共源共栅GaN功率器件及其半桥应用电路

摘要

本发明公开了一种共源共栅GaN功率器件及其半桥应用电路，共源共栅GaN功率器件包括合封于一体的GaN器件和LDMOS器件，LDMOS器件包括集成于一体的LDMOS场效应管和栅极驱动器，栅极驱动器的信号输入端作为共源共栅GaN功率器件的逻辑信号输入端，信号输出端与LDMOS场效应管的栅极端相连接，接地端与LDMOS场效应管的源极端连接，连接点作为共源共栅GaN功率器件的源极端并连接GaN器件的栅极端，LDMOS场效应管的漏极端与GaN器件的源极端相连，GaN器件的漏极端作为共源共栅GaN功率器件的漏极端。本发明能够最大程度降低驱动回路的寄生参数、实现最佳开关性能，对于自供电及高侧专用共源共栅GaN功率器件，可极大简化电路，实现紧凑、高可靠的系统方案。