东芝级联共源共栅技术解决GaN应用痛点

摘要

和传统的硅功率半导体相比,GaN(氮化镓)和SiC(碳化硅)有着更高的电压能力、更快的开关速度、更高的工作温度、更低导通电阻、功率耗散小、能效高等共同的优异的性能,是近几年来新兴的半导体材料。但他们也存在着各自不同的特性,简单来说,GaN的开关速度比SiC快,SiC工作电压比GaN更高。GaN的寄生参数极小,开关速度极高。