UnitedSiC推首款750V SIC FETs性能取得突破性发展

摘要

随着半导体技术的提升,以SiC和GaN为代表第三代半导体材料越来越受到关注。与传统硅工艺相比,Si C和Ga N等宽禁带半导体材料可实现更优的导热性、更高的开关速率、更低导通电阻(RDS)以及更小的器件物理尺寸。很多传统半导体巨头将其视作未来功率器件新战场,近年来纷纷加码该领域,这其中包括领先的碳化硅(SiC)功率半导体制造商United SiC(联合碳化硅)公司。