低导通电阻

摘要： ADI公司的ADG7421F是低电压,双单刀单掷(SPST)低导通电阻开关,在源极引脚上具有过压保护,掉电保护和过压检测功能.当没有电源时,开关保持关闭状态,开关输入为高阻抗.上电时,如果任何一个Sx引脚上的模拟输入信号电平超过VDD或VSS的阈值电压VT,该开关自动关闭,数字FF(故障标志)引脚下降到逻辑低电平,以指示故障.在通电和断电条件下,相对接地电压高达+60 V或-60 V的输入信号电平都将被屏蔽.

摘要： 和传统的硅功率半导体相比,GaN(氮化镓)和SiC(碳化硅)有着更高的电压能力、更快的开关速度、更高的工作温度、更低导通电阻、功率耗散小、能效高等共同的优异的性能,是近几年来新兴的半导体材料。但他们也存在着各自不同的特性,简单来说,GaN的开关速度比SiC快,SiC工作电压比GaN更高。GaN的寄生参数极小,开关速度极高。

摘要： 与传统的硅器件相比,碳化硅(SiC)器件由于拥有低导通电阻特性以及出色的耐高温、高频和耐高压性能,已经成为下一代低损耗半导体可行的候选器件。此外,SiC让设计人员能够减少元器件的使用,从而进一步降低了设计的复杂程度。SiC元器件的低导通电阻特性有助于显著降低设备的能耗,从而有助于设计出能够减少CO_(2)排放量的环保型产品和系统。

摘要： 近期,西安电子科技大学郝跃院士团队张进成教授、周弘教授等在超宽禁带半导体氧化镓功率器件研究方面取得重要进展,研制出一种新型的空穴超注入p-NiO/n-Ga2O3半导体异质结二极管。该结构通过异质结空穴超注入效应,实现了兼具超高耐压和极低导通电阻的氧化镓功率二极管,功率优值高达13.2GW/cm2,是当前氧化镓半导体器件的最高值。与当前产业界火热的第三代半导体GaN和SiC相比,该功率器件在相同耐压情况下具有更低的导通电阻,应用于电能转换领域将实现更低的功耗和更高的转换效率。相关成果以《Ultra-wide bandgap semicon-ductor Ga2O3 power diodes》为题发表于国际期刊《自然·通讯》(Nature Communications)。

摘要： 随着半导体技术的提升,以SiC和GaN为代表第三代半导体材料越来越受到关注。与传统硅工艺相比,Si C和Ga N等宽禁带半导体材料可实现更优的导热性、更高的开关速率、更低导通电阻(RDS)以及更小的器件物理尺寸。很多传统半导体巨头将其视作未来功率器件新战场,近年来纷纷加码该领域,这其中包括领先的碳化硅(SiC)功率半导体制造商United SiC(联合碳化硅)公司。

摘要： 科技部发布“十四五”国家重点研发计划“新型显示与战略性电子材料”重点专项2021年度项目申报指南(征求意见稿),其中涉及到氮化镓的有多个项目。面向大数据中心应用的GaN基高效功率电子材料与器件(共性关键技术)研究内容:研究大尺寸Si衬底上GaN薄膜及其异质结构的大失配外延生长和缺陷/应力控制技术;研究材料中点缺陷、杂质对器件性能的影响规律及其表征方法;研究器件阈值电压漂移机制及栅压摆幅提升技术;研究高耐压、低导通电阻及高可靠性器件设计与产业化制备技术;研究GaN基高压桥式电路及其驱动电路集成技术;研究电压/电流振荡抑制技术和电磁干扰改善技术以及高转化效率电路拓扑,推动GaN基高效功率电子材料与器件在数据中心服务器领域的应用。

摘要： 东芝电子元件及存储装置株式会社近日宣布,推出新款1200V碳化硅(SiC)MOSFET—“TW070J120B”。该产品面向工业应用(包括大容量电源),并开始出货。该功率MOSFET采用碳化硅(SiC)这种新材料,与常规的硅(Si)MOSFET、IGBT产品相比,具有高耐压、高速开关和低导通电阻特性,有利于降低功耗,精简系统。

摘要： 一、前言Si C(碳化硅)是用于功率转换和控制的功率元器件,是半导体界公认的"一种未来的材料"。与传统的Si(硅)元器件相比,Si C(碳化硅)元器件可实现低导通电阻、高速开关、高温工作,应用在电源、汽车、铁路、工业设备和家用消费电子设备等各个领域,实现系统的小型化和节能化。以汽车为例,应用于混合动力汽车和电动汽车上,可大幅降低油耗,扩大驾驶舱空间。用于太阳能发电时,功率损耗可减少约47%,提高功率调节器的效率。这些都有望为地球环境问题的缓解做出巨大贡献。

摘要： 东芝电子元件及存储装置株式会社("东芝")今日宣布,推出新款1200V碳化硅(SiC)MOSFET——"TW070J120B"。该产品面向工业应用(包括大容量电源),并于今日开始出货。该功率MOSFET采用碳化硅(SiC)这种新材料,与常规的硅(Si)MOSFET、IGBT产品相比,具有高耐压、高速开关和低导通电阻特性,有利于降低功耗,精简系统。

摘要： 具有减少的栅极电荷和减小的导通电阻的半导体器件及其制造方法，在一个实施例中，半导体器件包括第一导电类型的半导体材料，在半导体材料中设置第二导电类型的本体区。本体区与JFET区相邻。第一导电类型的源极区设置在本体区中。在半导体材料上设置栅极层，并且在JFET区上具有第一开口，在本体区上具有第二开口。

摘要： 具有减少的栅极电荷和减小的导通电阻的半导体器件及其制造方法，在一个实施例中，半导体器件包括第一导电类型的半导体材料，在半导体材料中设置第二导电类型的本体区。本体区与JFET区相邻。第一导电类型的源极区设置在本体区中。在半导体材料上设置栅极层，并且在JFET区上具有第一开口，在本体区上具有第二开口。

摘要： 本发明属于功率半导体器件技术领域，涉及一种具有低比导通电阻的SiC MOSFET器件，包括形成于N型重掺杂半导体衬底之上的N型半导体漂移区；形成于N型半导体漂移区表面的P阱区和JFET区形成于P阱区表面的P型重掺杂半导体体接触区和N型重掺杂半导体源区；形成于N型重掺杂半导体源区、P阱区和JFET区之上的包括氧化层和多晶硅的平面栅结构。在P型重掺杂半导体体接触区和P阱区侧面引入一个包括绝缘介质和导电材料的侧壁倾斜一定角度且延伸至N型半导体漂移区的沟槽屏蔽栅结构，屏蔽栅与源电极短接；并在沟槽屏蔽栅结构底部和侧面引入P型掺杂区辅助耗尽漂移区，提高漂移区浓度，有利于降低器件比导通电阻，改善器件性能。

摘要： 本发明涉及一种低栅极电荷低导通电阻深沟槽功率MOSFET器件及其制造方法，其元胞沟槽内设有屏蔽栅导电多晶硅体，屏蔽栅导电多晶硅体的两侧设有栅极导电多晶硅，栅极导电多晶硅与元胞沟槽的上部侧壁间设有绝缘栅氧化层；栅极导电多晶硅的下方设有第二屏蔽栅导电多晶硅；屏蔽栅氧化层包覆屏蔽栅导电多晶硅体的下部；元胞沟槽的槽口由绝缘介质层覆盖，元胞沟槽的两侧设有接触孔，绝缘介质层上淀积有金属连线，金属连线与第一导电类型源极区及第二导电类型阱层欧姆接触，且金属连线实现栅极导电多晶硅电性连接、屏蔽栅导电多晶硅体电性连接和第二屏蔽栅导电多晶硅电性连接。本发明导通电阻低，栅漏电荷Qgd小，开关速度快、开关损耗低，工艺简单及成本低廉。

摘要： 本发明属于半导体器件及集成电路技术领域，涉及一种低导通电阻高跨导的p‑GaNHEMT器件。与常规的p‑GN HEMT器件不同的是，本发明的器件buffer层为p型掺杂的缓冲层。由于缓冲层存在自由移动的空穴，2DEG沟道与p型buffer层之间形成等效的寄生电容，使器件栅源间寄生电容增大，从而提升器件的工作电流，也即降低器件的导通电阻。另外由于p型缓冲层的存在，使AlGaN/GaN界面三角势阱变窄，从而提升栅极控制2DEG沟道的能力，也即提升器件的跨导。研究结果表明，相比于传统的p‑GaN HEMT器件，在同等量级击穿电压的条件下，导通电阻能够降低46.1％，跨导峰值提升26.9％。此外，相比于传统的p‑GaN HEMT器件，除去本发明器件的buffer外延层需要p‑型掺杂外，后续器件制备工艺与传统p‑GaN HEMT器件制备工艺完全兼容。

摘要： 本发明涉及一种低栅极电荷低导通电阻深沟槽功率MOSFET器件及其制造方法，其元胞沟槽内设有屏蔽栅导电多晶硅体，屏蔽栅导电多晶硅体的两侧设有栅极导电多晶硅，栅极导电多晶硅与元胞沟槽的上部侧壁间设有绝缘栅氧化层；栅极导电多晶硅的下方设有第二屏蔽栅导电多晶硅；屏蔽栅氧化层包覆屏蔽栅导电多晶硅体的下部；元胞沟槽的槽口由绝缘介质层覆盖，元胞沟槽的两侧设有接触孔，绝缘介质层上淀积有金属连线，金属连线与第一导电类型源极区及第二导电类型阱层欧姆接触，且金属连线实现栅极导电多晶硅电性连接、屏蔽栅导电多晶硅体电性连接和第二屏蔽栅导电多晶硅电性连接。本发明导通电阻低，栅漏电荷Qgd小，开关速度快、开关损耗低，工艺简单及成本低廉。

摘要： 本发明涉及一种带原位氮化硅层的低导通电阻型GaN基器件及制作方法，方法包括：在包括衬底层、成核层、缓冲层、沟道层、插入层、势垒层和GaN帽层的外延基片上利用MOCVD沉积原位氮化硅层；在氮化硅层上刻蚀向下延伸至沟道区的凹槽；在凹槽中生长重掺杂的n+材料；制备源漏金属电极；利用刻蚀工艺去除SiN层上的n+材料；在钝化层上制备凹槽；在凹槽上制备栅电极；进行金属互连。本发明可以明显降低器件的导通电阻。

摘要： 本发明提供一种低导通电阻的超结VDMOS结构，该结构包括：位于第一导电类型半导体漏区上的超结结构；超结结构包括第一导电类型及第二导电类型半导体柱；相邻两第一导电类型及第二导电类型半导体柱的交界面部分区域替换为由异质结形成的横向HEMT结构；HEMT结构包括第一半导体材料柱及第二半导体材料柱。通过在超结区域设置异质结形成HEMT结构，引入二维电子气来进行导电，极大地降低器件导通电阻，通过超结结构的第一导电类型半导体柱与第二导电类型半导体柱之间的电位差来控制HEMT结构的关断，保证在源区与漏区之间的低漏压下，二维电子气可存在于异质结表面，有效减低器件的导通电阻；在源区与漏区之间的高漏压下，二维电子气耗尽，器件能够耐受高压。

摘要： 本实用新型实施例提供一种低导通电阻报警电路和低导通电阻报警设备，该低导通电阻报警电路包括振荡电路、控制电路、驱动电路和报警器，所述振荡电路的输入端与待测电阻连接、输出端与所述控制电路的输入端连接，所述驱动电路的输入端与所述控制电路的输出端连接、输出端与所述报警器连接。所述振荡电路用于采集所述待测电阻的阻值并转换为频率信号输入所述控制电路，所述控制电路用于对输入的频率信号进行处理以得到所述待测电阻的阻值，并将所述阻值与预设基准值进行比对，根据比对结果控制所述驱动电路以驱动所述报警器进行报警。本实用新型通过巧妙的电路设计，能够实现对不同阻值范围的电阻的测量，且电路结构简单，测试效率高。

摘要： 本实用新型涉及一种低栅极电荷低导通电阻深沟槽功率MOSFET器件，其元胞沟槽内设有屏蔽栅导电多晶硅体，屏蔽栅导电多晶硅体的两侧设有栅极导电多晶硅，栅极导电多晶硅与元胞沟槽的上部侧壁间设有绝缘栅氧化层；栅极导电多晶硅的下方设有第二屏蔽栅导电多晶硅；屏蔽栅氧化层包覆屏蔽栅导电多晶硅体的下部；元胞沟槽的槽口由绝缘介质层覆盖，元胞沟槽的两侧设有接触孔，绝缘介质层上淀积有金属连线，金属连线与第一导电类型源极区及第二导电类型阱层欧姆接触，且金属连线实现栅极导电多晶硅电性连接、屏蔽栅导电多晶硅体电性连接和第二屏蔽栅导电多晶硅电性连接。本实用新型导通电阻低，栅漏电荷Qgd小，开关速度快、开关损耗低，工艺简单及成本低廉。