首页> 外文OA文献 >Caratterizzazione mediante misure dinamiche e di elettroluminescenza di dispositivi AlGaN/GaN HEMT con elettrodo di gate trasparente

【2h】

Caratterizzazione mediante misure dinamiche e di elettroluminescenza di dispositivi AlGaN/GaN HEMT con elettrodo di gate trasparente

机译：通过动态和电致发光测量表征具有透明栅电极的AlGaN / GaN HEMT器件

代理获取

本网站仅为用户提供外文OA文献查询和代理获取服务，本网站没有原文。下单后我们将采用程序或人工为您竭诚获取高质量的原文，但由于OA文献来源多样且变更频繁，仍可能出现获取不到、文献不完整或与标题不符等情况，如果获取不到我们将提供退款服务。请知悉。

页面导航

著录项
引文网络
相似文献
相关主题

著录项

作者
Bellesini Mirko;
展开▼
作者单位

展开▼
年度 2010
总页数
原文格式 PDF
正文语种 {"code":"it","name":"Italian","id":21}
中图分类

相似文献

外文文献
中文文献
专利

1. Misure di conducibilita termica di materiali refrattari mediante un apparato a piastra calda con anello di guardia [J] . Dino Boccaccini, Maria Cannio, Paolo Veronesi Ceramica Informazione . 2009,第480期

机译：借助带保护环的热板设备测量耐火材料的导热系数
2. Correlation Between DC–RF Dispersion and Gate Leakage in Deeply Recessed GaN/AlGaN/GaN HEMTs [J] . Chu R., Shen L., Fichtenbaum N., IEEE Electron Device Letters . 2008,第4期

机译：深度凹陷的GaN / AlGaN / GaN HEMT中DC-RF扩散与栅漏之间的相关性
3. In-situ passivation combined with GaN buffer optimization for extremely low current dispersion and low gate leakage in Si_3N_4/AlGaN/GaN HEMT devices on Si (111) [J] . M. Germain, K. Cheng, J. Derluyn, Physica status solidi . 2008,第6期

机译：原位钝化与GaN缓冲优化相结合，可在Si（111）上的Si_3N_4 / AlGaN / GaN HEMT器件中实现极低的电流分散和极低的栅极泄漏
4. Influence of the Ratio of Gate Length to Source-Drain Distance on the Sensitivity of the AlGaN/GaN HEMT Based Chemical Sensors and Biosensors [C] . Dongyang Xue, Heqiu Zhang, Hongwei Liang, International Conference on Signal Processing Systems . 2020

机译：栅极长度与源排水比率的影响 - 基于AlGaN / GaN Hemt的化学传感器和生物传感器的敏感性
5. Analysis of Heat Dissipation in AlGaN/GaN HEMT with GaN Micropits at GaN-SiC Interface [D] . Suri, Suraj. 2016

机译：GaN-SiC界面处具有GaN微坑的AlGaN / GaN HEMT中的散热分析
6. High Thermal Dissipation of Normally off p-GaN Gate AlGaN/GaN HEMTs on 6-Inch N-Doped Low-Resistivity SiC Substrate [O] . Yu-Chun Huang, Hsien-Chin Chiu, Hsuan-Ling Kao, 2021

机译：在6英寸N掺杂的低电阻率SiC基板上的常压P-GaN栅极AlGaN / GaN Hemts的高热耗散
7. Analisi dei fenomeni di intrappolamento su dispositivi HEMT su GaN con diverso profilo di Fe-doping nel buffer [O] . Torresan Federico 2012

机译：缓冲液中不同Fe掺杂分布的GaN HEMT器件上的俘获现象分析
8. Caratterizzazione di Dispositivi de Assistenza Meccanica Bentricolare. (Hypothesis of Tests for the Characterization of Ventricular Assist Devices.) [R] . Grigioni, M., Daniele, C., Romanelli, C., 2004

机译：Caratterizzazione di Dispositivi de assistenza meccanica Bentricolare。（用于表征心室辅助装置的测试假设。）

Caratterizzazione mediante misure dinamiche e di elettroluminescenza di dispositivi AlGaN/GaN HEMT con elettrodo di gate trasparente

著录项

引文网络

相似文献

相关主题

期刊订阅