基于AlGaN/GaN HEMT器件的高频高压动态导通阻抗提取电路及提取方法

摘要

本发明公开了一种基于AlGaN/GaN HEMT器件的高频高压动态导通阻抗提取电路，供电单元一通过串联负载给器件漏极供电，电流监测单元测量通过器件的电流，驱动单元为器件提供所需的调制驱动；供电单元二通过恒流源给二极管D1，D2，D3，D4供电，电压监测单元用于测量C点电压，差分电压监测单元用于监测二极管D2和D3的前向压降，并公开动态导通阻抗提取方法。本发明采用双二极管串联隔离测量法测量导通阻抗，电路结构简单，监测电压始终为低压；采用双二极管串联隔离，使二极管前向导通电压可在低压范围内实时测量，提高了测量精度；采用特定的极小结电容二极管，提高了高频响应，实现了高频测量。