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倪金玉; 孔岑; 周建军; 孔月婵;
微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室,南京 210016;
单片集成; p-GaN帽层; 增强型GaN功率电子器件; 数字电路;
机译:栅极驱动器的单片集成和P-GaN功率HEMT为MHz开关,通过E模式GAN-On-SOI过程实现
机译:单片GaN-on-Silicon功率电子器件中的串扰
机译:保留p-GaN效应以关断p-GaN栅极功率器件中的能量损耗( E italic> off sub>)
机译:具有p-GaN栅极结构的增强型GaN HEMT功率器件的ESD行为
机译:高性能紫外线光电探测器和LED和光电探测器的单片集成在SI上生长的P-GAN / AlGaN / GaN异质结构上的LED和PhotoTopetector
机译:用多指架构调制对高功率应用的自终止蚀刻技术常关P-GAN / ALGAN / GAN HEMT的研究
机译:具有p-GaN / n-GaN / p-GaN / n-GaN / p-GaN电流扩散层的改进型InGaN / GaN发光二极管
机译:GaN功率电子器件:从GaN-on-si横向晶体管到GaN-on-GaN垂直晶体管和GaN CmOs IC。
机译:制造p-gan羟基电极的方法和由其制造的p-gan羟基电极
机译:基于氮化镓(GaN)晶体管,具有多个P-GaN块
机译:基于氮化镓(GaN)具有多个P-GaN块的晶体管
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