寄生参数
寄生参数的相关文献在1983年到2022年内共计328篇,主要集中在电工技术、无线电电子学、电信技术、自动化技术、计算机技术
等领域,其中期刊论文199篇、会议论文37篇、专利文献77301篇;相关期刊109种,包括南京师范大学学报(工程技术版)、安全与电磁兼容、电工电能新技术等;
相关会议24种,包括2015全国电工理论与新技术学术年会、中国电工技术学会电力电子学会第十三届学术年会、第十六届计算机工程与工艺年会暨第二届微处理器技术论坛等;寄生参数的相关文献由1007位作者贡献,包括崔翔、张波、王世山等。
寄生参数—发文量
专利文献>
论文:77301篇
占比:99.70%
总计:77537篇
寄生参数
-研究学者
- 崔翔
- 张波
- 王世山
- 陈岚
- 丘东元
- 徐辉
- 朱凯翔
- 苏东林
- 魏克新
- 刘晨
- 单潮龙
- 叶甜春
- 吴玉平
- 张磊
- 李艳
- 杜宇
- 杜明星
- 赵阳
- 颜伟
- 马伟明
- 高圣伟
- 齐磊
- 姬军鹏
- 孔武斌
- 席世友
- 张俊洪
- 张军明
- 张民
- 戴斌华
- 曲荣海
- 曾光
- 李历波
- 李阳
- 梁斌
- 梁美
- 王勇
- 王贤亮
- 王铁军
- 翟国富
- 胡思国
- 赵国亮
- 郑琼林
- 陈乾宏
- 陈辉明
- 魏晓光
- D·A·弗里克里克斯
- JIANG Wei
- 任丛飞
- 任春江
- 何小斌
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熊素琴;
李求洋;
肖志强
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摘要:
采用常规的人体模型(Human Body Model,HBM)进行静电释放(Electro-Static Discharge,ESD)测试时往往容易受到寄生参数的影响,使得电源芯片抗静电能力测量值与实际抗静电能力存在偏差,导致劣质产品通过HBM ESD测试,影响电源芯片产品良品率的提升。为此,提出了一种RC-HBM模型,通过引入RC并联支路,校正因寄生参数引起的静电放电电流的偏差,满足电源芯片静电可靠性测试的要求。首先阐述了静电对电源芯片的损坏机理。其次,分析了寄生参数对ESD电流的影响,阐述了常规HBM ESD测试的局限性。并提出了一种新型的RC-HBM模型,给出了RC并联支路参数的设计依据。最后,通过批量实验验证了所提RC-HBM模型的准确性和合理性。
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曾海威;
杨汝;
胡维;
余连德;
杨红
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摘要:
提出一种基于不连续控制的开关变换器指数稳定性分析方法,该方法不需对开关变换器的模型做近似处理就可判定开关变换器的指数稳定性。加入开关变换器的寄生参数后对其进行稳定性分析,使结果更加接近于系统实际工作情况,可以提高稳定性分析的可靠性。在判定开关变换器的指数稳定性基础上设计了一种电流连续导通模式CCM(continuous conduction mode)Buck变换器的不连续控制器。该控制器采用不连续反馈控制方式,该控制方法相比连续反馈控制方法更符合变换器的切换不连续特性。数值仿真表明了该控制方法的优越性能,电路实验验证了该控制方法的有效性。
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郭英军;
孔德楷;
汤雨;
孙鹤旭;
董砚
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摘要:
相比传统的Boost变换器,双管升压变换器可以获得更高的增益,有效地降低了开关管的电压/电流应力,可以作为光伏系统和燃料电池系统的接口变换器。为了提升功率变换系统的功率密度,需要进一步提升开关频率。然而低开关频率下对电路分析可以忽略的寄生参数在高频条件下将对变换器的增益和器件应力带来重要影响,但目前针对双管升压变换器的分析方法难以评估高频下电路寄生参数对性能的影响。针对该问题,该文建立高频下考虑寄生参数的双管升压变换器模型,根据潜电路分析法提出考虑寄生参数的双管变换器潜在的电路模态,分析高频条件下寄生参数对双管升压变换器增益、功率器件的电压/电流应力、变换器损耗和效率等方面的影响。最后,在实验室中建立双管升压变换器实验平台,对高频下电路性能进行验证。
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干方宇;
高明;
石健将
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摘要:
为了提高宽电压范围输入LLC谐振变换器的可靠性,针对宽输入LLC谐振变换器在寄生参数的影响下整流管电压产生高频振荡导致电压应力过大的问题,分状态建立等效模型和状态方程。根据整流管电压应力随工作频率的变化规律,分析应力最大区域并提出能降低整流管电压应力的参数优化设计方法。在该方法下,整个工作区间在避开应力最大区域的同时保证了增益宽度。搭建2.5倍输入范围的600 W全桥LLC平台,开展实验验证。实验结果表明,相比传统的宽电压范围输入LLC参数设计方法,该方法显著降低了工作范围内的整流管最大电压应力值,提高了电路的安全稳定性。
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张平;
丁洁;
孙莉
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摘要:
LLC谐振变换器在进行稳态特性分析时,通常忽略寄生参数影响,而实际应用中,随着开关频率的提高,寄生参数的影响难以忽略。对半桥LLC谐振变换器稳态工作过程中,变压器漏感和分布电容等寄生参数所造成的影响进行理论分析,并搭建半桥LLC谐振变换器原理样机进行试验验证。试验结果证明了理论分析的正确性。
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蔡蔚;
杨茂通;
刘洋;
李道会
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摘要:
SiC MOSFET器件的集成化、高频化和高效化需求,对功率模块封装形式和工艺提出了更高的要求。本文中总结了近年来封装形式的结构优化和技术创新,包括键合式功率模块的金属键合线长度、宽度和并联数量对寄生电感的影响,直接覆铜(DBC)的陶瓷基板中陶瓷层的面积和高度对寄生电容的影响,以及采用叠层换流技术优化寄生参数等成果;综述了双面散热结构的缓冲层厚度和形状对散热指标和应力与形变的影响;汇总了功率模块常见失效机理和解决措施,为模块的安全使用提供参考。最后探讨了先进烧结银技术的要求和关键问题,并展望了烧结封装技术和材料的发展方向。
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黄文源
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摘要:
和传统的硅功率半导体相比,GaN(氮化镓)和SiC(碳化硅)有着更高的电压能力、更快的开关速度、更高的工作温度、更低导通电阻、功率耗散小、能效高等共同的优异的性能,是近几年来新兴的半导体材料。但他们也存在着各自不同的特性,简单来说,GaN的开关速度比SiC快,SiC工作电压比GaN更高。GaN的寄生参数极小,开关速度极高。
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宋庆辉
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摘要:
本文基于微波多层印制技术工艺,提出了一种利用VBS脚本语言研制微波时延线的新方法,并利用此方法研制了一款工作于Ku频段的4态宽带时延线。该方法利用HFSS、AltiumDesigner等设计仿真软件与VBS脚本语言的函数接口,实现批量化的自动建模、仿真、优化和设计,大幅度缩减设计周期,降低成本。所实现的Ku频段4态宽带时延线工作于7-15GHz,具有优良的射频特性,整个工作频带内输入、输出回波损耗优于7dB(含射频转接器),900ps时延通路插入损耗优于10dB,相邻通道隔离度优于25dB,时延精度优于±3ps。整个4态时延器的尺寸不大于80mm×60mm×1mm,非常适合用于低成本小型化场景。
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张杨
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摘要:
瞬态电压抑制二极管(TransientVoltageSuppressor,TVS)是一种较为普遍的静电放电(ESD)防护元器件,其本身特性会对ESD的抑制作用产生影响,这是由于其寄生参数导致的冲击电压而造成的。对此,该文对TVS的冲击电压问题进行建模讨论。该文建立了TVS的冲击电压模型,采用最小二乘法对模型的冲击电压波形进行优化,使冲击电压模型的电压波形更接近于实际波形,并且通过高阶矩进行比对校验其相似性。该文对冲击电压的抑制措施进行了研究,可以有效解决TVS本身特性对ESD抑制作用的影响,即降低冲击电压。通过文中的仿真和实验,均可验证该文的冲击电压模型和抑制方法具有一定的有效性。
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谢仕宏;
杨智浩;
梁力
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摘要:
针对三相逆变器过冲电压导致绝缘栅双极型晶体管(IGBT)的过压击穿和误导通问题,提出一种减小寄生参数的三相逆变器设计方案。首先建立IGBT换流通路和驱动回路的电路模型,然后分析线路寄生参数对IGBT开关过程的影响,最后给出分立式IGBT构成的三相逆变器设计方案并制作实物进行物理验证。研究结果表明,线路杂散电感是造成IGBT关断过电压的主要原因,IGBT与驱动电路集成的三相逆变器寄生参数影响最小。实验结果验证了结论分析的正确性。
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SHI PU;
石璞;
LI YAN;
李艳
- 《中国电源学会第二十二届学术年会》
| 2017年
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摘要:
本文在谐振型隔离直流变换器的基础上,对变压器原边的开关管零电压开通情况及电路工作状态进行详细分析.在考虑寄生参数的情况下对死区时间内开关管结电容放电过程搭建小信号模型,通过分析计算得到可实现开关管ZVS的死区时间;对死区时间内进行包含寄生参数的详细工作模态分析,对死区时间过长时,电路失去开关管ZVS的工作状态进行分析验证.
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QI Bin;
齐斌;
ZHANG Fanghua;
张方华;
MENG Wuji;
孟无忌
- 《中国电源学会第二十二届学术年会》
| 2017年
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摘要:
相比较于传统变压器,平面变压器有着体积小、易整合性等优点,有利于提高变换器功率密度.本文针对完全交错PCB绕组布局困难的缺点,采用不同的排布方式优化绕组结构,在减小变压器漏电感同时,简化了PCB布局,减小了变压器内部连接点数量和端部面积.为减小变压器绕组完全交错布局的困难,论文采用绕组间并联优化绕组结构.为了解决绕组间交错漏感过大,采用"半匝"结构,进一步优化绕组连接方式.通过有限元仿真软件,对绕组的各排布方式的寄生参数进行了损耗分析,研制了一台应用"半匝"绕组的倍压反激变换器原理样机,实验验证所采用排布方式的有效性.
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JIANG Wei;
蒋伟;
HUANG Ming;
黄明;
WU Guifeng;
吴桂峰;
MA Aiguo;
马爱国
- 《中国电源学会第二十二届学术年会》
| 2017年
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摘要:
开发了一种数字电源的半实物仿真平台,系统计算核心由两块数字信号控制器(DSC)组成,分别用于实现数字控制机和数字仿真机.利用传递函数法在数字仿真机里面实现控制占空比对输出变量的传递函数;数字控制机中断程序区代码开放,可以插入适用于不同控制对象的数字控制代码.数字控制机和数字仿真机之间通过高速数模信号传递控制变量,被控变量从数字仿真机的高速数模接口输出,便于示波器直观显示.样机中实现了具有理想参数和带寄生参数的降压电路开环特性的半实物仿真和闭环控制的半实物仿真,结果表明,该半实物仿真系统能较准确的模拟实际电路特性,成本低,可以用于电力电子数字控制的实训和工程前期快速原型开发.
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Sujia;
苏佳;
Gaoshengwei;
高圣伟;
Liu wuyang;
刘武扬
- 《中国电机工程学会2017年全国电工理论与新技术学术年会》
| 2017年
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摘要:
GaN属于第三代宽禁带半导体器件,由于其材料的先进性,使得它与Si MOSFET和SiC MOSFET相比具有更高的开关速度和更低的开关损耗,可以应用于高频领域.为了更好的描述其开关特性,本文以650V增强型GaN晶体管GS66502B为例进行动态测试,基于双脉冲测试平台,对GaN开关特性做出理论分析.探讨了GaN的栅极驱动电阻、寄生电容以及寄生电感等寄生参数对其开关特性的影响,在LTspice软件上进行仿真,给出了GaN晶体管在开通和关断两种情况下的栅极驱动电压、漏源极两端电压以及漏极电流的波形,同时将得到的波形进行归类对比,分析寄生参数对GS66502B开关特性的影响,最后进行实验验证.从分析结果可以看出,寄生电感是最主要的影响因素,在晶体管关断瞬间会产生较大的电压尖峰和振铃.
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