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邵刚; 刘新宇; 刘键; 和致经;
中国科学院微电子研究所,北京,100029;
共栅共源; AlGaN/GaN; HEMTs; 微波; 功率增益;
机译:使用HfO_2高k电介质进行表面钝化和栅氧化的AlGaN / GaN HEMT的增强的器件性能
机译:HR-Si衬底上用于AlGaN / GaN HEMT的435mS / mm跨导,具有优化的栅源间距
机译:源极-漏极间距对45 nm栅AlGaN / GaN MIS-HEMT的DC和RF特性的影响
机译:高功率应用中基于AlGaN / GaN的共漏极双HEMT(CDD-HEMT)的性能
机译:研究常关模式的AlGaN / GaN MOS HEMT器件,该器件利用栅极后退和p-GaN栅极结构以及带有醛生长的高k栅极绝缘体来实现高功率应用。
机译:面向增强模式特性的具有双AlGaN势垒设计的嵌入式栅AlGaN / GaN MIS-HEMT研究
机译:通过动态和电致发光测量表征具有透明栅电极的AlGaN / GaN HEMT器件
机译:结合GaN衬底热边界电阻的氮化镓(GaN)高电子迁移率晶体管(HEmT)器件的混合多栅模型。
机译:降低AlGaN / GaN HEMT的栅极漏电流的AlGaN / GaN HEMT方法
机译:形成栅极电极的方法,制造AlGaN / GaN-HEMT的方法以及ALGaN / GaN-HEMT的方法
机译:形成栅极应力的方法,制造AlGaN / GaN-HEMT的方法以及ALGaN / GaN-HEMT
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