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适用于GaN功率开关器件的高速半桥栅驱动电路

摘要

适用于GaN功率开关器件的高速半桥栅驱动电路,属于电源管理技术领域。前级逻辑控制模块用于将脉冲宽度调制信号转化为电源轨为低压电源轨的第一短脉冲信号和第二短脉冲信号;电平位移模块根据第一短脉冲信号和第二短脉冲信号产生电源轨为高压电源轨且与脉冲宽度调制信号具有相同的占空比的第一控制信号;高压转低压电平位移模块将第一控制信号转化为电源轨为低压电源轨的第二控制信号用于控制前级逻辑控制模块的开启和关断,从而调整第一短脉冲信号和第二短脉冲信号的脉冲宽度;缓冲模块将第一控制信号转化为栅驱动信号DRVH。本发明具有速度高和功耗低的优点,应用于GaN功率开关器件时还能解决电源轨不匹配导致的信号丢失问题。

著录项

  • 公开/公告号CN108768145B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2019-07-02

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 电子科技大学;

    申请/专利号CN201810560701.9

  • 申请日2018-05-25

  • 分类号

  • 代理机构成都点睛专利代理事务所(普通合伙);

  • 代理人葛启函

  • 地址 611731 四川省成都市高新区(西区)西源大道2006号

  • 入库时间 2022-08-23 10:36:15

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2019-07-02

    授权

    授权

  • 2018-11-30

    实质审查的生效 IPC(主分类):H02M 1/088 申请日:20180525

    实质审查的生效

  • 2018-11-30

    实质审查的生效 IPC(主分类):H02M 1/088 申请日:20180525

    实质审查的生效

  • 2018-11-06

    公开

    公开

  • 2018-11-06

    公开

    公开

  • 2018-11-06

    公开

    公开

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