C.E.;Tombeur A.M.H.
- 会议名称：《Electron Devices Meeting, 2003. IEDM '03 Technical Digest. IEEE International》 | 2003年
42.Substrate-strained silicon technology: process integration CMOS technology

机译：衬底应变硅技术：工艺集成CMOS技术
- 作者：Wang H.C.-H.;Wang Y.-P.;Chen S.-J.;Ge C.-H.;Ting S.M.;Kung J.-Y.;Hwang R.-L.;Chiu H.-K.;Sheu L.C.;Tsai P.-Y.;Yao L.-G.;Chen S.-C.;Tao H.-J.;Yeo Y.-C.;Lee W.-C.;Hu C.
- 会议名称：《Electron Devices Meeting, 2003. IEDM '03 Technical Digest. IEEE International》 | 2003年
43.Technology scaling effects on the ESD design parameters in sub-100 nm CMOS transistors

机译：技术缩放对低于100 nm CMOS晶体管中ESD设计参数的影响
- 作者：Boselli G.;Rodriguez J.;Duvvury C.;Reddy V.;Chidambaram P.R.;Hornung B.
- 会议名称：《Electron Devices Meeting, 2003. IEDM '03 Technical Digest. IEEE International》 | 2003年
44.The impact of substrate surface potential on the performance of RF power LDMOSFETs on high-resistivity SOI

机译：衬底表面电势对高阻SOI上RF功率LDMOSFET的性能的影响
- 作者：Scholvin J.;Fiorenza J.G.;del Alamo J.A.
- 会议名称：《Electron Devices Meeting, 2003. IEDM '03 Technical Digest. IEEE International》 | 2003年
45.The integration of proton bombardment process into the manufacturing of mixed-signal/RF chips

机译：将质子轰击过程集成到混合信号/ RF芯片的制造中
- 作者：Tang D.D.;Lin W.C.;Lai L.S.;Wang C.H.;Lee L.P.;Hsu H.M.;Wu C.M.;Chang C.W.;Lien W.Y.;Chao C.P.;Lee C.Y.;Chern G.J.;Guo J.C.;Chang C.S.;Sun Y.C.;Du D.S.;Lan K.C.;Lin L.F.
- 会议名称：《Electron Devices Meeting, 2003. IEDM '03 Technical Digest. IEEE International》 | 2003年
46.Thermal analysis of ultra-thin body device scaling SOI and FinFet devices

机译：超薄体设备结垢的热分析SOI和FinFet设备
- 作者：Pop E.;Dutton R.;Goodson K.
- 会议名称：《Electron Devices Meeting, 2003. IEDM '03 Technical Digest. IEEE International》 | 2003年
47.Thin oxynitride solution for digital and mixed-signal 65nm CMOS platform

机译：用于数字和混合信号65nm CMOS平台的薄氮氧化物解决方案
- 作者：Tavel B.;Bidaud M.;Emonet N.;Barge D.;Planes N.;Brut H.;Roy D.;Vildeuil J.C.;Difrenza R.;Rochereau K.;Denais M.;Huard V.;Llinares P.;Bruyere S.;Parthasarthy C.;Revil N.;Pantel R.;Guyader F.;Vishnubotla L.;Barla K.;Arnaud F.;Stolk P.;Woo M.
- 会议名称：《Electron Devices Meeting, 2003. IEDM '03 Technical Digest. IEEE International》 | 2003年
48.Threshold voltage control in NiSi-gated MOSFETs through silicidation induced impurity segregation (SIIS)

机译：通过硅化引起的杂质隔离（SIIS）来控制NiSi门控MOSFET中的阈值电压
- 作者：Kedzierski J.;Boyd D.;Ronsheim P.;Zafar S.;Newbury J.;Ott J.;Cabral C. Jr.;Ieong M.;Haensch W.
- 会议名称：《Electron Devices Meeting, 2003. IEDM '03 Technical Digest. IEEE International》 | 2003年
49.Towards microscopic understanding of MOSFET reliability: the role of carrier energy and transport simulations

机译：对MOSFET可靠性的微观理解：载流子能量和传输模拟的作用
- 作者：Selmi L.;Esseni D.;Palestri P.
- 会议名称：《Electron Devices Meeting, 2003. IEDM '03 Technical Digest. IEEE International》 | 2003年
50.Tunnel current measurements on P/N junction diodes and implications for future device design

机译：P / N结二极管上的隧道电流测量及其对未来器件设计的影响
- 作者：Solomon P.M.;Frank D.J.;Jopling J.;DEmic C.;Dokumaci O.;Ronsheim P.;Haensch W.E.
- 会议名称：《Electron Devices Meeting, 2003. IEDM '03 Technical Digest. IEEE International》 | 2003年
51.UHF micromechanical extensional wine-glass mode ring resonators

机译：UHF微机械拉伸酒杯模式环形谐振器
- 作者：Yuan Xie;Sheng-Shian Li;Yu-Wei Lin;Zeying Ren;Nguyen C.T.C.
- 会议名称：《Electron Devices Meeting, 2003. IEDM '03 Technical Digest. IEEE International》 | 2003年
52.Ultra-low thermal budget CMOS process for 65nm-node low-operation-power applications

机译：适用于65nm节点低工作功率应用的超低热预算CMOS工艺
- 作者：Ootsuka F.;Ozaki H.;Sasaki T.;Yamashita K.;Takada H.;Izumi N.;Nakagawa Y.;Hayashi M.;Kiyono K.;Yasuhira M.;Arikado T.
- 会议名称：《Electron Devices Meeting, 2003. IEDM '03 Technical Digest. IEEE International》 | 2003年
53.Universal recovery behavior of negative bias temperature instability PMOSFETs

机译：负偏置温度不稳定性的通用恢复行为PMOSFETs
- 作者：Rangan S.;Mielke N.;Yeh E.C.C.
- 会议名称：《Electron Devices Meeting, 2003. IEDM '03 Technical Digest. IEEE International》 | 2003年
54.Vertical multi-RESURF MOSFETs exhibiting record low specific resistance

机译：垂直多RESURF MOSFET表现出创纪录的低电阻率
- 作者：van Dalen R.;Rochefort C.
- 会议名称：《Electron Devices Meeting, 2003. IEDM '03 Technical Digest. IEEE International》 | 2003年
55.Wafer scale biomolecule grafting: the first step for low cost, high throughput active biochip manufacturing

机译：晶圆级生物分子移植：低成本，高通量活性生物芯片制造的第一步
- 作者：Caillat P.;Cuzin M.;Hofmeister A.
- 会议名称：《Electron Devices Meeting, 2003. IEDM '03 Technical Digest. IEEE International》 | 2003年
56.Writing current reduction for high-density phase-change RAM

机译：高密度相变RAM的写入电流降低
- 作者：Hwang Y.N.;Lee S.H.;Ahn S.J.;Lee S.Y.;Ryoo K.C.;Hong H.S.;Koo H.C.;Yeung F.;Oh J.H.;Kim H.J.;Jeong W.C.;Park J.H.;Horii H.;Ha Y.H.;Yi J.H.;Koh G.H.;Jeong G.T.;Jeong H.S.;Kinam Kim
- 会议名称：《Electron Devices Meeting, 2003. IEDM '03 Technical Digest. IEEE International》 | 2003年
57.2D QM simulation and optimization of decanano non-overlapped MOS devices

机译：decanano不重叠MOS器件的2D QM模拟和优化
- 作者：Gusmeroli R.;Spinelli A.S.;Pirovano A.;Lacaita A.L.;Boeuf F.;Skotnicki T.
- 会议名称：《Electron Devices Meeting, 2003. IEDM '03 Technical Digest. IEEE International》 | 2003年
58.Atomistic 3D process/device simulation considering gate line-edge roughness and poly-Si random crystal orientation effects MOSFETs

机译：考虑栅极线边缘粗糙度和多晶硅随机晶体取向效应的原子3D工艺/器件仿真MOSFETs
- 作者：Hane M.;Ikezawa T.;Ezaki T.
- 会议名称：《Electron Devices Meeting, 2003. IEDM '03 Technical Digest. IEEE International》 | 2003年
59.Atomistic tight-binding calculations for the investigation of transport in extremely scaled SOI transistors

机译：原子紧密结合计算，用于研究超大规模SOI晶体管中的传输
- 作者：Stadele M.;Di Carlo A.;Lugli P.;Sacconi F.;Tuttle B.
- 会议名称：《Electron Devices Meeting, 2003. IEDM '03 Technical Digest. IEEE International》 | 2003年
60.Breakdown voltage limitations, impact ionization, and interband tunneling in InP/GaAsSb/InP type-II NpN DHBTs

机译：InP / GaAsSb / InP II型NpN DHBT中的击穿电压限制，碰撞电离和带间隧穿
- 作者：Bolognesi C.R.;Watkins S.P.;Moll N.
- 会议名称：《Electron Devices Meeting, 2003. IEDM '03 Technical Digest. IEEE International》 | 2003年
61.Characterization of multi-bit soft error events in advanced SRAMs

机译：先进SRAM中多位软错误事件的表征
- 作者：Maiz J.;Hareland S.;Zhang K.;Armstrong P.
- 会议名称：《Electron Devices Meeting, 2003. IEDM '03 Technical Digest. IEEE International》 | 2003年
62.Compatibility of dual metal gate electrodes with high-k dielectrics for CMOS

机译：具有高k电介质的双金属栅电极与CMOS的兼容性
- 作者：JaeHoon Lee;You-Seok Suh;Lazar H.;Jha R.;Gurganus J.;Yanxia Lin;Misra V.
- 会议名称：《Electron Devices Meeting, 2003. IEDM '03 Technical Digest. IEEE International》 | 2003年
63.Device design considerations for ultra-thin SOI MOSFETs

机译：超薄SOI MOSFET的器件设计注意事项
- 作者：Doris B.;Ieong M.;Zhu T.;Zhang Y.;Steen M.;Natzle W.;Callegari S.;Narayanan V.;Cai J.;Ku S.H.;Jamison P.;Li Y.;Ren Z.;Ku V.;Boyd T.;Kanarsky T.;DEmic C.;Newport M.;Dobuzinsky D.;Deshpande S.;Petrus J.;Jammy R.;Haensch W.
- 会议名称：《Electron Devices Meeting, 2003. IEDM '03 Technical Digest. IEEE International》 | 2003年
64.Device physics at the scaling limit: what matters? MOSFETs

机译：设备物理处于缩放极限：什么重要？ MOSFETs
- 作者：Lundstrom M.
- 会议名称：《Electron Devices Meeting, 2003. IEDM '03 Technical Digest. IEEE International》 | 2003年
65.Drastically reduced dark current by pulse-time-modulated plasma for precise micro lens fabrication in highly sensitive CCD image sensor

机译：脉冲时间调制等离子体极大地降低了暗电流，可用于高灵敏度CCD图像传感器中的精密微透镜制造
- 作者：Ishikawa Y.;Okigawa M.;Ichihashi Y.;Samukawa S.
- 会议名称：《Electron Devices Meeting, 2003. IEDM '03 Technical Digest. IEEE International》 | 2003年
66.Fermi level pinning with sub-monolayer MeOx and metal gates MOSFETs

机译：亚单层MeOx和金属栅极MOSFET的费米能级钉扎
- 作者：Samavedam S.B.;La L.B.;Tobin P.J.;White B.;Hobbs C.;Fonseca L.R.C.;Demkov A.A.;Schaeffer J.;Luckowski E.;Martinez A.;Raymond M.;Triyoso D.;Roan D.;Dhandapani V.;Garcia R.;Anderson S.G.H.;Moore K.;Tseng H.H.;Capasso C.;Adetutu O.;Gilmer D.C.;Taylor W.J.;Hegde R.;Grant J.
- 会议名称：《Electron Devices Meeting, 2003. IEDM '03 Technical Digest. IEEE International》 | 2003年
67.Fluorine implantation impact in extension region on the electrical performance of sub-50nm P-MOSFETs

机译：扩展区中的氟注入对50nm以下P-MOSFET的电性能产生影响
- 作者：Fukutome H.;Momiyama Y.;Nakao H.;Aoyama T.;Arimoto H.
- 会议名称：《Electron Devices Meeting, 2003. IEDM '03 Technical Digest. IEEE International》 | 2003年
68.Fully compatible integration of high density embedded DRAM with 65nm CMOS technology (CMOS5)

机译：与65nm CMOS技术（CMOS5）完全兼容的高密度嵌入式DRAM集成
- 作者：Matsubara Y.;Habu M.;Matsuda S.;Honda K.;Morifuji E.;Yoshida T.;Kokubun K.;Yasumoto K.;Sakurai T.;Suzuki T.;Yoshikawa J.;Takahashi E.;Hiyama K.;Kanda M.;Ishizuka R.;Moriuchi M.;Koga H.;Fukuzaki Y.;Sogo Y.;Takahashi H.;Nagashima N.;Okamoto Y.;Yamada S.;Noguchi T.
- 会议名称：《Electron Devices Meeting, 2003. IEDM '03 Technical Digest. IEEE International》 | 2003年
69.High-k dielectrics and MOSFET characteristics

机译：高k电介质和MOSFET特性
- 作者：Lee J.C.;Cho H.J.;Kang C.S.;Rhee S.;Kim Y.H.;Choi R.;Kang C.Y.;Choi C.;Abkar M.
- 会议名称：《Electron Devices Meeting, 2003. IEDM '03 Technical Digest. IEEE International》 | 2003年
70.How far will silicon nanocrystals push the scaling limits of NVMs technologies?

机译：硅纳米晶体将推动NVM技术的扩展极限到什么程度？
- 作者：De Salvo B.;Gerardi C.;Lombardo S.;Baron T.;Perniola L.;Mariolle D.;Mur P.;Toffoli A.;Gely M.;Semeria M.N.;Deleonibus S.;Ammendola G.;Ancarani V.;Melanotte M.;Bez R.;Baldi L.;Corso D.;Crupi I.;Puglisi R.A.;Nicotra G.;Rimini E.;Mazen F.;Ghibaudo G.;Pananakakis G.;Compagnoni C.M.;Ielmini D.;Lacaita A.;Spinelli A.;Wan Y.M.;van der Jeugd K.
- 会议名称：《Electron Devices Meeting, 2003. IEDM '03 Technical Digest. IEEE International》 | 2003年
71.Hybrid silicon/molecular memories: co-engineering for novel functionality

机译：混合硅/分子存储器：共同设计新功能
- 作者：Gowda S.;Mathur G.;Qihang Li;Surthi S.;Qian Zhao;Lindsey J.S.;Mobley K.;Bocian D.F.;Misra V.
- 会议名称：《Electron Devices Meeting, 2003. IEDM '03 Technical Digest. IEEE International》 | 2003年
72.Improvement of NBTI and electrical characteristics by ozone pre-treatment and PBTI issues in HfAlO(N) high-k gate dielectrics

机译：通过HfAlO（N）高k栅极电介质中的臭氧预处理和PBTI问题改善NBTI和电特性
- 作者：Seok Joo Doh;Hyung-Suk Jung;Yun-Seok Kim;Ha-Jin Lim;Jong Pyo Kim;Jung Hyoung Lee;Jong-Ho Lee;Nae-In Lee;Ho-Kyu Kan;Kwang-Pyuk Suh;Seong Geon Park;Sang Bom Kang;Gil Heyun Choi;Young-Su Chung;Hion-Suck Baikz;Hdyo-Sik Chang;Mann-Ho Cho;Dae-Won Moon;Hong Bae Park;Moonju Cho;Cheol Seong Hwang
- 会议名称：《Electron Devices Meeting, 2003. IEDM '03 Technical Digest. IEEE International》 | 2003年
73.Integration and reliability issues of Cu/SiOC interconnect for ArF/90 nm node SoC manufacturing

机译：用于ArF / 90 nm节点SoC制造的Cu / SiOC互连的集成和可靠性问题
- 作者：Noguchi J.;Oshima T.;Tanaka U.;Sasajima K.;Aoki H.;Sato K.;Ishikawa K.;Saito T.;Konishi N.;Hotta S.;Uno S.;Kikushima K.
- 会议名称：《Electron Devices Meeting, 2003. IEDM '03 Technical Digest. IEEE International》 | 2003年
74.Investigation of performance limits of germanium double-gated MOSFETs

机译：锗双栅MOSFET的性能极限研究
- 作者：Low T.;Hou Y.T.;Li M.F.;Chunxiang Zhu;Chin A.;Samudra G.;Chan L.;Kwong D.-L.
- 会议名称：《Electron Devices Meeting, 2003. IEDM '03 Technical Digest. IEEE International》 | 2003年
75.Issues in NiSi-gated FDSOI device integration

机译：NiSi门控FDSOI设备集成中的问题
- 作者：Kedzierski J.;Boyd D.;Ying Zhang;Steen M.;Jamin F.F.;Benedict J.;Meikei Ieong;Haensch W.
- 会议名称：《Electron Devices Meeting, 2003. IEDM '03 Technical Digest. IEEE International》 | 2003年
76.Optimized strained Si/strained Ge dual-channel heterostructures for high mobility P- and N-MOSFETs

机译：针对高迁移率P和N-MOSFET的优化应变Si /应变Ge双通道异质结构
- 作者：Lee M.L.;Fitzgerald E.A.
- 会议名称：《Electron Devices Meeting, 2003. IEDM '03 Technical Digest. IEEE International》 | 2003年
77.Program/erase dynamics and channel conduction in nanocrystal memories

机译：纳米晶体存储器中的编程/擦除动力学和通道传导
- 作者：Monzio Compagnoni C.;Ielmini D.;Spinelli A.S.;Lacaita A.L.;Gerardi C.;Perniola L.;De Salvo B.;Lombardo S.
- 会议名称：《Electron Devices Meeting, 2003. IEDM '03 Technical Digest. IEEE International》 | 2003年
78.Reliability issues for high-k gate dielectrics

机译：高k栅极电介质的可靠性问题
- 作者：Oates A.S.
- 会议名称：《Electron Devices Meeting, 2003. IEDM '03 Technical Digest. IEEE International》 | 2003年
79.Reliability models of data retention and read-disturb in 2-bit nitride storage flash memory cells

机译：2位氮化物存储闪存单元中数据保留和读取干扰的可靠性模型
- 作者：Wang T.;Tsai W.J.;Gu S.H.;Chan C.T.;Yeh C.C.;Zous N.K.;Lu T.C.;Pan S.;Lu C.Y.
- 会议名称：《Electron Devices Meeting, 2003. IEDM '03 Technical Digest. IEEE International》 | 2003年
80.RF passive devices on Si with excellent performance close to ideal devices designed by electro-magnetic simulation

机译：Si上的射频无源器件，具有出色的性能，接近通过电磁仿真设计的理想器件
- 作者：Chin A.;Chan K.T.;Huang C.H.;Chen C.;Liang V.;Chen J.K.;Chien S.C.;Sun S.W.;Duh D.S.;Lin W.J.;Chunxiang Zhu;Li M.F.;McAlister S.P.;Dim-Lee Kwong
- 会议名称：《Electron Devices Meeting, 2003. IEDM '03 Technical Digest. IEEE International》 | 2003年
81.RF performance vulnerability to hot carrier stress and consequent breakdown in low power 90 nm RFCMOS

机译：RF性能容易受到热载流子应力的影响，并因此在低功耗90 nm RFCMOS中击穿
- 作者：Pantisano L.;Schreurs D.;Kaczer B.;Jeamsaksiri W.;Venegas R.;Degraeve R.;Cheung K.P.;Groeseneken G.
- 会议名称：《Electron Devices Meeting, 2003. IEDM '03 Technical Digest. IEEE International》 | 2003年
82.Super-scaled InP HBTs for 150 GHz circuits

机译：适用于150 GHz电路的超大规模InP HBT
- 作者：Zolper J.C.
- 会议名称：《Electron Devices Meeting, 2003. IEDM '03 Technical Digest. IEEE International》 | 2003年
83.Taking SOI substrates and low-k dielectrics into high-volume microprocessor production

机译：将SOI衬底和低k电介质带入大批量微处理器生产
- 作者：Greenlaw D.;Burbach G.;Feudel T.;Feustel F.;Frohberg K.;Graetsch F.;Grasshoff G.;Hartig C.;Heller T.;Hempel K.;Horstmann M.;Huebler P.;Kirsch R.;Kruegel S.;Langer E.;Pawlowitsch A.;Ruelke H.;Schuehrer H.;Stephan R.;Wei A.;Werner T.;Wieczorek K.;Raab M.
- 会议名称：《Electron Devices Meeting, 2003. IEDM '03 Technical Digest. IEEE International》 | 2003年
84.Thousands of microcantilevers for highly parallel and ultra-dense data storage

机译：数千个微悬臂，用于高度并行和超密集数据存储
- 作者：Vettiger P.;Albrecht T.;Despont M.;Drechsler U.;Durig U.;Gotsmann B.;Jubin D.;Haberle W.;Lantz M.A.;Rothuizen H.;Stutz R.;Wiesmann D.;Binnig G.K.;Bachtold P.;Cherubini G.;Hagleitner C.;Loeliger T.;Pantazi A.;Pozidis H.;Eleftheriou E.
- 会议名称：《Electron Devices Meeting, 2003. IEDM '03 Technical Digest. IEEE International》 | 2003年