增强型GaN器件动态导通电阻测试及应用方法优化研究

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致谢

1 引言

1.1课题研究背景及意义

1.2 课题研究的国内外现状

1.2.1 动态导通电阻机理与影响因素

1.2.2 动态导通电阻测试方法

1.2.3 抑制动态导通电阻漂移优化方法

1.3本文主要工作安排

2 增强型GaN器件动态导通电阻机理和影响因素研究

2.1 Cascode型与单体增强型GaN器件结构

2.2 增强型GaN器件动态导通电阻机理分析

2.3 增强型GaN器件动态导通电阻影响因素分析

2.4本章小结

3 动态导通电阻测试

3.1 多工况动态导通电阻测试电路的设计

3.1.1 主电路工作原理

3.1.2 箝位电路工作原理

3.2 测试实验与结果分析

3.2.1 待测器件选型与参数介绍

3.2.2 DPT模式

3.2.3 FSBB模式

3.2.3 实验结果分析

3.3本章小结

4 考虑动态导通电阻现象的GaN器件应用优化方法研究

4.1动态导通电阻应用优化方法

（1）GaN 器件适配应用条件

（2）精确量化GaN 器件通态损耗

4.2考虑动态导通电阻现象的GaN器件通态损耗计算

4.2.1 理论计算

4.2.2 实验验证

4.3 本章小结

5总结与展望

5.1 本课题工作总结

5.2本课题未来展望

参考文献

作者简历及攻读硕士学位期间取得的研究成果

独创性声明

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