低导通电阻的超结VDMOS结构

摘要

本发明提供一种低导通电阻的超结VDMOS结构，该结构包括：位于第一导电类型半导体漏区上的超结结构；超结结构包括第一导电类型及第二导电类型半导体柱；相邻两第一导电类型及第二导电类型半导体柱的交界面部分区域替换为由异质结形成的横向HEMT结构；HEMT结构包括第一半导体材料柱及第二半导体材料柱。通过在超结区域设置异质结形成HEMT结构，引入二维电子气来进行导电，极大地降低器件导通电阻，通过超结结构的第一导电类型半导体柱与第二导电类型半导体柱之间的电位差来控制HEMT结构的关断，保证在源区与漏区之间的低漏压下，二维电子气可存在于异质结表面，有效减低器件的导通电阻；在源区与漏区之间的高漏压下，二维电子气耗尽，器件能够耐受高压。