N沟道

摘要： 一台SONY KDL-48K48OE型液晶彩电的电源适配器(19.5V/4.35A),雷击后不通电,即无19.5V电压输出。小心拆开适配器外壳,测得保险F1(3.15A)已开路,开关管TR1(11NM65N)正常,TR2(K12A65D)短路。TR1、TR2 S极对地分别接有一只0.12Ω和0.1Ω的限流电阻,说明TR1、TR2均是N沟道场效应管。

摘要： 8脚贴片MOSFET管外行与8脚贴片IC相同,多采用SOP-8、TSSOP-8、PowerPAK SO-8封装形式,如图1、图2所示。这类MOSEFI管内知一只或者两只N沟道或P沟道场效应管。

摘要： SiRA20DP在10V的最大导通电阻为业内最低，仅有0．58mΩ。

摘要： 日前，Wishay Intertechnology,Inc．宣布，推出新的25VN沟道TrenchFET Gen IV功率MOSFET-SiRA20DP，这颗器件在10V的最大导通电阻为业内最低，仅有0．58mn。Vishay Siliconix SiRA20DP具有最低的栅极电荷。

摘要： Vishay推出新的25V N沟道TrenchFET Gen IV功率MOSFET——SiRA20DP,这颗器件在10V的最大导通电阻为业内最低,仅有0.58mΩ。Vishay SiliconixSiRA20DP具有最低的栅极电荷,导通电阻还不到0.6mΩ,使栅极电荷与导通电阻乘积优值系数（FOM）也达到最低,可使各种应用提高效率和功率密度。此次发布的MOSFET采用6mm×5mm PowerPAK SO-8封装,是目前最大导通电阻小于0.6mΩ的两颗25V MOSFET之一。与同类器件相比,

摘要： SiC46X器件十分节省空间，在小尺寸MLP55-27L封装内组合了高性能N沟道沟槽式MOSFET和一颗控制器，具有高效率和高功率密度，并提高了长期可靠性，简化了热管理。

摘要： SiHP065N60E是VishaY第四代600VE系列功率MOSFET的首颗器件。N沟道SiHP065N60E的导通电阻比前一代600VE系列MOSFET低30％，为通信、工业和企业级电源提供了高效率的解决方案。这颗器件具有业内最低的优值系数（FOMRII栅极电荷与导通电阻乘积），该参数是600VMOSFET在功率转换应用的关键指标。

摘要： 日前,Vishay宣布发布新的30VN沟道Trench FET第四代功率MOSFET-SiA468DJ,为移动设备、消费电子和电源提供了更高的功率密度和效率。

摘要： 东芝公司旗下半导体与存储产品公司近日宣布面向直流一直流转换器、电动助力转向系统（EPS）大容量电机驱动器和半导体继电器等汽车应用推出40VN沟道功率MOSFET。MOSFET产品阵容的最新产品“TKR74F04PB”出货即日启动。

摘要： 发展了WN/W难熔栅自对准工艺。WN/W栅在850°C下退火，保持了较好的形貌。在此工艺基础上研制出了研制出了适用于互补逻辑电路的增强型n沟道异质结场效应晶体管。在1×50μm的HFET中，实现了最大跨导约为56mS/mm，阈值电压为3.5V。与p型HFET的-3V的阈值基本对称。反向击穿电压为4～5V。

摘要： 公开了一种用于在相同管芯上形成Ge/SiGe沟道和III‑V族沟道晶体管的技术。该技术包括在Si或绝缘体衬底上沉积Ge/SiGe或III‑V族材料的伪衬底。然后可以将伪衬底图案化成鳍状部，并且鳍状部的子集可以被Ge/SiGe或III‑V族材料中的另一种材料替换。例如，Ge/SiGe鳍状部可以用于p‑MOS晶体管，并且III‑V族材料鳍状部可以用于n‑MOS晶体管，并且两组鳍状部都可以用于CMOS器件。在一些实例中，在例如替换栅极工艺期间仅替换鳍状部的子集的沟道区。在一些实例中，一些或所有鳍状部可以形成为一个或多个纳米线或纳米带或者被一个或多个纳米线或纳米带替换。

摘要： 本发明提出了一种基于P沟道和N沟道MOSFET管的PWM功率放大电路，不需要泵升电路来进行桥式电路上桥臂的导通，电路输出能够恒保持为高电平。本发明电路构造简单，对栅极驱动模块要求低，不需要泵升电路来进行桥式电路上桥臂的导通；电路输出可恒保持为高电平。

摘要： 本发明涉及一种用于对交通区进行排水的排水沟道的沟道本体，所述沟道本体尤其由聚合物混凝土或水泥混凝土制成，所述交通区尤其是停车平台、停车库和/或停车楼，所述沟道本体包括沟道底部(11)以及两个相对置的侧壁(12)，其中侧壁(12)具有可见接片(13)，所述可见接片沿着沟道本体(10)的纵向方向延伸。本发明的特征还在于，用于表面覆层的覆层面(14)分别紧邻于可见接片(13)并且通过阶梯(15)从可见接片(13)缩进，其中覆层面(14)沿着沟道本体(10)的纵向方向连续延伸。

摘要： 本发明涉及一种沟道型平面波导放大器制备方法及沟道型平面波导放大器，该沟道型平面波导制备方法通过利用预设好沟道结构的光刻掩膜版对光学基片上旋涂的光刻胶进行曝光和显影，得到显影有沟道结构的光学基片，再利用刻蚀气体产生的等离子体在光学基片上按照显影后的沟道结构刻蚀多个沟道，最终，将选用的掺杂稀土的硫系材料利用熔融‑淬火法凝聚在刻蚀有沟道的光学基片上，形成位于光学基片表面上的硫系薄膜；并且，将选用的所述掺杂稀土的硫系材料利用熔融‑淬火法凝聚在光学基片的沟道内，避免了对掺杂的稀土材料的刻蚀，而且确保了掺杂的稀土材料在凝聚过程中不会丧失活性，从而得到所要制备的高质量的平面波导放大器。

摘要： 一种增强型N沟道和P沟道GaN器件集成结构，包括衬底，在衬底上依次设铝氮成核层、铝氮镓缓冲层、氮化镓沟道层和铝镓氮势垒层，铝镓氮势垒层和氮化镓沟道层被隔离层分割；隔离层一侧设有P沟道器件，包括第一P型氮化镓层，在第一P型氮化镓层上依次设第一氮化镓隔离层和第一P

摘要： 本发明通过实施例公开了一种SiGe锗化硅沟道构造方法、沟道结构及半导体器件；在SiGe沉积之前，通过离子注入工艺向PMOS区域注入氮离子，由于氮离子具有抑制Si氧化的作用，减小了边缘氧化物的生成，也抑制了“鸟嘴”结构的增大，同时增大了FDSOI的工艺窗口。

摘要： 本发明涉及轴承领域，具体公开了一种用于超大沟道曲率滚子轴承的沟道加工偏移量检测方法。该沟道加工偏移量检测方法包括以下步骤：根据设计参数，获取轴承沟道的曲率半径，记为R；以沟道的轴向中心为测量点，采用沟径表测量沟道的回转直径，记为D1；设定测量深度值H；分别以沟道轴向的两个端部为起点，向内以H深度，选取采样点，记为左侧采样点和右侧采样点；采用沟径表，在左侧采样点测量沟道的回转直径，记为D2；在右侧采样点测量沟道的回转直径，记为D3；根据理论计算获得沟道的加工偏移量Xe。以上所述的沟道加工偏移量检测方法采用直接测量与理论计算结合的形式，对沟道位置误差进行有效评估。

摘要： 本发明公开了一种在柔性薄膜表面构建沟道阵列的方法、带有沟道阵列的柔性薄膜及其应用，所述在柔性薄膜表面构建沟道阵列的方法包括步骤：取带有沟道阵列的模板，通过热压印将模板上的沟道阵列复制到待处理的柔性薄膜表面，从而在柔性薄膜表面构建沟道阵列。本发明采用热压印技术将模板上的沟道阵列复制到柔性薄膜上，柔性薄膜易于从模板上剥离，不易发生破损或撕裂，柔性薄膜上得到的沟道阵列清晰、完整、精度可到纳米级，适用范围广，实用性高。

摘要： 本实用新型公开一种N沟道和P沟道逻辑电平场效应管及封装组件，通过对现有的逻辑电平电路进行封装，即对功能模块前涉及的N沟道场效应管和P沟道场效应管所组成的逻辑电平电路进行装配为芯片，使其高密度集成化，即保证了逻辑电平电路在模块化服务器上的所占用面积的缩小，又保证了功能模块在管理模块重上电时的正常运行，避免了电路板走线空间和接口空间的浪费的问题，同时集成的逻辑电平场效应管简化了生产流程，避免了不必要的生产安装流程增加的情况。

摘要： 本发明公开了一种n沟道和p沟道增强型GaN器件集成结构的制备方法，包括：洁净衬底上进行高阻缓冲层、n沟道层、势垒层、p沟道层、插入层、p沟阈值调制层、p沟栅流抑制层的制作；n沟阈值调制层和n沟栅流抑制层再生长掩模的制作；n沟阈值调制层和n沟栅流抑制层制作；p沟器件欧姆接触金属的制作；n沟器件欧姆接触金属的制作；器件隔离区域制作；表面钝化层制作；n沟道器件和p沟道器件栅接触的制作；n沟道器件和p沟道器件欧姆接触压块的制作。本发明基于JFET GaN器件结构和能带理论，实现n沟道和p沟道增强型GaN器件的集成，可有效降低GaN数字集成电路功耗，结构及工艺兼容性高，器件阈值电压均匀性高、稳定性高。