High electron mobility transistors; Finite element analysis; Gallium nitrides; Heat transfer; Thermal boundary layer; Thermal boundary resistance; Thermal model;
机译:通过测量和技术-计算机辅助设计仿真研究金属-绝缘体-半导体场效应晶体管和高电子迁移率晶体管的氮化镓/氮化镓铝/氮化镓高压晶体管中的表面电荷和陷阱
机译:太赫兹应用氮化镓高电子迁移率晶体管的子带间器件建模
机译:太赫兹应用氮化镓高电子迁移晶体管的间隙装置建模
机译:太赫兹应用的GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)的基于物理的器件建模
机译:用于氮化铝镓/氮化镓高电子迁移率晶体管(HEMT)触点的先进工艺开发。
机译:氮化铝镓(GaN)/ GaN高电子迁移率晶体管传感器用于呼出气冷凝物中的葡萄糖检测
机译:氮化铝镓(GaN)/ GaN高电子迁移率晶体管传感器,用于呼出气冷凝物中的葡萄糖检测