一种带原位氮化硅层的低导通电阻型GaN基器件及制作方法

摘要

本发明涉及一种带原位氮化硅层的低导通电阻型GaN基器件及制作方法，方法包括：在包括衬底层、成核层、缓冲层、沟道层、插入层、势垒层和GaN帽层的外延基片上利用MOCVD沉积原位氮化硅层；在氮化硅层上刻蚀向下延伸至沟道区的凹槽；在凹槽中生长重掺杂的n+材料；制备源漏金属电极；利用刻蚀工艺去除SiN层上的n+材料；在钝化层上制备凹槽；在凹槽上制备栅电极；进行金属互连。本发明可以明显降低器件的导通电阻。